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在2024年度的评审中，保隆科技供应给通用汽车的排气系统及TPMS产品，实现了0PPM（百万件不良率）的卓越质量表现。这一成果背后，是保隆科技多年来在智能制造领域的持续投入 —— 公司构建了覆盖研发设计、工艺规划、生产制造、质量检测的全流程数字化管理体系，通过AI视觉检测、在线实时数据采集分析等技术手段，实现了产品质量的全生命周期追溯与管控。

此次双产品线同时获奖，是通用汽车对保隆科技二十余年行业积累的高度肯定。保隆科技始终将“零缺陷”作为质量管控的终极目标，通过导入精益生产理念、搭建全球化研发中心、建立供应商协同创新平台，形成了独具特色的质量管理模式。这种“技术驱动+品质优先”的发展战略，使保隆科技在汽车排气系统轻量化设计、智能胎压监测系统集成化方案等领域保持着行业领先地位。

展望未来，保隆科技将持续在汽车核心零部件领域加码布局，通过数字化工厂升级、绿色制造工艺应用、全球化供应链协同，以卓越的品质和创新能力，为全球汽车产业的转型升级贡献“中国智慧”，让更多人受益于汽车科技的发展！

来源：保隆科技

来源：润石科技

COMPUTEX 2025期间，AI基础建设当仁不让的成为了重要话题。特别是随着AI应用的不断挖掘，AI算力设施就像是互联网设施、电力设施一般变得不可替代，如何将数据中心升级成AI工厂已经成为行业考虑的问题。

当DeepSeek等AI新方案崛起，AI基础设施的重心不再过分倚重于GPU单一硬件，而是分配更多的资源到强大的并行能力、存储方案中，以解决更为细分的应用场景，当雪藏的数据被重新启用，由冷数据变成温数据的时候，机械硬盘开始难以承担高速读写和数据传输的重任，在机械硬盘和固态硬盘中间找到成本、容量、性能的平衡点变得非常重要，企业级的QLC技术进而被推向前台。

QLC技术推向市场已经有一段时间，但以往的QLC受限于技术原因，读写速度和寿命均受到诟病，以至于很长时间内难以在企业级市场得到推广。随着近年来半导体工艺制成技术的不断提升，存储密度和逻辑电路不断优化和升级，QLC的可靠性和读写速率都得到了质的飞跃。例如铠侠通过CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术将存储单元与逻辑单元分配到两个晶圆上分别制造，从而可以根据不同单元的制造特性优化流程，并获得更好的效能。

值得注意的是，铠侠第八代BiCS FLASH™ TLC和QLC产品均使用了CBA技术，从而实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。此外，该技术也显著提升了数据输入/输出的能效，输入功耗降低10%，输出功耗降低34%，成功实现了高性能与低功耗的最优平衡。

以此为基础，基于铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC NAND的铠侠LC9系列固态硬盘在近期发布，让存储容量来到了122.88TB，0.3DWPD耐久度，支持双端口2.5英寸外形尺寸，并符合NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 和PCIe^® 5.0 规范（支持Gen5 单 x4、双 x2配置，最高可达128 GT/s）。

得益于铠侠第八代BiCS FLASH™ QLC NAND的高效传输，铠侠LC9系列固态硬盘很好的兼顾了性能和价格，为AI计算温数据提供了海量的存储空间，进而加速AI应用落地，为企业客户抢占更多市场先机。

如果追求更高性能，与铠侠LC9系列同期推出的铠侠CM9系列非常值得关注，这款产品铠侠第八代BiCS FLASH™ TLC NAND打造，与上一代 KIOXIA CM7 系列相比，KIOXIA CM9 系列固态硬盘的随机写入性能提升高达 65%，随机读取性能提升高达 55%，顺序写入性能提升高达 95%。此外，其每瓦性能也得到提升：顺序读取效率提升约 55%，顺序写入效率提升约 75%。

同样，铠侠CM9系列符合 PCIe^® 5.0、NVMe™ 2.0、NVMe-MI™ 1.2c 和 OCP 数据中心 NVMe™ SSD 2.5 规范，支持 2.5 英寸和 E3.S 外形尺寸的双端口，  顺序读写性能（128 KiB/QD32）– 读取速度 14.8 GB/s，写入速度 11 GB/s，随机性能（4KiB）达到 3,400 KIOPS (QD512) 和 800 KIOPS (QD32)，是优秀的旗舰级产品， 2.5 英寸容量高达 61.44 TB，E3.S 容量高达 30.72 TB，是一款表现优秀的企业级固态硬盘。

无论TLC还是QLC技术，铠侠企业级和数据中心级固态硬盘，已经给客户的AI应用准备好了更为高效、可靠的存储解决方案。通过与行业合作伙伴不断加深合作，不断挖掘数据存储效率新价值，为AI计算提供可靠的存储后盾，探索更多AI的可能性。

作者：Edwin Omoruyi，高级应用工程师

问题

人工智能(AI)应用对高性能内存，特别是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，这是否会导致自动测试设备(ATE)厂商的设计变得更加复杂？

回答

AI需要高密度和高带宽来高效处理数据，因此HBM至关重要。ATE厂商及其开发的系统需要跟上先进内存接口测试的发展步伐。ADI公司的CMOS开关非常适合ATE厂商的内存晶圆探针电源测试。这些CMOS开关拥有快速导通和可扩展性等特性，能够提升测试并行处理能力，从而更全面、更快速地测试内存芯片。

简介

随着AI应用对高性能内存，尤其是高带宽内存(HBM)的需求不断增长，内存芯片设计将变得更加复杂。ATE厂商是验证内存芯片的关键一环，目前正面临着越来越大的压力，需要不断提升自身能力以满足这一需求。传统上，在存储器晶圆探针电源应用中，PhotoMOS^®开关因其良好的低电容乘电阻(CxR)特性而得到采用。低CxR有助于减少信号失真，改善开关关断隔离度，同时实现更快的开关速度和更低的插入损耗。

除了上述优点外，PhotoMOS开关的关断电压也较高，但也存在一些局限性，主要体现在可靠性、可扩展性和导通速度方面。其中，导通速度较慢一直是客户不满的一大原因。

为了应对这些挑战，ADI公司开发出了新型开关来取代存储器晶圆探针电源应用中的PhotoMOS。ADI开关不仅导通速度非常快，而且同样具备低CxR特性，可以确保高效切换。此外还具有良好的扩展性，能够改善测试的并行处理能力，使ATE能够处理更大规模、速度更快的测试任务。如今AI应用对高效和高性能内存测试的需求日益增长，为此，ATE公司正积极寻求更优的解决方案。在这种背景下，ADI开关凭借一系列出色特性，成为了PhotoMOS的有力替代方案。

应用原理图

在ATE设置中，开关扮演着非常重要的角色。开关能够将多个被测器件(DUT)连接到同一个测量仪器（例如参数测量单元PMU），或者将它们从测量仪器上断开，以便执行测试流程。具体来说，开关使得PMU能够高效地向不同DUT施加特定电压，并检测这些DUT反馈的电流。开关能够简化测试流程，在需要同时或依次测试多个DUT的情况下，这种作用更加突出。通过使用开关，我们可以将PMU的电压分配到多个DUT，并检测其电流，这不仅提高了测试效率，还大幅减少了每次测试之间重新配置测试装置的麻烦。

图1.PMU开关应用

图2.PhotoMOS和CMOS开关架构

图1展示了如何利用开关轻松构建矩阵配置，使得一个PMU就能评估多个DUT。这种配置减少了对多个PMU的需求，并简化了布线，从而显著提高了ATE系统的灵活性和可扩展性，对于大批量或多器件的测试环境至关重要。

开关架构

为便于理解评估研究（即利用开发的硬件评估板对PhotoMOS开关和CMOS开关进行比较）以及研究得出的结果，有必要对PhotoMOS开关和CMOS开关进行比较。从二者的开关架构开始比较更易于看出差别。

CMOS开关和PhotoMOS开关的架构不同，图2显示了开关断开时的关断电容(C_OFF)。该寄生电容位于输入源极引脚和输出引脚之间。

对于PhotoMOS开关，C_OFF位于漏极输出引脚之间。此外，PhotoMOS开关具有输入到输出电容（也称为漏极电容），同时在其用于导通和关断输出MOSFET的发光二极管(LED)级也存在输入电容。

对于CMOS开关，C_OFF位于源极和漏极引脚之间。除了C_OFF之外，CMOS开关还有漏极对地电容(CD)和源极对地电容(CS)。这些对地电容也是客户在使用CMOS开关时经常抱怨的问题。

当任一开关使能时，输入信号便可传输至输出端，此时源极和漏极引脚之间存在导通电阻(R_ON)。通过了解这些架构细节，我们可以更轻松地分析评估研究中的电容、R_ON和开关行为等性能指标，确保为特定应用选择正确的开关类型。

开关规格和附加值

为了更好地对开关进行定性和定量评估，应该考察其在系统设计应用中带来的附加值。如上所述，对于图1所示应用，ADG1412是理想选择，可以轻松替代PhotoMOS开关。这款CMOS开关是四通道单刀单掷(SPST)器件，拥有出色的特性，包括高功率处理能力、快速响应时间、低导通电阻和低漏电流等。设计人员可以通过比较表1列出的重要指标，评估CMOS开关性能并打分，从而量化其相对于其他替代方案的优势。这有助于更深入地了解器件的信号切换效率，对于复杂或敏感的电子系统非常有帮助。

表1.开关规格

* CD(OFF)会影响CxR乘积性能

关断隔离：开关断开时的电容

两种开关的关断隔离曲线（图3）表明，输入信号受到高度抑制（100 kHz时为-80 dB），未到达输出端。随着频率提高，PhotoMOS的性能开始略高一筹，二者相差-10 dB。对于图1所示的开关应用（直流(DC)切换），开关电容并不重要，重要的开关参数是低漏电流、高导通速度和低插入损耗。

图3.关断隔离曲线

插入损耗：开关导通电阻

低R_ON的开关至关重要。I*R电压降会限制系统性能。各器件之间以及温度变化引起的R_ON波动越小，测量误差就越小。图4中的插入损耗曲线显示，在100 kHz频率下，PhotoMOS开关的插入损耗为-0.8 dB，而CMOS开关的插入损耗仅为-0.3 dB。这进一步证实了CMOS开关具有较低的R_ON (1.5 Ω)。

图4.插入损耗曲线

图5.开关导通时间

开关导通时间

当驱动使能/逻辑电压施加到任一开关上，使其闭合并将输入信号传递到输出端时，如果使用的是PhotoMOS开关，则会存在明显的延迟（如图5所示）。这种较慢的导通速度由于LED输入级的输入电容，以及内部电路将电流转换为驱动MOSFET栅极所需电压的过程中产生的延迟造成的。导通速度慢一直是客户不满的主要原因，而且会影响系统整体应用的速度和性能。相比之下，CMOS开关的导通速度(100 ns)是PhotoMOS开关(200,000 ns)的2000倍(×2000)，更能满足系统应用所需。

设计迁移：PhotoMOS替换为ADG1412开关

如果系统中使用的是PhotoMOS开关，并且遇到了测量精度不高、导通速度慢导致系统资源占用过多，以及难以提高通道密度等问题，那么升级到采用CMOS开关的方案将使开发变得非常简单。图6显示了PhotoMOS开关与CMOS开关的连接点对应关系。因此，系统设计可以利用CMOS开关，以更低的成本实现更高的通道密度。

图6.开关连接点

ADI开关可提高通道密度

表2列出了一些能够提高通道密度的ADI开关示例。这些开关具有与ADG1412类似的性能优势，导通电阻更低（低至0.5 Ω），而且成本比PhotoMOS开关还低。这些开关提供串行外设接口(SPI)和并行接口，方便与控制处理器连接。

表2.能够提高通道密度的ADI开关示例

结论

本文着重说明了CMOS开关的潜力。在ATE应用中，ADG1412可以很好地取代PhotoMOS开关。比较表明，CMOS开关的性能达到甚至超过了预期，尤其是在对开关电容或漏极电容要求不高的场合。此外，CMOS开关还拥有显著的优势，例如更高的通道密度和更低的成本。

ADI公司的CMOS开关产品系列非常丰富，不仅提供导通电阻更低的型号，还支持并行和SPI两种控制接口，从而更加有力地支持了在ATE系统中使用CMOS开关的方案。

欲了解所提供开关的更多信息，请访问以下链接。

模拟开关与多路复用器产品选型表

模拟开关与多路转换器—备忘单文档

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司，致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁，以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案，推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展，应对气候变化挑战，并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2024财年收入超过90亿美元，全球员工约2.4万人。ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息，请访问www.analog.com/cn。

作者简介

Edwin Omoruyi是ADI爱尔兰公司仪器仪表事业部的高级产品应用工程师。2007年，他毕业于利默里克理工学院，获得电子系统工程学士荣誉学位。2010年，他毕业于利默里克大学，获得超大规模集成电路(VLSI)硕士荣誉学位。2010年至2018年，Edwin担任ADI公司汽车和座舱电子事业部的应用工程师，之后于2023年，他再次加入ADI公司。除了在ADI公司的工作经历之外，他还曾在汽车和制造行业担任系统架构师，负责AD/ADAS传感应用开发。