作者：电子创新网张国斌
在今天召开的第六届集成电路设计创新会议暨应用展（ICDIA2026）上，02重大项目总师、中国科学院微电子所研究员、国际欧亚科学院院士叶甜春做了《集成电路器件工艺突破创新》的演讲。
他在演讲透露，2018年，在行业突遭国外激烈打压时，我国进行科工艺专利维权，实施反击，在中美两国8次专利诉讼中获得全胜，最终签订涉及数百项专利的技术许可协议。开创了向集成电路强国收取巨额技术许可费的行业历史。
他指出我国集成电路发展亟需摆脱路径依赖，开辟新赛道，形成产业新生态，实现自主发展并重塑产业体系。路径创新的关键在于变换赛道，即摆脱对传统技术路线的过度依赖，基于我国的资源禀赋和市场需求，探索符合自身特色的技术方向。亟需通过应用、设计、制造跨领域交叉、协同创新，建立基于可实现制程研制高性能芯片的竞争能力。
他透露微电子所从2009年起，在22-14-3纳米技术代后高k金属栅CMOS、FinFET以及更先进的#GAA 器件工艺技术上展开了长期的先导研发。
目前已经取得了一系列的创新成果，建立了系统的自主知识产权保护体系，关键技术在国内外集成电路重要企业的先进制造工艺和关键装备中得到应用，取得了显著的经济和社会效益。
他表示经过多年的研究，我国在集成电路工艺领域的自主知识产权已经确立国际领先地位，在全球前20家#FinFET 专利拥有者中，微电子所专利数量第十一，专利被评价为质量第一。
他表示我国研究的工艺关键技术在全球IC先进制造中大规模应用，国内应用:2020年至今，有力支撑国内龙头企业进入高端工艺量产，提供了专利保护，并可护航至3纳米，10年以上周期，应用前景广阔国际应用:2014年开始，海外主要集成电路制造企业使用本项目大量专利技术，在14/10/8/7/5/3纳米多个技术代的尖端产品中进行大规模量产。
此外，他表示我国在工艺专利侵权反击上取得全面胜利，开创行业历史，2018年，在行业突遭激烈打压时，进行专利维权，实施反击，在中美两国8次专利诉讼中获得全胜，最终签订涉及数百项专利的技术许可协议。开创了向集成电路强国收取巨额技术许可费的行业历史，实现从“付费引进”到”反向输出”的转变。在整体防守的态势下，赢得了局部反击胜利。
他透露目前微电子所在下一代集成电路工艺GAA领域也取得了领先成果，如建立DUV光刻下的堆叠纳米片沟道GAA CMOS集成先导工艺，完成CMOS器件研发通过集成工艺优化，实现了器件开关电流比>5x105为我国3纳米以下先进工艺研发探索了新的MOS晶体管先导工艺路径GAA晶体管中纳米片沟道表面处理技术创新。
在GAA纳米片沟道表面处理上取得重要突破，通过低温O3基自限制氧化的近原子层刻蚀(qALE)获得接近理论极限的SS的GAA晶体管，IEEE EDL期刊封面实现通过qALE修复沟道表面损伤，界面态密度降低96%，器件性能得到提升，获得较小的60.3 mV/dec的SS,接近理论极限(60 mV/dec)
“我国具有优势的若干产业亟需集成电路核心支撑形成自主创新发展能力。防守型的自主可控已见成效，下一步的挑战是如何实现自主发展、自立自强。路径创新的关键在于变换赛道，即摆脱对传统技术路线的过度依赖，基于我国的资源禀赋和市场需求，探索符合自身特色的技术方向。亟需通过应用、设计、制造跨领域交叉、协同创新，建立基于可实现制程研制高性能芯片的竞争能力。”他总结说。
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