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（作者：芯动科技 伍江华）

前言

不久前，芯动科技Innosilicon推出的“风华1号”高性能GPU引起了市场高度关注，160-320G Pixel/s渲染、5-10T Flops浮点算力、AI算力最高50Tops。

对于一款高性能GPU而言，算力是最核心的指标，而实现算力最基础的技术就是高带宽数据交换。如果说把GPU比作智能芯片中的战斗机，那么GDDR内存交互访问技术，就是配套的高速跑道了。GDDR6/6X接口技术成为各个大厂旗舰机的标配，这也是“风华1号”GPU能够在市场上领先竞争对手的重要原因之一！

▲GDDR6/6X Combo IP是风华GPU高带宽的核心技术

今天，我们一起深入探讨一下GDDR内存技术在Soc中的重要性和发展历程，GDDR6/6X接口如何满足高算力GPU对高带宽数据交换的需求。

GDDR和GPU的关系

说起GDDR就必须要先讲GPU的发展历史，图形处理器GPU（Graphics processing unit），作为CPU的协处理器加速卡，早期主要对游戏、视频、图像等应用进行加速。

图像的计算包含了顶点着色、屏幕映射、片元着色、裁剪、三角形遍历等大量数学运算，GPU在大规模、并发计算上对比CPU有着先天的优势。

▲ GPU主要实现的算法结构

GPU基于图形处理的架构上，有成百上千个计算核心，在高性能计算、并行计算、矩阵运算上有巨大优势，所以在需求的推动下，GPU自然成为了当下人工智能、高性能计算的硬件核心平台。

▲ 与CPU相比，GPU的多核心计算架构有利于并行矩阵运算

由于GPU的架构有成百上千个运算核心，因此并行计算的流水线数据流，并不适用传统的CPU+DDR数据访问模型，相应的GDDR技术也就应运而生。

GDDR显存技术是主流先进GPU的标配

先进工艺半导体迅猛发展点亮了人工智能、自动驾驶、神经网络、高性能游戏等五光十色的海量新应用。而GPU作为高性能、高并发的基础算力平台，让黄教主和苏妈成为这个舞台最耀眼的双星！

▲ 英伟达的RTX、titan系列和AMD YES不断轰炸着大家的想象力天花板！

当所有的高性能GPU都在追求极致算力时，内存数据交换逐渐成了整个SoC的瓶颈，高带宽高速率的内存交换技术，成为提升GPU运算效率的关键要点。

▲ GDDR是GPU系统的核心数据交换技术

在需求的刺激和推动下，GDDR技术得到了飞速发展，DDR5 6.4Gbps/pin还没大规模铺开，GDDR早已经迭代到GDDR6X 21Gbps/pin速率了。一般DDR5的位宽为32~64bit，单Chip带宽为72Gbps，而GDDR6的带宽则达到叹为观止的512Gbps。

▲ GDDR的发展迅速超过了DDR

好马配好鞍，GDDR是GPU算力提升最重要的技术环节之一，为GPU高性能引擎铺平了高速赛道。

▲ 法拉利在泥巴里也跑不动！

GDDR主要优势

1、GDDR和传统的DDR做对比

§带宽优势

常规的DDR系列，是8、16位的预取，array 32~128bit，而GDDR5/6X是16n的预取，实现单个array 256~512bit的大块内容存取，单次Access granularity 32~64Byte，系统数据宽度能达到384bit，以满足GPU对高带宽的需求。

▲ GDDR5X/GDDR6的预取更大

▲ GDDR的结构和速率有利于更大的总线宽度

由于GDDR的颗粒array大，所以同等密度的情况下，列地址CA的宽度更小，如下图所示：

▲ LPDDR4的列地址为10bit，而GDDDR6X的列地址为6~7bit

以上技术特征表明GDDR的内存单元更大，读取长度大，数据总线宽，与传统DDR呈现出不一样的鲜明特征。

§管脚对比

GDDR5~GDDR6X使用管脚170~180 pin，而传统的LPDDR4需要200个pin，当然比起DDR3 80~90pin还是有显著增长，但是获得的带宽收益更大。

GDDR和DDR则各有千秋。

GDDR在带宽、核心速率、管脚少的特点在GPU、NPU、AI等高并发计算等应用上有极大优势。DDR在随机访问、突发读写延时较小、高密度内存颗粒应用上，搭配CPU仍然更有优势。

2、最新的现存颗粒指标性能

GPU发展一日千里，各种旗舰机层出不穷的同时，GDDR的进步也毫不逊色，甚至大有技高一筹势头。

▲ 美光的GDDR颗粒在GPU旗舰机的搭载对比

美光的主要显存颗粒在各个旗舰GPU上搭配应用，对于超大带宽的应用，美光在3个维度做出了对比。

▲ 主流GDDR性能比较

GDDR6X已经达到21Gbps/pin速率、1TB/S带宽，GPU大厂都表示“这么大的带宽，我要搞多高算力才配用这么大带宽的GDDR颗粒嘛？”真是GDDR有多大胆，GPU有就有多大产！

美光于2020年9月宣布推出基于GDDR6X内存颗粒的超带宽解决方案产品，英伟达在高性能旗舰卡GeForce RTX 3090和GeForce RTX 3080 GPU中首次搭载了该显存颗粒。

GDDR6X与英伟达GeForce RTX 系列GPU的搭配引领了最先进的图形处理设备，榨干了我们的想象力，也榨干了玩家们钱包!

▲ GeForce RTX 3080 Ti + GDDR6X 12GB显存颗粒

▲  醒目的32GB GDDR6X喊着玩家快点打钱！

芯动率先推出商用GDDR6/6X combo IP

为全球智能芯片提供加速服务

作为数据交换基础的GDDR技术对于智能芯片发展的重要性不言而喻。自动驾驶、人工智能、游戏引擎等产品需求呈现井喷式增长，而与之配套的GDDR6/6X高带宽接口技术因为太过复杂、工艺先进，在商用IP市场上的选择并不多。

因此，GDDR6/6x显存技术的发展需要颗粒厂商，IP技术公司和智能芯片公司共同的推动。

2021年美光和芯动共同开发推出首个硅验证GDDR6/6X Combo IP，为更多的芯片公司提供了GDDR6/6X的高带宽核心技术！

美光甚至表示：这个 IP 改变了人工智能的版图！

芯动科技的GDDR6/6X PHY和Controller IP 基于14纳米工艺，应用PAM4信号技术，单pin速率高达 21 Gbps，256 位宽度，系统带宽超过5Tb/秒，满足了众多高带宽热门应用，如图像处理，游戏引擎、信号分析和人工智能等。

▲ 全球首个商用GDDR6/6X Combo IP量产

▲ 21Gbps GDDR6X PAM4 DQ眼图

▲ GDDR6 WCK眼图 15GHZ

▲ GDDR6 DQ眼图5Gbps

芯动科技也成为实现从GDDR5到GDDR6X全覆盖的IP厂商，GDDR6X这个节点更是成为第一款商用量产IP，为全球广泛高性能芯片公司提供了重要的接口技术！

GDDR6/6X Combo IP技术解读

·PAM4信号技术

▲ PAM4信号技术框架-有4个相位-单cycle发送2bit信息

▲ QDR技术实现了每个时钟采集4个信号，满足PAM4的信号速率要求

·GDDR6和GDDR6X架构图对比

▲ GDDR6和GDDR6X的结构对比(请注意时钟和数据采样的倍频关系)

GDDR6X和GDDR6最大不同的地方在于数据通道利用PAM4技术实现4倍的取样速率，实现21Gbps的单端速度。

▲ GDDR6X-时钟频率和PAM4的倍频关系

主要的技术难点

·PAM4的信号要求高速采样速率

▲ 低电压带来功耗优势，但是对信号提出苛刻的要求

为了满足高带宽要求，GDDR6X将核心频率设定为2.5GHZ，对比传统DDR5(400~800MHZ核心频率)，为了实现预取的数据取样要求，换算2.5G x 16预取 ÷ 2 (PAM4) =20Gbps，于是I/O速率必须大于20Gbps才能完成采样。

GDDR6/6X的VDDQ电压1.25/1.35v、速率16~21Gbps高速信号，对内部高速缓存、IO(125~135pins)的设计、走线、封装都提出了极为挑剔的要求，任何微小的噪音在经过衰减路径之后，都将导致信号眼图无法张开。

▲ GDDR6(8Gbps)和GDDR6x PAM4(16Gbps)的DQ眼图对比

·超低电压对先进晶圆工艺的要求

▲ FinFet工艺对IP的设计有着极高的要求

GDDR6/6X IP速率高，电压幅值低，必须使用先进FinFet工艺，先进工艺的验证成本高，单次流片要200~300万美元，设计收敛规则复杂，测试设备和成本高昂，对研发团队的经验有极高要求。

芯动提供整套技术打包方案

除了GDDR6/6X Combo PHY+Controller本身，设计企业仍然面临着复杂的布线、封装等问题，在量产之前每一个技术点都有风险，对此，芯动提供打包的一站式方案。

芯动提供IP配套的IO走线、封装设计、PCB板级参考、信号完整性分析等，大大降低了用户的风险和集成时间，真正一站式将全球领先的GDDR6/6X技术部署到SoC中，实现超大带宽的内存访问。

▲ PCB走线参考方案

▲ 信号完整性分析-返回损耗和插入损耗

结语

芯动在先进工艺IP有着大量的量产和验证经验，从DDDR5/4/3/2到LPDDR5/4/3/2，以及领先的GDDR5/5X、GDDR6/6X、HBM3、Innolink Chiplet、32/56G Serders等等，芯动率先投入了巨大的研发力量进行量产验证，为广泛的高性能SoC提供了高速接口方案，为全球高性能芯片提供加速服务！

▲ HBM3 6.4Gbps高速眼图

▲ 全球首个GDDR6/6X Combo IP量产

▲32/56G SerDes眼图(支持PCIE5/SATA/USB3.0/SGMII/MIPI等高速协议)

▲ 风华1号应用Innolink Chiplet,GDDR6/6X 等先进接口IP

这些先进IP在技术层面互相依赖、相互关联，每一项单独拿出来在市场上都是独步领先的技术，更可贵的是以上的实物图可不是PPT产品，是16年来芯动团队在CEO敖海先生的带领下持续投入、专注研发、长期耕耘的收获，在当下浮躁的资本炒作造芯环境下显得尤为可贵。

▲ 芯动科技CEO敖海先生

芯动的先进IP技术，一方面引领行业技术创新，塑造半导体企业的全球化长远发展视野，另一方面满足高性能芯片的市场需求，助力高端芯片发展，脚踏实地发展创新技术！

▲ 丰富的应用场景

芯动16年来重兵投入全球先进工艺、专注高端IP研发，在高性能计算平台、多媒体终端&汽车电子平台、IoT物联网平台等应用领域打造了核心优势，超过200次的流片记录、逾60亿颗授权量产芯片、10亿颗以上高端定制SoC量产，默默耕耘、脚踏实地，为赋能高端芯片做出重要贡献！

近日，2022年珠海软件和集成电路产业年会暨数字经济创新与产业发展论坛上，芯动科技正式发布了全球首款GDDR6X高速显存技术，目前该技术已支持风华4K级高性能GPU的创新突破和量产，还将进一步赋能高性能计算产品，助力全球合作伙伴成功。

此次首发的GDDR6/6X Combo IP，单个DQ能达到21Gbps超高速率，在256位宽度下系统带宽超过5Tb/秒，是同位宽DDR4/LPDDR4最高带宽的5倍，整体带宽性能直追HBM，成本却远低于HBM，是当前最具性价比的高带宽存储解决方案，能有效促进GPU/NPU/DPU等高性能计算及人工智能产品打破内存墙，堪称HPC/Graphics领域大杀器。

据介绍，GDDR6X首次在工业量产产品中使用单端PAM4技术，实现了更高的数据速率，也带来更大的设计挑战。相比NRZ信号的PAM2，PAM4技术可以将信号的基础频率降低一倍，从而大幅减小基础频率下的信号衰减。在串口差分接口技术中，PAM4已经广泛应用于56G/112G高速SerDes；而在DDR单端信号技术中，由于更高的串扰和噪声控制要求，PAM4过去一直没有真正使用在工业产品中。在GDDR6X技术研发过程中，为了保证单端PAM4信号的正确发送和接收，芯动使用了大量高性能IO接口技术、抗噪声和信号均衡恢复技术。因此在大幅提升接口数据传输速率的同时，GDDR6X实际内核频率甚至可以做到比上一代技术更低一些。这比业界常见的串口差分PAM4技术，难不止一个数量级。

值得注意的是，芯动科技的GDDR6X IP和GDDR6 IP可以二合一兼容。也就是说使用这个Combo IP的芯片，既可以使用GDDR6的内存颗粒也可以使用GDDR6X的内存颗粒，这样客户的选择性和灵活性就会更高。而且芯动科技的GDDR6/6X Combo IP不是设计完成阶段，也不是流片验证阶段，而是已经在多个先进FinFet工艺成功量产出货，是非常成熟且可以保证量产的IP技术，也是芯动和美光合作推出的世界首个硅验证的GDDR6X超带宽解决方案。美光在官网上盛赞这项技术，“芯动基于GDDR6X的PHY芯片使用PAM4信令机制，进一步提高了人工智能应用所需的高效率和数据速率。双方的合作展示了GDDR6X的高度实用性，通过内存改变了人工智能版图。”

搭载GDDR6X自主创新技术，芯动首个4K级高性能GPU“风华1号”实现了图形GPU的性能突破，大幅提升现有图形GPU能力与用户体验，并成功应用于桌面和服务器领域。从DDR5/4/3到LPDDR5X/5/4以及GDDR6X/6，芯动科技也成为了唯一实现对DDR系列高带宽技术全覆盖的IP厂商，为全球广泛的高性能芯片公司提供重要技术支持，赋能全球合作伙伴产品成功。

Microchip Technology Inc.

8位单片机产品部

Robert Perkel

摘要：处理特定任务的单片机可减轻主单片机或微处理器的任务和工作负荷，从而有助于简化各种应用的设计流程。

如今，运行实时操作系统（RTOS）的大型32位单片机（MCU）和微处理器（MPU）日益普及。不过，如果使用一个大型单片机处理复杂的应用，可能会在执行小型后台处理任务时遇到CPU资源方面的问题，这些任务虽然并不复杂，但十分耗时。8位和16位MCU等小型器件可用于减轻32位器件的工作负荷。

试想一下这样一个示例：将一个32位MCU用于控制汽车的非安全功能，如娱乐系统、环境照明和空调。此32位器件必须对其资源进行分配，以便处理与这些功能相关的所有任务。这样的任务还包括测量驾驶室内多个点的温度、打开/关闭空调系统、更新图形显示、处理用户输入、调整照明条件和播放音乐。即使对于大型32位器件，这些工作量也过于繁重。

但是，如果32位器件将部分任务负荷转移给几乎不需要监控的子处理器，每个子处理器仅负责处理其中的1或2个任务，那么这些任务会更易于管理。这可以释放主处理器上的CPU资源，从而降低软件的复杂性，同时提高性能并缩短执行时间。

这种解决方案与单片机中的外设有异曲同工之妙。外设是专用硬件的小型模块，可以添加新功能（例如运算放大器或模数转换器），也可以减少执行给定功能时CPU必须承担的工作量。在某些情况下，初始化后，外设可独立于CPU运行。

为了说明外设的优势，我们以产生脉宽调制（PWM）信号为例。要在没有专用外设的情况下产生PWM，只需将I/O线设为高电平，等待一定数量的周期后，将其设为低电平，再等待一段时间，然后重复操作。这会占用大量CPU周期，并且对于某些功能（如RTOS）来说，难以可靠地执行。相比之下，PWM外设允许CPU在执行其他任务的同时设置所需的波形参数。

本文中介绍的第一个示例说明了减轻CPU密集型任务负荷的优势。在该案例中，使用了一个8位MCU来创建I/O扩展器。I/O扩展器并不复杂；然而，由于需要频繁处理中断，因此它们会占用大量的CPU时间。通过使用专用MCU来完成这项任务，大型32位器件可以减少I/O使用和需要处理的中断次数。此外，I/O扩展器的功能集可在软件中设置，因此支持针对应用进行定制和调整。 

本文中的第二个示例以创建独立于CPU运行的电压频率（V/F）转换器为例，展示了独立于内核的外设的性能。在这个示例中，CPU的唯一功能是初始化外设并将调试打印消息发送到UART。在大型系统中，当V/F在后台运行时，CPU可以执行另一个简单的任务。

I/O扩展器

使用8位MCU创建I/O扩展器的最大好处是提高灵活性。I/O扩展器ASIC的功能集已嵌入到器件中，而MCU可基于其执行的软件定义其行为。这种灵活性使基于MCU的版本能够满足最终应用的需求。

实现高级I/O扩展器

在器件内部，高级I/O扩展器在基于查找表的结构上运行。在读取或写入之前，会发送一个虚拟地址。该地址与单片机上的寄存器无关——仅特定于查找表。这意味着，可以透明地添加不在单片机硬件寄存器中的功能。此外，还可以针对特定用途，轻松地重新排列表格中的条目。这种结构的另一个优势是，能够向查找表添加权限。例如，要创建一个只读寄存器，只需省略查找表的写条目即可。

高级I/O扩展器的查找表

这种较为复杂的结构也适用于非标准功能。“MEM OP”功能允许MCU将其当前的通用输入和输出（GPIO）配置保存或加载到存储器中。

器件中的存储器存储

MEM OP也可以将GPIO配置重置为编译时设置的参数。

注：并非所有字段均可用于所有操作

MEM OP的功能

此外，也可以选择将单片机设置为在上电时加载保存的设置。如果已使能，单片机会尝试加载配置0中的设置。如果配置执行校验和验证失败，则MCU将恢复为编译时常数。如果不需要，可以在软件中禁用此功能。

该解决方案的要点

基于MCU的解决方案的优势在于出色的灵活性。与市场上的ASIC不同，我们可以为MCU配置特定于应用场景的非标准功能。此应用程序针对通用PIC16F15244系列MCU开发。

如需深入了解该实现或想要试用该示例，请参见源资源库中的README文件。此外，还提供带有Arduino的高级I/O扩展器的演示。

源代码、文档和演示：https://github.com/microchip-pic-avr-examples/pic16f15244-family-advanced-i2c-io-expander

电压频率（V/F）转换器

通过降低物料清单（BOM）成本，进而减小设计面积，电压频率转换器可改进传统的模拟解决方案。市场上的许多V/F转换器需要配备外部电阻和电容才能运行，而单片机只需使用通用去耦和上拉组件（所有MCU的必备组件）即可运行。

TC9400/TC9401/TC9402 10 Hz至100 kHz V/F转换器的应用原理图

MCU不使用模拟技术进行数字化，而是使用独立于内核的外设和功能的组合。MCU使用内部带计算功能的模数转换器（ADCC）测量输入信号，然后对时钟信号进行分频，以创建可变频率输出。在该示例中，外设已设置为在初始化后独立于CPU运行。这意味着，CPU可以用于最终应用中的其他任务。

对于基于MCU的方案，其挑战在于性能不如模拟解决方案。输出的分辨率本身受到ADCC的限制。表面上看，ADCC为12位，但它会以配置为过采样的14位分辨率运行，具体取决于程序的配置方式。同样，用于合成输出频率的片内数控振荡器（NCO）具有有限的分辨率，并且其输出中可能存在抖动，具体取决于ADC测得的值。

基于MCU的解决方案可以分为三个不同的外设模块——模拟采样模块、输出振荡器模块和占空比发生器。

解决方案框图

模拟采样模块

模拟采样模块实现

模拟采样模块负责执行模数转换。为了在器件的频率限制下实现100 kHz的输出，已将ADCC配置为过采样，然后通过平均值处理获得14位结果。

这种过采样配置有一个缺点，即向结果中增加额外的统计噪声，可采取计算过采样的平均值并增加滞后的方法来补偿噪声。要实现滞后，可使用ADCC的阈值中断功能。（为简单起见，将仅介绍有关此示例如何使用阈值中断功能的细节。）

在ADCC完成过采样的平均值计算后，将得出的值与外设中的设定值寄存器进行比较。如果两者之差大于或小于设定阈值，则触发中断。CPU可屏蔽此中断且不受影响，然而，此中断会触发直接存储器访问（DMA），将经过平均值处理的过采样结果复制到ADCC的设定值寄存器，从而产生滞后。如果未超过阈值，则不会发生DMA复制，从而不会触发输出振荡器模块的DMA更新。

输出振荡器模块

输出振荡器模块的结构

该解决方案的输出振荡器模块负责以所需输出频率产生时钟信号。该输出信号在内部连接到占空比发生器，该元件将输出频率减半，但会产生50%的占空比输出。因此，输出振荡器模块以输出频率的两倍运行。

输出振荡器模块的核心是数控振荡器（NCO）。NCO外设的工作原理是在输入时钟的上升沿向累加器添加增量值，然后根据累加器溢出导出外设的输出。（有关NCO的完整说明，请参见数据手册。）

在该示例中，已将NCO2设置为在内部创建所需的输入时钟频率，以通过14位输入获得100 kHz输出。之所以使用14位结果，是因为ADCC本身的12位结果不足以在没有外部时钟源的情况下产生100 kHz输出。

100 kHz V/F转换器的理想输出（看门狗已关闭）。

如果改变NCO2的输出频率或使用备用源，则输出频率将调整为不同的输出范围。例如，如果NCO2的频率降低到1.28 MHz，则输出最大为10 kHz。 

10 kHz V/F转换器的理想输出（看门狗已关闭）。

占空比发生器

占空比发生器框图

该解决方案的占空比发生器模块负责创建50%的占空比输出。这是一个可选功能——可以直接使用NCO的输出，但这样做会增加占空比的变化幅度。

该生成器使用一个可配置逻辑单元（CLC）实现。CLC是可配置逻辑的小型模块，类似于现场可编程门阵列（FPGA）的一个单元。CLC可用作离散逻辑门（例如AND-OR或OR-XOR），也可以配置为锁存器或触发器。在该解决方案中，CLC实现为带复位功能的J-K触发器。J和K保持在逻辑高电平。输出振荡器模块用作触发器的时钟。每个输入时钟脉冲均会导致输出翻转，从而产生50%的占空比。注意：输出振荡器模块的频率抖动将对占空比产生影响。

Timer 6用作不稳定的“看门狗”定时器。如果输出没有产生边沿（上升沿或下降沿），则定时器将溢出，并将产生的时钟脉冲发送到CLC，这可以控制输出频率范围的下限。输出翻转到定时器频率的一半（输出为6 Hz），而不是达到直流。

该解决方案的要点

该示例表明，要使用硬件外设创建独立于内核的功能，通常必须使用外部集成电路。这种配置的一个最大优势在于，外设操作可在软件中设置，这样便可轻松地根据最终应用调整示例。由于使用了大量外设，因此选择PIC18-Q43系列MCU来实现该示例。 

有关该示例的更多信息，请参见示例资源库中的README文档。此外，示例资源库还包含频率电压转换器的实现，可与电压频率转换器在同一个器件上实现。

单击以下链接获取源代码和文档：https://github.com/microchip-pic-avr-examples/pic18f57q43-v-to-f-mplab-mcc

总结

尽管高性能单片机和微处理器都有一席之地，但在执行小型专门任务时，8位和16位MCU的作用不容小觑。这类任务并不一定十分复杂，但可能十分耗时，或者是时间关键型任务。任务负荷减轻后，32位器件可拥有更简单的实现，从而提高可靠性、减少存储器占用率并降低功耗。

移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。

UnitedSiC（即Qorvo）功率器件总工程师Anup Bhalla称：“性能较高的第四代产品扩充了我们的1200V产品系列，让我们能更好地服务于将总线设计电压提高到800V的工程师。在电动车中，这种电压升高不可避免，而这些新器件有四个不同R_DS(on)等级，有助于设计师们为每个设计选择最适合的SiC产品。”

新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征：

所有R_DS(on)产品（23、30、53和70毫欧）都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装，在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性，这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。

FET-Jet Calculator^TM是一种免费的在线设计工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。它可以在用户指定的散热条件下比较单个器件和并联的器件，从而得到最优解决方案。

新1200V第四代SiC FET的定价（1000件起，FOB USA）从$5.71（UF4C120070K3S）到$14.14（UF4SC120023K4S）不等。所有器件都由授权经销商销售。

Qorvo的碳化硅和功率管理产品可以为多种工业、商业和消费品应用提供充电、供电和控制功能。

关于 Qorvo

Qorvo（纳斯达克代码：QRVO）长期坚持提供创新的射频解决方案以实现更加美好的互联世界。我们结合产品和领先的技术优势、 以系统级专业知识和全球性的制造规模，快速解决客户最复杂的技术难题。Qorvo 服务于全球市场，包括先进的无线设备、 有线和无线网络和防空雷达及通信系统。我们在这些高速发展和增长的领域持续保持着领先优势。我们还利用我们独特的竞争优势，以推进 5 G 网络、 云计算、 物联网和其他新兴的应用市场以实现人物、 地点和事物的全球互联。访问 www.qorvo.com 了解 Qorvo如何创造美好的互联世界。