继年初发布1200V JFET产品后，至信微近日再次推出全新量产级碳化硅JFET产品：650V 140mΩ SiC JFET。
产品亮点
该款650V 140mΩ SiC JFET器件具有优异的导通特性和耐压能力，能够显著降低系统导通损耗，提升整体能效。为满足不同客户的设计需求，至信微提供灵活的供货方式：
➡ 晶圆出售：支持客户进行自定义封装与模块集成， 便于系统级定制开发
➡ TO-220封装Cascode结构成品：即拿即用，简化设计流程，加速产品上市周期
关于碳化硅JFET
至信微是全球少数掌握碳化硅JFET量产技术的企业之一。
该工艺是宽禁带半导体领域公认的高难度核心工艺，至信微此次发布，不仅证明了其在碳化硅领域深厚的技术实力，更标志着其正式跻身国际竞争的核心梯队。
适用多种高能效电源场景
凭借650V耐压、低导通电阻以及JFET特有的高速开关能力，该产品可理想应用于：
适配器与PD快充：实现更高功率密度、更小体积、更低温升，满足消费电子快充小型化趋势
数据中心电源：提升转换效率，降低冷却需求，助力绿色数据中心建设
相比传统硅基器件，碳化硅JFET在高温、高频和高电压环境下表现更为稳定，能够显著改善电源系统的可靠性与能效表现。
至信微要让碳化硅赋能每一度电，更高效、更触手可及，落地更多应用场景。
此次650V 140mΩ SiC JFET的量产，是至信微迈向高端碳化硅功率器件全面布局的第一步。未来，至信微将持续推进更高电压等级、更低导通电阻的JFET产品研发，并与国内外电源厂商深度合作，推动碳化硅JFET在新能源、工业电源、车载充电等更多领域的规模化应用。
随着全球电源市场向高效、小型化、高可靠性方向加速演进，至信微此次推出的国产碳化硅JFET，将为国内电源设计工程师提供全新的核心器件选择，助力中国功率半导体在全球竞争中占据更有利的位置。
来源：至信微电子