碳化硅

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。
碳化硅赋能浪潮教程：CJFET缓冲电路的设计逻辑
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
英飞凌携手西门子：以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护
英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展
碳化硅赋能浪潮教程：SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅（SiC）的电池备份单元（BBU）参考设计
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出一款 24 kW 电池备份单元（BBU）DC-DC 参考设计。
碳化硅赋能浪潮教程：替代Si和SiC MOSFET的方案
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
英飞凌携手麦田能源，推动贴片式全碳化硅解决方案率先落地
近日，英飞凌科技与麦田能源正式宣布将深化双方合作关系。麦田能源成为首家在太阳能光伏及储能领域采用英飞凌SMD全碳化硅解决方案的合作伙伴，并率先获得“英飞凌赋能（Enabled by Infineon）”标识授权。双方将携手发布创新成果，共同推动创新技术在户用储能领域的应用。
碳化硅赋能浪潮教程：SiC JFET驱动工业与服务器电源革新
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。本文为第一部分，将重点介绍碳化硅如何革新电源设计、工业与服务器电源。
至信微650V 140mΩ碳化硅JFET量产 : 开启高效电源新纪元
继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日再次推出全新量产级碳化硅JFET产品：650V 140mΩ SiC JFET。
AI算力越强，芯片越"烫"？三安光电用碳化硅给先进封装"退烧"
AI算力竞赛正将半导体先进封装推向产业战略制高点。随着芯片功耗与集成度飙升，传统硅基材料在散热环节频频"亮红灯"。国内化合物半导体龙头三安光电，正依托碳化硅、金刚石等宽禁带材料的全链布局，从材料源头切入先进封装，直击高功率芯片的散热痛点。