碳化硅

碳化硅（Silicon Carbide，SiC）是一种广泛应用于半导体器件制造的化合物材料。它具有多种优异的性能特点，使其成为了替代传统硅（Silicon，Si）材料的重要选择之一。
克服碳化硅制造挑战，助力未来电力电子应用
几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。
意法半导体第四代碳化硅功率技术问世：为下一代电动汽车电驱逆变器量身定制
到 2025 年，750V 和 1200V两个电压等级的产品将实现量产，将碳化硅更小、更高效的优势从高端电动汽车扩展到中型和紧凑车型。
英飞凌于马来西亚启用全球最大且最高效的碳化硅功率半导体晶圆厂
马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。
安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
EliteSiC M3e MOSFET 在可靠且经过实际验证的平面架构上显著降低了导通损耗和开关损耗。与前几代产品相比，该平台能够将导通损耗降低30%，并将关断损耗降低多达50%
SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二极管和双二极管模块
近日，半导体器件领域企业SemiQ宣布，其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。
安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体
这项棕地投资将为当地带来高能效芯片制造能力，助力电气化、可再生能源和人工智能的未来发展
电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。
意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园
ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地
吉利汽车与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，深化新能源汽车转型;成立创新联合实验室，推动双方创新合作
意法半导体第三代SiC MOSFET助力吉利相关品牌纯电车型提高电驱能效
安森美2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅和功率解决方案系列研讨会即将启动
5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10+趋势性纵深应用