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以高性能GaN器件应对能源管理挑战

隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司(以下简称“博世创投”)已完成对广东致能科技有限公司(以下简称“致能科技”)的Pre-A轮投资。致能科技总部位于广州,是国内领先的氮化镓IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。凭借其在氮化镓器件领域的丰富经验和创新技术,致能科技致力于研发新一代氮化镓功率器件,在现有基础上全面提升氮化镓工作电压、导电能力、开关频率等关键性能参数,助力实现更高效的功率管理系统。

根据市场研究机构Yole Développement最新报告,全球功率半导体市场预计将由2020年的175亿美元增长至2026年的262亿美元,未来5年年均复合增长率达到7%。全球碳中和的共识带来了绿色能源管理、新能源汽车、可再生能源等领域的更高需求,而氮化镓芯片正是实现上述目标的关键技术。

“中国是全球最大的同时也是增长最快的功率半导体市场,氮化镓则是实现下一代功率系统进而实现碳中和的关键技术之一。凭借着工艺和器件结构的创新,致能科技将更加充分的发挥出氮化镓在功率领域的技术潜力,”博世创投投资合伙人及中国区业务负责人孙晓光表示,“对致能科技的投资将进一步丰富我们在第三代半导体领域的布局。”

氮化镓材料的BFOM(Baliga Figure of Merit,系用于评价功率半导体材料综合性能的最常用指标之一)参数分别达到硅材料的2400倍、碳化硅材料的5倍。由于其优异的材料性能以及制造工艺上的长足进步,氮化镓功率器件近年来正在快速进入快充、电源、IDC(Internet Data Center)等市场。尽管如此,由于器件结构的限制,氮化镓材料的优势仍远未得到充分发挥,基于氮化镓材料的功率器件性能仍有巨大的提升空间。致能科技在氮化镓设备、工艺、器件以及系统设计等各领域拥有全栈式的技术积累。凭借其在工艺及器件的底层创新,致能科技将进一步加速氮化镓的市场渗透,并逐渐将其应用领域扩展至汽车及工业市场。博世创投将与其它股东一起,共同为致能科技团队持续提供有力支持,助力中国第三代半导体产业发展。

关于致能

广东致能科技有限公司成立于2018年,公司瞄准目前氮化镓功率器件性能及可靠性短板,针对器件展开底层创新。目前公司已布局面向全功率段的新一代氮化镓功率器件核心技术及专利,在成本、性能及可靠性方面展现出巨大潜力。公司创始人从事GaN研究及产业化15年以上。其带领的致能科技团队整合了GaN功率器件设计、工艺及封装相关经验创新人才,建立了覆盖前道及封装的完整能力,是行业内为数不多的兼具研发及量产持续创新能力的创业团队。

关于博世创业投资有限公司

隶属于全球领先的技术与服务供应商博世集团,博世创业投资有限公司(博世创投)作为技术投资者,在全球范围内寻找处于各个发展阶段的创新型初创企业,主要集中在与博世目前及未来业务相关的领域,如自动化和电气化、能源效率、赋能技术和医疗系统,以及这些领域相关的服务和商业模式。此外,博世创投还通过“开放博世(Open Bosch)”项目实现博世与初创企业的共同创新。

有关博世创投的更多信息,请访问:www.rbvc.com

博世集团是世界领先的技术及服务供应商。博世集团近402600名员工(截至20211231日)。在2021财政年度创造了787亿欧元的销售业绩。博世业务划分为4个业务领域,涵盖汽车与智能交通技术、工业技术、消费品以及能源与建筑技术领域。作为全球领先的物联网供应商,博世为智能家居、工业4.0和互联交通提供创新的解决方案,旨在打造可持续、安全和轻松的未来出行愿景。博世运用其在传感器技术、软件和服务领域的专知,以及自身的云平台,为客户提供整合式跨领域的互联解决方案。利用带有人工智能(AI)功能或在开发和生产过程中运用人工智能技术的产品和解决方案,推进互联生活。通过产品和服务,博世为人们提供创新有益的解决方案,从而提高他们的生活质量。凭借其创新科技,博世在世界范围内践行科技成就生活之美的承诺。集团包括罗伯特博世有限公司及其遍布约60个国家的440家分公司和区域性公司。如果将其销售和服务伙伴计算在内,博世的业务几乎遍及全世界每一个国家。博世集团于2020年第一季度在全球400多个业务所在地实现了碳中和。博世的长远健康发展建立在不断创新的基础上。博世的研发网络拥有约76100名研发人员,包括38000多名软件工程师,遍布全球128个国家和地区。

公司是由罗伯特博世(1861-1942)于1886年在斯图加特创立,当时名为精密机械和电气工程车间。博世集团独特的所有权形式保证了其财务独立和企业发展的自主性,使集团能够进行长期战略规划和前瞻性投资以确保其未来发展。慈善性质的罗伯特博世基金会拥有罗伯特博世有限公司94%的股权,其余股份则分属于罗伯特博世有限公司和博世家族拥有的公司。多数投票权由罗伯特博世工业信托公司负责。该信托公司也行使企业所有权职能。

有关博世的更多信息,请访问:www.bosch.com, www.iot.bosch.com,
www.bosch-press.com, www.twitter.com/BoschPresse.

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-Wolfspeed 计划提升材料产能超10

-碳化硅材料制造工厂将位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County),战略毗邻现有的达勒姆(Durham)材料工厂

-公司将与北卡罗来纳农业与理工州立大学(NC A&T)拓展合作,培养新一代碳化硅人才

全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,将投入数十亿美元在北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅(SiC)材料制造工厂。这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍,支持公司长期增长战略,加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用,开启能源效率新时代。

Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示:“Wolfspeed 作为行业引领者,供应先进碳化硅材料,以满足对于新一代半导体日益增长的需求,并致力于开创更可持续的未来。对于我们产品的需求持续快速增长,而且整个产业目前也继续受限于有限的供应。扩大我们的材料生产,将进一步加强我们的市场领先地位,并使得我们更好地服务客户,满足不断增长的需求。此外,我们在北卡罗来纳州不仅要扩大 Wolfspeed 工厂,我们还将与北卡罗来纳农业与理工州立大学开展合作,为我们人才库培养输送更多优秀人才。”

这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍,这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多,也将最终有助于降低器件成本。这些晶圆将用于供应 Wolfspeed 莫霍克谷工厂(Mohawk Valley Fab)这座于今年早些时候开业的全球首家、最大且唯一的全自动化 200mm 碳化硅制造工厂。

1.jpg

Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)碳化硅材料制造工厂的渲染图

该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成,成本预计 13 亿美元。在 2024 年至这个十年结束之前,公司还将根据需求扩大额外产能,预计最终占地面积 445 英亩,建成超过 100 万平方英尺的工厂。

北卡罗来纳州州长 Roy Cooper 表示:“Wolfspeed 的选择进一步证明了北卡罗来纳州将清洁能源作为发展重点。这是我们朝着清洁能源经济发展的又一里程碑。它将促进电动汽车制造与海上风电发展,同时为抗击气候变化做出贡献。”

英文原稿,敬请访问:

https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-selects-north-carolina-for-worlds-largest-silicon-carbide-materials-facility/

关于Wolfspeed

Wolfspeed(NYSE: WOLF)引领碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术在全球市场的采用。我们为高效能源节约和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed 产品家族包括了 SiC 材料、功率开关器件、射频器件,针对电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种应用。我们通过勤勉工作、合作以及对于创新的热情,开启更多可能。了解更多详情,敬请访问 www.wolfspeed.com

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CMOS 图像传感器公司豪威科技(OmniVision)近日宣布推出 OV08X这是业内首款像素尺寸为 0.7-micron,在 1/5.7 英寸光学尺寸下实现 4K 视频拍摄的 920 万像素 CMOS 传感器。

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OV08X 可适配多种 16:10 (1920x1200) 纵横比显示器,且在垂直长度(y轴)上仅占用 4 毫米。是笔记本电脑市场上首款集成了四单元滤色片阵列和片上硬件拼图的图像传感器,可实时提供高质量的 920 万 Bayer(Bayer 格式指的是大多数彩色图像传感器在每个像素点位置只感应RGB 三通道中一个通道的颜色,用于节约制造成本)输出。

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豪威科技产品营销经理阿基姆·陈表示:“用户不再需要依赖外部网络摄像头来进行高质量视频通话。OMNIVISION 的 OV08X 图像传感器让高端和旗舰笔记本电脑设计师能够使用高分辨率 4K 摄像头打造最薄的设备。我们还通过新的 OV08X 满足了许多在家工作和学习的用户需求,包括自动取景、人体存在检测和高动态范围 (HDR) 图像捕捉”。

OV08X 图像传感器现已出样,将于 2022 年 12 月量产。

来源:cnBeta.COM

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虚拟初赛将于今年10月开始

IPC连续第二年举办IPC设计大赛,邀请印刷电路板设计者参与竞争,以成为2023年IPC设计冠军。IPC设计竞赛由两场比赛组成--虚拟初赛和2023年1月24日在加州圣地亚哥的IPC APEX EXPO举行的三位顶尖选手的现场布局决赛。

"设计标准和相关行业项目经理Patrick Crawford说:"今年,我们将以更先进的设计、决赛选手的旅行津贴和现金奖励来提升比赛的水平。"任何对电路板设计感兴趣的人都可以报名,但我们建议业余爱好者和专业人士都有几年的电路板设计经验,熟悉并有能力执行IPC标准要求。克劳福德补充说:"使用ECAD工具是参加初赛的必要条件。

初赛将于2022年10月17日至11月18日举行,允许设计者使用他们喜欢的工具在25天内完成整个电路板的制作。参赛者只需提供一张原理图、一份BOM(物料清单)和一份工作范围文件,他们将负责交回一个已完成设计的Gerber文件包,并根据他们对IPC标准和一般DFX(卓越设计)原则的解释和设计的实施进行评判。三名决赛选手将被邀请参加2023年IPC APEX EXPO的四小时布局决赛。在决赛中,参赛者将得到一个部分完整的Altium设计项目文件,并有四个小时的时间来完成布局,包括设计规则规范、布线和元件放置。

IPC设计大赛的报名是免费的,截止日期为2022年10月13日。欲了解更多信息,包括资格要求、初赛和决赛信息以及报名表,请访问 www.ipc.org/standards-ipc-design/ipc-design-competition-2023.

关于IPC

IPC(www.IPC.org)是一个全球性的行业协会,总部设在美国伊利诺伊州班诺克本,致力于为代表电子行业所有方面的3000多家会员公司提供竞争优势和财务成功,包括设计、印刷电路板制造、电子组装和测试。作为一个成员驱动的组织和行业标准、培训、市场研究和公共政策倡导的主要来源,IPC支持各种计划以满足估计2万亿美元的全球电子行业的需求。

通过www.DeepL.com/Translator(免费版)翻译

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摘要:                                    

半导体封装技术总体上可以分为两大类: (1) Wire Bonding 引线键合工艺,(2) Non-Wire Bonding 非键合工艺,如FC、Clip bond等封装技术。据相关数据统计,使用引线键合这种传统封装工艺的器件仍占据近70%的出货量。虽然近些年来以WLCSP为代表的先进封装技术发展迅速,但传统的封装工艺不会被完全淘汰,两者会长期共存发展。

谈到半导体封装就不得不提到其重要的封装材料—键合线。目前市场上的键合线根据材质分为几大类:金、银、铜、镀钯铜、铝等这几类线材已得到了广泛应用,这里就不过多赘述,我们就谈谈最新一代的键合线产品—镀金银线

1键合线市场信息:

由于黄金具有出色的抗氧化、抗腐蚀能力,及良好的电特性等优点, 被广泛的用于半导体封装中,早期的封装工艺使用的键合线只有金线。但随着黄金价格的不断攀升,在单颗器件中,金线的成本仅次于基板位居第二位(芯片外),成为封装厂降低成本的主要目标。此时,铜线、镀钯铜线、银合金线等低成本的材料先后被推向市场,在各的应用领域占据一定市场份额。

下图为不同键合线的市场用量分析和预测:                                              

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2为何是镀金银线?

目前金线的主要应用领域为存储器、高可靠性汽车电子、高端LED、摄像头模组、军工、航空等,这些领域里的产品由于其产品特点决定了不适合使用铜线、银合金线等低成本线材。

为何不能用铜线?由于铜线的硬度比金线高了约25%左右,在一些Pad铝层较薄的产品中,如存储器中Nand Flash有的薄至0.5um,如果打铜线很容易出现Pad Peeling、Crack等问题。相反,有部分产品Pad 铝层较厚,甚至达到4um以上,如果Pad焊点开窗较小,铝层飞溅将是铜线键合的主要挑战。

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图1.铜与金对比,数据来源:贺利氏电子

为何不能用银合金线?由于银离子相对比较活跃,尤其在一些高湿的环境中,会产生银离子迁移的情况。同时,在有电流通过的情况下,银离子迁移速率会提高。银离子迁移会导致两个Pad之间短路,最终导致产品失效,尤其是在一些小间距产品上的挑战很大。此外,银容易与硫反应生成硫化银,从而产生可靠性问题。

通常我们在纯银里会参杂一些微量元素以改善上述性能,金(Au)、钯(Pd)常常被选为主要参杂元素。钯会形成氧化钯层从而抑制银离子析出的速度,金会减少自由的银离子的数量从而减少银离子迁移。

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图2. PdO 层抑制银离子析出,

图片来源: Kim Vu, Silver Migration – The Mechanism and Effects on Thick-Film Conductors, Material Science Engineering 234 – Spring 2003.

以下是不同纯度的银合金线的银迁移速率的对比。虽然合金会延缓银离子迁移速率,但在一些高湿度的可靠性测试中,银合金线表现出的可靠性还是比金线要差。所以,银合金线通常会在一些低可靠性要求的产品中才有应用。

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图3.银离子迁移实验,数据来源:贺利氏电子

针对以上铜线、银合金线产品的不足之处,镀金银线被认为是目前这部分金线产品理想的替代品。它具体有哪些优势呢,下面会详细介绍一下。

3 镀金银线的特点:

在介绍产品特性前,先了解一下它的加工过程。顾名思义,镀金银线是在银外面电镀一层金,以下是镀金银线简单的生产工艺流程图:

2.png

图4. 镀金银线工艺流程图               

核心材料为Ag加入少量Pd,Pd的添加可有效延缓IMC的生长,从而提高了高温存储的可靠性。

3.png

图5. 反应机理示意图 

为何选择Au作为镀层材料?众所周知,金具有非常出色的抗氧化、抗腐蚀的特性,并与很多材料都有着良好的结合效果。因此,电镀一层金,对里面的银起到了很好的保护作用,从而提升了银线的抗硫化和抗腐蚀能力,也改善了银离子迁移的问题,提高了可靠性。

但是,由于Au与Ag 的材料属性决定了它们之间易融合从而相互扩散形成固容体,影响Au的表面覆盖率。所以,提高Au在Ag表面的覆盖率对于此类镀金银线的可靠性尤为重要。为了解决这个问题,通常会在Au与Ag之间加入阻碍层以延缓Au扩散到Ag内部。

4.png

图6. Au &Ag 材料属性对比,数据来源:贺利氏电子

FAB抗氯离子腐蚀对比实验结果表明,与银合金线相比,镀金银线有着非常出色的抗氯离子腐蚀的性能,这是因为FAB表面Au包覆性非常好。为何会有如此好的包覆性?这也是得益于阻碍层起到了作用,减少了Au向融化后的银球里扩散。另外,电镀时特殊的添加物会使Au 具有良好的表面张力及润湿性,在FAB 形成时会更多的Au流下来覆盖FAB。

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图7. FAB抗氯腐蚀实验

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图8. FAB表面 Au 覆盖

在FAB形成时,除金线外其它材料都需要惰性气体进行保护,从而对设备提出了更高的要求。但实验结果显示,镀金银线加了保护气后FAB反而会变差,这是由于气体破坏了Au Flow的流动,使Au 分布变差,所以,这款镀金银线的键合工艺无需保护气体,真正实现了Gas Free,降低了对设备的要求。   

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图9. FAB有/无保护气体对比

第一焊点与金线进行对比,球形很圆,特别适合小焊盘产品的使用;但由于镀金银线硬度会略高于金线,所以,在铝飞溅控制方面会略逊色于金线。

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9.png

图10. 第一焊点球形对比

第二焊点与金线及其它银合金线进行对比,拉力值无显著差异;第二焊点参数窗口与金线基本重合,明显大于银合金线。

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图11. 第二焊点拉力值对比

11.png

图12. 第二焊点参数窗口对比

可靠性测试,镀金银线在bHAST 196h,高低温循环2000次后,第一焊点切片结果显示Au层的覆盖没有被破坏,仍能起到很好的保护作用,另外,在高温存储3000小时后没有发现明显的柯肯达尔空洞现象。

12.png

图13. EDS-Mapping图片

13.png

图14. 高温存储后切片照片

14.png

图15. 量产中的产品可靠性数据

以下是镀金银线与金线、银合金及铜线的对比。这里汇总了一些关键的性能指标,包括导电阻率与4N金线相当,FAB硬度远低于铜线,打开真空包装后的使用寿命是60天等。

15.png

4镀金银线的主要推广领域

做为贺利氏全球首推,第一款用于高端产品应用的镀金银线 AgCoatPrime1.png,目前在存储器市场-NAND /NOR Flash、智能卡等市场已经有不少客户在量产使用。另外,在LED市场的室内/户外照明、摄像头、射频器件等消费类电子中的应用也在积极推广中。贺利氏依托其在键合线领域近50年的技术积淀,提供具有高可靠性和性价比的创新产品,与客户一同推动半导体封装技术的不断进步。

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Teledyne e2v 宣布发布其 2百万像素Optimom,这是 MIPI CSI-2 光学模组系列中的第一款产品。Optimom 采用 Teledyne e2v 专有图像传感器技术,经过精心设计,确保最小化视觉嵌入式系统开发的工作量,快速投入机器人、物流、无人机或实验室设备的应用。

微信图片_20220913140154.png

Optimom 2M 具有 MIPI CSI-2 协议和标准 FPC 连接器,可与嵌入式处理板连接。使用专用开发工具包 (Development Kit) 可即刻实现集成,该工具包包括用于硬件集成的适配器板和用于直接与 NVIDIA Jetson 或 NXP i.MX 解决方案进行软件集成的 Linux 驱动程序。

这些光学模组采用相同的紧凑型 25  毫米正方形造型,可实现单一机械设计,甚至可以安装到高度受限的机械系统中。为了满足不同应用的需求,Optimom 2M 可以针对多种场景进行定制,提供两种颜色选择(单色或 RGB)和三种镜头选择(多焦镜头、定焦镜头或无镜头)。已对所提供的镜头进行了安装和聚焦,免除了镜头选择和组装的繁琐任务。

所有 Optimom 2M 型号均由 Teledyne e2v 专有的 2百万像素、低噪声、全局快门图像传感器提供支持,可提供快速移动物体的清晰图像。Optimom 2M 的多焦点版本通过利用创新的焦点调节技术将宽工作距离和宽光圈结合在一个解决方案中。

Teledyne e2v 的产品营销经理 Marie-Charlotte Leclerc 说:“产品生命周期的加速和视觉用例的增加使当今的视觉系统制造商别无选择,只能在新开发上投入更少的时间和金钱,同时还要专注于它们的附加值。凭借我们的核心成像专业知识和在定制解决方案方面的长期经验,Optimom 2M 旨在通过一种可针对任何项目进行微调的即用成像解决方案来解决这一挑战。”

Optimom 2M 将于 10 月 4 日至 6 日在 VISION Stuttgart 进行现场演示。请访问我们的 Teledyne 展位 8 B10 了解更多信息。如需专门的展示或进行机密讨论,请在线或使用您常用的联系方式联系我们。

现在可根据要求提供文档、样品和评估工具包。

关于 Teledyne e2v

Teledyne e2v 的创新引领着医疗保健、生命科学、太空、交通运输、国防和安全以及工业市场的发展。Teledyne e2v 的独特方法包括了解客户的市场和应用挑战,并与他们合作提供创新的标准、半定制或完全定制的成像解决方案,为他们的系统带来更多价值。如需更多信息,请访问 imaging.teledyne-e2v.com

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600 V 1200 V器件,提高汽车、太阳能和UPS应用效率

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出15款采用SOT-227小型封装的新型FRED Pt® 第五代600 V 和 1200 V Hyperfast和Ultrafast恢复整流器。Vishay Semiconductors整流器导通和开关损耗在同类器件中达到先进水平,提高高频逆变器和软开关或谐振电路的效率。

1.jpg

日前发布的器件可与MOSFET或高速IGBT配合使用,适用于PFC、电动(EV)/ 混合动力汽车(HEV)电池充电站输出整流级、太阳能逆变器增压级和UPS。这些应用环境下,整流器导通损耗低于前代器件,同时反向恢复损耗低。此外,SOT-227封装的半导体器件与铜基板绝缘,便于搭建通用散热器和小型总成。

30A / 600 V器件采用单相桥式配置,60 A - 300 A / 600 V - 1200 V 器件采用双二极管配置。整流器有X型Hyperfast和H型Ultrafast两种速度类型。H型整流器的优点是导通损耗低,X型整流器的优势在于恢复速度快。器件工作温度达+175 °C。

器件规格表

产品编号

配置

VR   (V)

VFM   (V)

IFAV   (A)

trr   (ns) 典型值

Qrr   (nC) 典型值

速度类型

RthJC   (°C/W) 最大值

VS-U5FH30BA60

单相桥

600

1.6

30

57

3002

H

1.39

VS-U5FH60FA60

双二极管

600

1.37

301

61

4002

H

0.95

VS-U5FH120FA60

双二极管

600

1.36

601

67

6002

H

0.7

VS-U5FH150FA60

双二极管

600

1.34

751

70

6004

H

0.54

VS-U5FH300FA60

双二极管

600

1.36

1501

76

9005

H

0.35

VS-U5FH60FA120

双二极管

1200

2.08

301

54

13006

H

1.1

VS-U5FH120FA120

双二极管

1200

1.99

601

71

23007

H

0.69

VS-U5FH240FA120

双二极管

1200

1.99

1201

98

34008

H

0.38

VS-U5FX60FA60

双二极管

600

1.6

301

57

3002

X

0.95

VS-U5FX120FA60

双二极管

600

1.6

601

63

4003

X

0.7

VS-U5FX150FA60

双二极管

600

1.6

751

65

3604

X

0.54

VS-U5FX300FA60

双二极管

600

1.6

1501

72

4005

X

0.35

VS-U5FX60FA120

双二极管

1200

2.91

301

41

8006

X

1.1

VS-U5FX120FA120

双二极管

1200

2.75

601

46

12007

X

0.69

VS-U5FX240FA120

双二极管

1200

2.8

1201

60

16008

X

0.38

1 每二极管

2 IF = 30 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 400 V, TJ = 25 °C

3 IF = 60 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 400 V, TJ = 25 °C

4 IF = 75 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 400 V, TJ = 25 °C

5 IF = 150 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 400 V, TJ = 25 °C

6 IF = 30 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 800 V, TJ = 25 °C

7 IF = 60 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 800 V, TJ = 25 °C

8 IF = 120 A, dIF/dt = 1000 A/μs, VR = 800 V, TJ = 25 °C

新型FRED Pt整流器现可提供样品。量产供货周期为26周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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支持PCIe Gen4 ×16VectorPath®加速卡获得CEM插卡认证

加利福尼亚州圣克拉拉市,2022912——高性能现场可编程逻辑门阵列(FPGA)和嵌入式FPGAeFPGA)半导体知识产权(IP)领域的领导性企业Achronix半导体公司今日宣布:其搭载Speedster®7t FPGA器件的VectorPath加速卡通过PCI-SIG认证添加到支持PCIe Gen4 x16CEM插卡集成商列表中。VectorPath S7t-VG6加速卡设计旨在为人工智能(AI)、机器学习(ML)、网络和数据中心应用开发高性能计算和加速功能,同时缩短上市时间。VectorPath加速卡现已上市,可实现即刻下单即刻发货。

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VectorPath加速卡是AchronixMolex旗下公司BittWare联合开发的,其主要功能包括:

  • 搭载了具有692K6输入查找表(LUTSpeedster7t AC7t1500 FPGA器件

  • 支持400 GbE200 GbEQSFP-DDQSFP56光模块

  • 高达16 GBGDDR6存储器共有8组,每组有两个独立的16-bit通道

  • 一组带ECCDDR4-2666(最高可达4GB

AchronixBittWare的重要战略合作伙伴。Speedster7t FPGA具有创新的架构,在高性能FPGA细分市场中提供了显著的差异化优势,”BittWare销售和营销副总裁Craig Petrie说道。“获得PCI-SIG认证可以让设计人员确信,他们现在可以在基于PCIe Gen4的系统中使用VectorPath加速卡。”

VectorPath加速卡中使用了Speedster7t AC7t1500 FPGA器件,它被打造成为帮助用户以最高性能克服数据加速挑战。该FPGA器件被设计为具有最高带宽的I/O和存储接口,在FPGA行业内率先使用二维片上网络(2D NoC)来实现无缝连接。它集成了支持400G以太网、PCIe Gen5112G SerDes的高速外部接口,是高性能网络和计算应用的理想选择。此外,Speedster7t FPGA支持高带宽GDDR6存储接口,提供超过4 Tbps的存储带宽,是唯一可支持低成本GDDR6存储器的FPGA系列产品。

为了提供高性能的计算能力,Spedster7t FPGA包括机器学习处理器(MLP),旨在应对充满挑战性的人工智能/机器学习(AI/ML)工作负载。这些工作负载需要高速数学计算能力,支持各种数字格式,以及用于系数存储的紧耦合本地存储器,所有这些都包含在MLP中。MLP为设计人员提供了高达61 TOPS(每秒万亿次操作)的计算能力,由于Speedster7t FPGA具有高效的架构,这些计算能力可以得到充分利用。

Achronix市场营销副总裁Steve Mensor表示:“作为唯一一家可同时提供高性能FPGA器件和eFPGA IP的独立供应商,AchronixVectorPath加速卡为客户提供了一种使用Achronix Speedster7t FPGA进行评估和导入量产的简便方法。通过PCI-SIG认证是一个重要的里程碑,它验证了我们的技术,让客户相信我们的FPGA技术可以用于他们的量产应用中。”

供货

VectorPath加速卡现已批量供货。可直接从Achronix半导体公司购买。联系AchronixSales Contacts | Achronix Semiconductor Corporation,可即刻购买该加速卡。

关于Achronix半导体公司

Achronix半导体公司是一家总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉市的无晶圆厂半导体公司,提供基于FPGA的高端数据加速解决方案,旨在满足高性能、计算密集型和实时处理应用的需求。Achronix是唯一一家同时提供高性能和高密度的独立FPGA产品和可授权的eFPGA IP解决方案的供应商。Achronix Speedster®7t系列FPGASpeedcore™ eFPGA IP产品通过面向人工智能、机器学习、网络和数据中心应用的即用型VectorPath®加速卡得到进一步增强。所有的Achronix产品都由Achronix工具套件完全支持,使客户能够快速开发自己的定制应用。

Achronix的业务遍及全球,并在美国、欧洲和亚洲设有销售和设计团队。如需了解更多信息,请访问www.achronix.com

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VIAVI是唯一一家与全球所有七家OTIC均开展合作的测试和测量公司

VIAVI SolutionsVIAVI)(纳斯达克股票代码:VIAV)近日宣布,CableLabs®子公司Kyrio®选择了VIAVI来参与其位于美国科罗拉多州的O-RAN测试和集成实验室。VIAVI目前是唯一一家与全球所有七家由O-RAN联盟批准的开放测试和集成中心OTIC)均开展合作的测试和测量公司。此外,VIAVI和罗德与施瓦茨通过其针对O-RAN无线单元(O-RU)一致性测试的联合解决方案,为多家OTIC提供了支持,近期还助力中国台湾地区的Auray OTIC为国际市场颁发O-RAN一致性认证。

OTIC提供协作、开放且公正的工作环境,确保设备和功能均符合O-RAN规范。Kyrio的设施是O-RAN联盟在美洲批准的首家、也是唯一一家OTIC。近期,Kyrio母公司CableLabs还被美国国家电信和信息管理局(NTIA)选为5G挑战赛的主办方,该挑战赛主要面向业界,旨在测量O-RAN供应商是否符合O-RAN标准。

在该实验室内,Kyrio将为致力于开展O-RAN标准一致性测试和认证,验证互操作性,以及测量性能指标的供应商和运营商提供支持。为此,他们将提供一套仿真的VIAVI 5G测试系统、两个独立5G核心和两个虚拟化无线接入网络(vRAN)。此外,该实验室可通过10Gb/s接口来仿真多达128UE128个连接。5G核心可支持多达10,000个订户和连接。O-RAN无线单元(O-RU)的一致性测试是通过VIAVI和罗德与施瓦茨的集成解决方案实现的。

Kyrio O-RAN测试和集成实验室是O-RAN联盟的第七座实验室,该联盟在欧洲已有四座,在亚太地区有两座实验室。得益于VIAVIO-RAN测试能力方面的广度和深度,以及在全球O-RAN社区中的佳誉,VIAVI的身影已遍布所有七家OTIC

针对O-RAN网络的实验室验证、外场部署和服务保障,VIAVI可提供市场上最全面的测试套件。凭借为全球运营商和制造商验证网络产品的丰富经验,VIAVI支持在本地、云端或以即服务形式进行测试。

Kyrio工程和运营副总裁Jason Lauer表示:我们很感谢VIAVI能参与到KyrioO-RAN测试和集成实验室中,也为能够成为美洲地区运营的唯一一家OTIC而感到自豪。我们可为全球供应商和运营商提供测试、验证和认证其基于O-RAN的网络设备的途径。来自VIAVI的支持和技术是其中的关键组成部分,在他们的参与下,我们期待着在全球市场内扩展符合O-RAN标准的硬件生态系统。

VIAVI和罗德与施瓦茨还支持了中国台湾地区的Auray OTIC和安全实验室为国际市场颁发O-RAN一致性认证。富士康的RPQN系列O-RU的认证是根据O-RAN联盟规定的O-RAN特定流程和程序完成的,该O-RU还获得了CE(欧盟)、FCC(美国)、TELEC(日本)和NCC(中国台湾地区)的认证。Auray使用的是一套组合测试平台,包括VIAVI TM500 O-RU测试仪,以及罗德与施瓦茨的R&S SMW200A矢量信号发生器(VSG)、R&S FSW信号与频谱分析仪和矢量信号分析软件(R&S VSE),借助VIAVIO-RU测试管理器作为单点控制,以提供无缝的用户体验。

VIAVI首席技术官办公室、O-RAN联盟测试和集成专题工作组联合主席Ian Wong博士表示:我们正在步入O-RAN发展进程中的关键阶段。随着O-RAN联盟最近宣布的认证和徽章计划,O-RAN社区正在为向外场扩展做准备。VIAVI的身影遍布每一家OTIC,并为认证提供着支持,我们也将对此进程的支持作为自身的一项重要责任,发挥着核心作用。

关于VIAVI

VIAVI(纳斯达克股票代码:VIAV)是全球通信网络测试服务、监控和保障解决方案的供应商,服务运营商、企业、网络设备制造商、民用、政府、军用及航空电子类客户。通过提供自动化、智能化、可视化的仪器,我们帮助客户掌控网络,致胜未来VIAVI也是高性能薄膜光学涂层的领导者,为3D感知、防伪提供轻量化管理解决方案,同时覆盖消费电子、工业、汽车、军工和仪器仪表市场。欲了解更多关于VIAVI的信息,请浏览https://www.viavisolutions.com/zh-cn


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2022年9月13日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美(onsemi)NFAM5065L4B智能功率整合模块(IPM)的4KW 650V工业电机驱动方案。

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图示1-大联大世平基于onsemi产品的4KW 650V工业电机驱动方案的展示板图

近年来,随着科技高速发展以及工业4.0的加速推进,工业市场对于电机的需求与日俱增。根据相关机构调查显示电机的耗电量约为全球电力供应的50%。这在节能减排、实现“双碳”的统一战略目标下,是一项亟待解决的问题。为了提升电机运转效率降低能源损耗,大联大世平基于onsemi产品推出了4KW 650V工业电机驱动方案,该方案可为设计高效率与低功耗的工业电机驱动提供理想选择。

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图示2-大联大世平基于onsemi产品的4KW 650V工业电机驱动方案的场景应用图

本方案采用的NFAM5065L4B智能功率模块为交流感应、直流无刷和永磁同步电机提供了一个功能齐全、高性能的逆变器输出平台。其完全集成的逆变电源模块由一个独立的高侧栅极驱动器、LVIC、6个IGBT和一个温度传感器(VTS或热敏电阻(T))组成。6个IGBT采用三相桥式配置,下段具有独立的发射极连接脚,这种设计在选择控制算法时具有较大的灵活性。并且其内置的高速HVIC仅要求单电源电压,并将进入的逻辑电平门输入转换为高压、大电流驱动信号,以便能正常驱动模块的内置IGBT。

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图示3-大联大世平基于onsemi产品的4KW 650V工业电机驱动方案的方块图

除此之外,本方案还采用了onsemi旗下的DC-DC转换器、辅助电源PWM IC、OPA &LDO等元件,具有电流检测电路和电路保护功能,可加速工程师对于兼具高效率与低功耗的电机驱动器的研发。

核心技术优势

  • NFAM5065L4B智能功率模块(IPM)的逆变器技术:

    NFAM5065L4B IPM模块,是一个完全集成用于三相电机驱动器的功率级,包括六个具有反向二极管、独立高端Hi-Side栅极(Gate)的IGBT驱动器、LVIC和温度传感器(VTS)。三相三臂的IGBT在配置上于下臂具有独立射极(Emitter)连接脚,以利研发工程师设计电流检测电路。

  • 保护功能(Protection Function):

    系统中的保护功能包括:UVP Lock-out欠电压锁死,借由外部比较器(OPA)电路提供21A过电流Over Current保护,研发工程师可以通过外部电阻分压调整过电流保护点,最后通过CIN引脚通知MCU触发保护。

  • 高效率辅助电源及DC-DC 转换器:

    在此开发板中,DC-Link是由外部电源提供,由NCP1063 PWM IC组成高效率辅助电源,提供15Vdc电压给IPM运作。另外运算放大器及过电流保护比较器需要的5Vdc及3.3Vdc电压,则通过FAN8303 DC-DC转换IC及NCP718 LDO提供。

  • 电流检测电路:

    onsemi NCS2250高速比较器及NCS20166高精密低偏移运算放大器配合NCD98011 UCB ADC模数转换模块,提供0.016A/bit的整体分辨率及相电流±16.5A的检测范围。

方案规格:

  • 输入电压:200V-400Vdc(最大可允许410Vdc);

  • 输出功率:1KW(连续操作模式)or 4KW(最长15分钟操作时间)(室温Ta=+25°C);

  • 输出电流:±2.5Arms /1KW(IPM单臂);

  • 效率:95%(1KW),96.2%(4KW)。

如有任何疑问,请登陆【大大通】进行提问,超过七百位技术专家在线实时为您解答。欢迎关注大联大官方微博(@大联大)及大联大微信平台:(公众账号中搜索“大联大”或微信号wpg_holdings加关注)。

关于大联大控股:

大联大控股是全球第一、亚太区最大的半导体元器件分销商*,总部位于台(TSE:3702)旗下拥有世平品佳诠鼎友尚员工人数约5,000人,代理产品供货商超250家,全球80个分销据点,2021年营业额达278.1亿美金大联大开创产业控股平台,专注于国际化营运规模与在地化弹性,长期深耕亚太市场,以「产业首选.通路标杆」为愿景,全面推行「团队、诚信、专业、效能」之核心价值观,连续21年蝉联「优秀国际品牌分销商獎」肯定。面临新制造趋势,大联大致力转型成数据驱动(Data-Driven)企业,建置在线数字化平台─「大大网」,并倡导智能物流服务(LaaS, Logistics as a Service)模式,协助客户共同面对智能制造的挑战。大联大从善念出发、以科技建立信任,期望与产业「拉邦结派」共建大竞合之生态系,并以「专注客户、科技赋能、协同生态、共创时代」十六字心法,积极推动数字化转型。 (*市场排名依Gartner 2022年03月公布数据)

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