跳转到主要内容

碳化硅

派恩杰半导体在全球首推PD 快充的碳化硅应用方案

winniewei /

派恩杰推出650V/300mhom SiC MOSFET,可配合现有PWM控制器进行方案设计,并可直接在不更改任何驱动方案情况下取代原有硅功率器件的应用, 派恩杰这款SiC MOSFET可直接以PWM 控制器进行直驱,不需要额外使用门极驱动器。

意法半导体推出第三代碳化硅产品,推动电动汽车和工业应用未来发展

winniewei /

意法半导体推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管,推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。

布局全球,碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体再获数千万Pre-A轮融资

winniewei /

碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体(杭州)有限公司官方消息称,继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资,本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。

应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商加速向200毫米晶圆转型并提升芯片性能和电源效率

winniewei /

应用材料公司宣布推出多项全新产品以帮助世界领先的碳化硅 (以下简称SiC) 芯片制造商从150毫米晶圆量产转向200毫米晶圆量产,使每个晶圆的芯片数产出近乎翻倍,可满足全球对于卓越的电动车动力系统日益增长的需求。