碳化硅

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。
派恩杰半导体在全球首推PD 快充的碳化硅应用方案
派恩杰推出650V/300mhom SiC MOSFET，可配合现有PWM控制器进行方案设计，并可直接在不更改任何驱动方案情况下取代原有硅功率器件的应用, 派恩杰这款SiC MOSFET可直接以PWM 控制器进行直驱，不需要额外使用门极驱动器。
意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展
意法半导体推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。
Soitec 携手美尔森，为电动汽车市场开发多晶碳化硅衬底
为电动汽车提供性能及性价比双优的碳化硅解决方案
80亿融资完成！积塔发力碳化硅，提升汽车电子制造产能
11月30日，上海积塔半导体有限公司宣布完成80亿元人民币战略融资。
正海集团与罗姆就成立合资公司达成协议，主营以碳化硅为核心的功率模块业务
正海集团有限公司（以下简称“正海集团”）与ROHM Co., Ltd.（以下简称“罗姆”）签署合资协议，双方将成立一家主营功率模块业务的新公司。
布局全球，碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体再获数千万Pre-A轮融资
碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司官方消息称，继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资，本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。
应用材料公司全新技术助力领先的碳化硅芯片制造商加速向200毫米晶圆转型并提升芯片性能和电源效率
应用材料公司宣布推出多项全新产品以帮助世界领先的碳化硅 (以下简称SiC) 芯片制造商从150毫米晶圆量产转向200毫米晶圆量产，使每个晶圆的芯片数产出近乎翻倍，可满足全球对于卓越的电动车动力系统日益增长的需求。
碳化硅迈入新时代 ，ST 25年研发突破技术挑战
1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。
快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度
众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。
瑞能半导体举行CEO媒体沟通会 凭碳化硅器件跻身行业前列 聚焦新赛道持续研发稳固核心竞争力
近日，瑞能半导体CEO Markus Mosen（以下简称Markus）的媒体沟通会在上海静安洲际酒店举行，瑞能半导体全球市场总监Brian Xie同时出席本次媒体沟通会。