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碳化硅
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点,使其成为了替代传统硅(Silicon,Si)材料的重要选择之一。
至信微推出业内领先2000V 25A,75A碳化硅肖特基二极管
至信微推出业内领先2000V 25A,75A碳化硅肖特基二极管(TO-247-2封装),为1500V系统提供高可靠性解决方案。
碳化硅技术赋能EA10000系列电源的技术解析与优势对比
为了减缓气候变化,人类在非化石燃料和可再生能源解决方案方面取得了显著进展,交通领域的电气化进程也在加速推进。这些新兴技术大多对电源提出了更高的要求,尤其是对大功率的需求。
至信微电子推出EASY 2B SMC300HB120E2A1碳化硅功率模块
在电动汽车快充、工业电源及可再生能源等高电压领域,高效、紧凑、可靠的功率模块始终是技术突破的核心。至信微电子正式推出EASY 2B SMC300HB120E2A1碳化硅功率模块,以行业领先的技术规格与创新设计,重新定义高压高频应用的性能标准。
安森美推出基于碳化硅的智能功率模块以降低能耗和整体系统成本
安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模块 (IPM) 有助于实现能效和性能领先行业的更紧凑变频电机驱动
为什么碳化硅Cascode JFET 可以轻松实现硅到碳化硅的过渡
电力电子器件高度依赖于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择,但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。
第 4 代碳化硅技术:重新定义高功率应用的性能和耐久性
本白皮书重点介绍 Wolfspeed 专为高功率电子应用而设计的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。基于在碳化硅创新领域的传承,Wolfspeed 定期推出尖端技术解决方案,重新定义行业基准。
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑:开始交付首批产品
英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅(SiC)晶圆制造技术的SiC产品
英飞凌:30年持续领跑碳化硅技术,成为首选的零碳技术创新伙伴
2024年,全球极端天气频发,成为有气象记录以来最热的一年,飓风、干旱等灾害比往年更加严重。在此背景下,推动社会的绿色低碳转型,提升发展的“绿色含量”已成为广泛共识。
安森美将收购碳化硅 JFET 技术,以增强其针对人工智能数据中心的电源产品组合
收购Qorvo的SiC JFET业务及其子公司United Silicon Carbide,预计将在5年内为安森美带来13亿美元的市场机会
雷诺旗下安培与意法半导体签署碳化硅长期供应协议,合作开发电动汽车电源控制系统
意法半导体与雷诺集团签署长期供货协议,保证安培碳化硅功率模块的供应安全
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