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这一战略收购将扩展安森美在支持下一代成像系统的深度感知和 3D 成像方面的能力

作为持续致力于提供强大、前沿的智能图像感知技术的一部分,安森美(onsemi)宣布已完成对SWIR Vision Systems®的收购。SWIR Vision Systems是胶体量子点(CQD®)短波红外(SWIR)技术的领先供应商,该技术扩展了可检测光的光谱范围,可以透视物体并捕捉以前无法捕捉到的图像。安森美将这一专利技术整合到其业界领先的 CMOS 传感器中,将显著增强公司的智能感知产品组合,并为工业、汽车等关键市场的进一步发展铺平道路。

CQD 使用具有独特光学和电子特性的纳米颗粒或晶体,可以精确调节以吸收更宽范围波长的光。这项技术将系统的可视性和检测范围从标准 CMOS 传感器波长扩展到了 SWIR 波长。迄今为止,由于传统砷化镓铟(InGAas)工艺的高昂成本和制造复杂性,SWIR 技术的应用受到了限制。通过此次收购,安森美将把硅基 CMOS 传感器和制造专长与 CQD 技术相结合,以更低的成本和更高的产量提供高度集成的 SWIR 传感器。这将带来结构更紧凑、成本效益更高的成像系统,具有更宽的光谱,可广泛应用于商业和工业领域。

这些先进的 SWIR 传感器能够透视高密度材料、气体、织物和塑料,这在许多行业都非常重要,特别是在监控系统、硅检测、机器视觉成像和食品检测等工业应用中。在自动驾驶汽车成像领域,更高的光谱范围将产生更好的可视性,使得在极端黑暗、浓雾或冬季眩光等恶劣条件下也能更好的视物。

SWIR Vision Systems 现已成为安森美的全资子公司,其技术精湛的团队将并入公司的智能感知事业群。该团队将继续在北卡罗来纳州运营。此次收购预计不会对安森美近期至中期的财务展望产生重大影响。

更多信息:安森美智能感知

关于安森美(onsemi)

安森美onsemi, 纳斯达克股票代号:ON)致力推动颠覆性创新,打造更美好的未来。公司关注汽车和工业终端市场的大趋势,加速推动汽车功能电子化和汽车安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等细分领域的变革创新。安森美提供高度差异化的创新产品组合以及智能电源和智能感知技术,以解决全球最复杂的挑战,引领创造更安全、更清洁、更智能的世界。安森美位列《财富》美国500强,也被纳入纳斯达克100指数和标普500指数。了解更多关于安森美的信息,请访问:http://www.onsemi.cn

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作者:电子创新网张国斌

编者注:目前中国本土只有ABM Inc.与SMEE为自主研发、设计、且拥有包括核心零部件和重要子系统自主知识产权的光刻机整机集成制造商。这是ABM Inc.和SMEE与其他通过旧型二手设备翻新的光刻机设备商截然不同之处!从这个角度出发,ABM Inc.与 SMEE 是中国唯二的光刻机设备制造商。ABM光刻机主要应用于制造MEMS、功率器件、化合物半导体等行业需要的芯片,这些芯片主要应用于航空航天、移动通讯、新能源汽车、消费电子、AI人工智能等。

ABM Inc.公司介绍

ABM Inc.是一家在光刻机领域具有显著影响力的公司,专注于半导体前道制造和先进封装的光刻机研发与生产。ABM Inc.成立于2003年,总部位于中国香港,拥有超过20年的半导体光刻设备行业经验。

业务领域:ABM Inc.主要提供半导体前道制造的光刻机和先进封装的光刻机及键合设备,是全球少数几家具备自主研发、设计并拥有核心零部件和重要子系统自主知识产权的光刻机整机集成制造商之一。

自主技术:ABM Inc.整机设备为自研自制,拥有超过2000项自主开发的光刻机重要零部件专有技术。在光刻机关键子系统如全波段近、中、深紫外光源系统和折反射镜组、精密工件台等方面,ABM Inc.均实现了自研自制,并拥有独立的知识产权。

产品线:ABM Inc.的光刻机产品广泛应用于集成电路的前道制造和先进封装领域,包括MEMS、功率器件、化合物半导体等行业所需的芯片制造。这些芯片在航空航天、移动通讯、新能源汽车、消费电子、AI人工智能等领域有着广泛的应用。

全球市场:ABM Inc.的光刻机在全球已交付超过300个客户,累计交付950台(套),其中国际客户包括逻辑、存储、通信等一线晶圆制造的头部企业。

中国市场:在中国,ABM Inc.也拥有众多不同领域的客户,包括工厂、大学和研究所等。其光刻机产品在中国本土市场上占据了重要的份额,是中国半导体产业中不可或缺的一部分。

产品特点与优势

ABM Inc.的光刻机产品种类丰富,包括有掩膜和无掩膜光刻机。有掩膜光刻机是半导体制造的主流光刻机,其技术发展路径从接触式、接近式、投影式、步进式和扫描式光刻机。无掩膜光刻机主要为激光直写光刻机,主要应用于FPD、PCB、PV等泛半导体领域。

高精度:ABM Inc.的光刻机具备高精度对准和曝光能力,能够满足不同工艺需求下的高精度制造要求。

高可靠性:公司注重产品的可靠性和稳定性,通过严格的质量控制和测试流程确保每一台光刻机都能达到最优的性能表现。

定制化服务:ABM Inc.还提供定制化的服务,根据客户的具体需求提供个性化的解决方案和技术支持。

ABM光刻机特别适用于制造MEMS(微机电系统)、功率器件、化合物半导体等行业所需的芯片。这些芯片在航空航天、移动通讯、新能源汽车、消费电子、AI人工智能等领域具有广泛应用。

随着半导体技术的不断发展,先进封装技术变得越来越重要。ABM Inc.的光刻机在先进封装领域也发挥着关键作用,为各种封装工艺提供高精度、高效率的解决方案。例如,ABM的光刻机可满足主流Bumping、RDL(重布线层)和TSV(硅通孔)等光刻工艺的需求,并提供广泛的光刻工艺窗口及黄光区配套联机设备。

具体应用领域

航空航天:在航空航天领域,高性能的芯片对于飞行器的控制系统、通信系统以及传感器等至关重要。ABM Inc.的光刻机制造的芯片能够满足这些领域对于高精度、高可靠性的要求。

移动通讯:随着5G、6G等移动通信技术的不断发展,对于高性能芯片的需求也在不断增加。ABM Inc.的光刻机在制造这些芯片方面发挥着重要作用。

新能源汽车:新能源汽车的电机控制系统、电池管理系统等都需要高性能的芯片来支持。ABM Inc.的光刻机为这些领域提供了高质量的芯片制造解决方案。

消费电子:智能手机、平板电脑、智能家居等消费电子产品的核心部件都是芯片。ABM Inc.的光刻机在制造这些芯片方面也具有重要地位。

AI人工智能:AI人工智能的发展离不开高性能的芯片支持。ABM Inc.的光刻机在制造AI芯片方面也具有重要应用。

在最近召开的2024 NAN SHAN大会上,ABM Inc. 副总经理赵宏关于光刻机设备研发以及市场特点做了演讲,以下是其演讲全文:

赵宏的演讲全文

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ABM Inc. 副总经理赵宏

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各家的先进封装工艺皆有不同标准, 如台积电CoWoS-R、CoWoS-S、CoWoS-L光刻工艺不同 (胶厚、曝光景深、L/S线距比), 考验光刻机的适配性与综合性能, 包含曝光面积、图形拼接、对位标记、分辨率、产能、工艺窗口等综合性价比, 这些指标决定先进封装的终端成本及竞争优势。台积电在10年前推出(28nm)先进封装的报价为7美分/平方毫米, 现今已低于3美分/平方毫米;(3nm)先进封装的报价目前为28美分/平方毫米。成本控制对于先进封装的发展极为重要, 考验光刻机供应商的客制化选项与集成能力。

ABM的光刻机可满足主流Bumping、RDL和TSV等光刻工艺主流需求, 并提供广泛的光刻工艺窗口及黄光区配套联机设备, 并可提供8英寸到12英寸的设备选型或兼容。

地缘政治的原因使中国先进制程的发展受限,通过先进封装和现有成熟制程搭配以实现中国高端芯片的全自主,已成为中国半导体产业的重点发展方向。以台积电CoWoS技术指标剖析, 中国设备商已在薄膜沉积设备(填孔绝缘及金属层沉积)、刻蚀设备 (TSV硅通孔)、机械研磨、氧化退火等领域均可满足技术指标, 但欠缺本土的光刻机企业作为核心链主, 串起中国先进封装工艺成套设备的配置与布局,ABM正是中国极少数具备先进封装成套设备一站式解决方案的供应商。

ABM如同1990年代的ASML,正处于爆发前夕。在过去的20年里,其光刻机几乎遍布全球主要半导体产业集中地,成功树立了ABM光刻机的国际品牌。未来,ABM将持续打造为光刻设备的国际化产业平台。作为中国光刻机行业的领导者,ABM将继续在中国高端光刻机国产化的道路上做一位孤独的登山者。

(以上内容引自芯谋研究)

ABM,Inc.全自动双面对准光刻机

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ABM全自动光刻机主要规格:

 全自动化量产

 衬底尺寸2英寸,4英寸,6英寸,8英寸原型或方形片。

 单面对准的全自动光刻工艺

 双面对准的全自动光刻工艺

 双工位片盒进出设计

 线性机械传送臂系统可同时承载3枚晶片的运作

 产能:120-150WPH

 高性能机械臂应对翘曲,形变晶片的吸附传送能力

 精确的图像识别系统,可自动识别多种对准标记

ABM全自动光刻机主要性能指标:

正面对准精度±1um

对准光学系统:电控双目镜双视场CCD系统

两组目镜有效视场分离可调节间距10mm-150mm

紫外波长:UV400

光强均匀性Beam Uniformity::

     --<±1% over 2” 区域

     --<±2% over 4” 区域

     --<±2.5% over 6” 区域

真空接触、接近式曝光

支持最大300um间距接近式曝光

自动水平面校正系统

控制系统PLC/PC

支持恒定光强或恒定功率模式

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在工业自动化和智能检测领域,一款高效、稳定且适应性强的光电传感器是不可或缺的,富唯电子推出的FBGS-10N背景抑制型光电传感器凭借其卓越的性能和广泛的应用范围,成为了众多企业的首选,为用户带来前所未有的使用体验。

1 高精度型

应差2%以下、可以检测数仅0.4mm的段差。先进的光学性能是以往产品的约2.5倍的检测能力。最小可以检测出0.4mm的微小段差。

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2 采用高亮度光点光,便于对准光轴

实现既明亮、可视性又好的高亮度红色光点光。检测位置一目了然。

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3 亦可适用于细微差别的检测

装备多回转型光点调节器。可对距离进行精确的设定,非常简便。

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4 PVC导线阻燃耐磨

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5 测量范围

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6 不受材质颜色形状影响

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应用展示

薄膜边缘控制

检测薄饼

检测料带的突出

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产品尺寸

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接线指引

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规格参数

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来源:广州富唯电子科技有限公司

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SLM8837 是一款专为低压供电的电机驱动应用而设计的先进芯片,其内部集成了多种保护电路,以确保系统稳定性和安全性。该芯片拥有双通道 NMOS 半桥输出,分别由两路独立的 PWM 输入控制,提供灵活而精准的控制方式。两个单独的供电电源,适用于 0~11V 的电机电源供电系统和 1.8V~5.5V 的逻辑供电系统。SLM8837 以其出色的性能和灵活的应用方式,广泛应用于低压供电的电机驱动消费品等领域,如智能家居设备、小型电动工具等。

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图 1. SLM8837应用框图

产品的特点与优势 

一、高效能驱动设计

  1. SLM8837 电机驱动芯片具备两个独立的半桥输出,也可灵活配置为一个H桥输出,满足多样化的驱动需求。

  2. 峰值电流高达 1.8A,HS+LS 通道的总导通电阻仅为 280mΩ,有效减少能量损耗,提升系统效率,满足小功率电机对高效率的严苛要求。

二、内置电荷泵电路

内置电荷泵电路,确保功率管栅极在工作时能够正常开通和关闭,进一步提升了驱动效率和稳定性。

三、强大的并联输出能力

在需要更大驱动电流的场合,SLM8837 的输出可以并联使用,轻松应对更大功率输出的半桥负载,扩展性强。

四、节能设计

通过 nSleep 管脚控制,SLM8837 可进入睡眠模式,关闭输出功能,实现仅消耗 120nA 电源电流,最大程度降低了功率损耗。

五、紧凑封装与广泛适应性

  1. 采用 DFN8 封装,尺寸仅 2mm×2mm,小巧轻便,有效节省空间,适合各种小体积设计。

  2. 支持宽泛的输入电压范围(0V 至 11V 电源供电,1.8V 至 5.5V 逻辑供电),以及 -40°C 至 85°C 的工作温度范围,适应多种低压供电场景和极端环境条件。

六、完善的保护机制

内置 UVLO、过流保护和过温保护等多种安全功能,确保系统安全稳定运行。一旦发生异常情况,相应的保护机制会立即启动,防止系统损坏或不稳定状况发生。

当限流电路一旦检测到过流信号时,会移除栅极驱动器来限制通过 MOS 管的电流,使得芯片安全性得到极大保障,提高系统稳定性与安全性。当温度超过安全限制值,过温保护启动,所有输出级关闭,等到温度下降到安全值,输出级自动恢复。如果两个输入同时为高电平时,输出 MOS 管会关闭,这意味着面对干扰等原因造成输入被错误拉高时,仍可通过芯片内部关闭输出 MOS 管,确保系统可靠性。如图2 所示,SLM8837 在OUT1 输出对地发生短路时,能迅速启动保护机制,并在故障排除后自动恢复输出。

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图 2. 输出对地短路保护波形

产品特性 

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☑  输入电压范围:

      -  电源供电电压范围:0V 至 11V

      -  逻辑供电电压范围:1.8V 至 5.5V

☑  效率高、低电阻:HS+LS 280mΩ

☑  工作电流:电流峰值达 1.8A

☑  低功耗、总关机电流:120nA

☑  UVLO:1.7V

☑  具备过温保护:150℃

☑  尺寸小:2.0×2.0mm DFN8 封装

☑  工作结温范围:-40°C ~ 150°C

来源:数明半导体

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作为模拟芯片的最大细分市场,电源管理芯片正享受着新能源、智能化、数字化浪潮带来的增长红利,特别是在智能电动汽车领域,无论是自动驾驶、智能座舱、域控制、车身控制、车灯,还是电池管理系统等,这些系统都需要大量的电源管理芯片。

同时,随着智能电动汽车越来越向数字化、智能化和集成化发展,这些应用也对电源管理芯片提出了高输出、高效率、低能耗、安全稳定等性能需求。作为模拟芯片,电源管理芯片设计的根基在于工艺:应用广泛、性能卓越的BCD(Bipolar- CMOS-DMOS)工艺。自BCD工艺诞生以来的40年里,该工艺也不断随下游应用需求变化而焕发生机。

本文将深度探索BCD工艺的历史、现在和未来趋势,以及芯联集成在BCD技术上的战略布局和创新引领。

伴应用需求而生,BCD工艺不断焕发生机

BCD工艺,这一创新的单片集成技术,诞生于对下游应用需求的深刻理解。回溯到20世纪70年代末80年代初,市场对Bipolar(双极性晶体管)、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)三种芯片的需求日益增长。

面对这一挑战,彼时的意法半导体率先探索将这三种技术融合的可能性,并在1985年成功推出了BCD工艺,实现了在同一芯片上集成Bipolar、CMOS和DMOS器件的突破。

BCD工艺的优势在于其能够将不同性能的器件集成于一颗芯片之中,同时保持了各器件的优秀性能。特别是高压高功率的DMOS器件,在开关模式下展现出极低的功耗,给终端产品带来体积小、速度快、耗能低等优势。BCD工艺还提高了芯片的综合性能,简化了制造过程,降低了成本,同时增强了系统的可靠性并减少了电磁干扰。

BCD技术正朝着高电压、高功率、高密度三个关键方向发展,以满足汽车电子、工控、消费电子等不同应用场景对高电压耐受、小型化、高集成度等的需求。

同时,历经近四十年的演进,BCD工艺集成度不断提高,结合eFlash、MOS和SOI技术,可以提供更高的设计灵活性、更强大的性能,以及更低的系统成本。

BCD与eFlash的结合不仅满足了产品对功耗效率、性能等级、兼容性的多重需求,还将模拟芯片与控制芯片合二为一,有效降低了整体系统成本。

BCD工艺的低功耗特性结合MOS的高效率,则可以显著提升整个系统的可靠性和能效。

BCD与SOI的结合利用了SOI和DTI的独特优势,减小寄生结电容,提高了MOS管跨导和开关速度,降低了功耗,同时,彻底消除了闩锁效应,减少了电路设计的复杂度并增强了可靠性。

BCD工艺的不断突破:芯联集成的创新之旅

BCD工艺,这一由应用需求驱动的创新技术,最初主要掌握在欧美IDM手中。随着时间的推移,非IDM的晶圆代工企业,如台积电、东部高科等也开始迎头赶上,发展自己的BCD技术,逐步缩小了与IDM之间的技术差距,甚至引领BCD技术的发展。

新技术的浪潮席卷至国内市场,本土的晶圆代工企业开始布局BCD,以迎合日益增长的市场需求,并增强国内产业链供应链自主可控能力。

在这场技术与市场的双重竞赛中,芯联集成以其全面而稀缺的BCD车规平台,规模量产的实力,以及在特色工艺和特色器件研发上的创新引领,确立了自身在行业中的领先地位。

这背后离不开人才的支撑与助推。模拟芯片是一个长坡厚雪的赛道,需要长期积累和经验沉淀。芯联集成创始团队成员在模拟类芯片领域有20年以上的经验,针对BCD工艺,可以为客户提供了精准的模拟高压器件模型、完整的PDK(工艺设计套件)和IP支持,以及高效的定制化服务。

在半导体行业,12英寸晶圆产线已成为国内外厂商BCD工艺的显著优势。随着BCD工艺技术的持续创新和进步,行业面临着成本控制和供应链管理的双重挑战。为了有效应对这些挑战,国际IDM企业纷纷加大投资,转向12英寸晶圆厂,以此提升产能并实现成本效益的最大化。

芯联集成紧跟行业趋势,积极布局12英寸晶圆产线,以确保公司在激烈的市场竞争中保持领先地位。今年公司的12英寸晶圆产能已显著提升至每月3万片,2027年底达产,产能产至10万片/月。这一产能的扩张不仅展示了公司对市场需求的快速响应能力,也体现了公司在生产规模和效率上的不断优化。

12英寸晶圆在模拟IC制造中所带来的优势不容小觑。更高的晶圆尺寸意味着更高的集成度和更精细的工艺控制,这直接转化为模拟IC性能的提升和品质的保障。随着12英寸产线的不断成熟和优化,客户将享受到更低的生产成本,同时其产品在市场中的竞争力也将得到显著增强。

预告

下篇内容将深度解读芯联集成BCD工艺的“三大亮点”,敬请期待!

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近日,半导体器件领域企业SemiQ宣布,其QSiC™产品系列中新增了1700V SiC(碳化硅)肖特基分立二极管和双二极管模块。这一创新举措旨在满足包括开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、电动汽车(EV)充电站在内的多种高要求应用场景在尺寸和功率上的严格标准。

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这款新推出的SiC肖特基二极管技术亮点在于其无反向恢复电流的特性,这意味着开关过程中的损耗极低。此外,该二极管在热管理方面的改进也令人瞩目,有助于降低系统冷却需求,使工程师能够设计出更高效、性能更优的电源系统。通过减少系统产生的热量,这些器件允许使用更小的散热器,从而节省了成本和空间。

具体而言,SemiQ推出的GP3D050B170X(裸片)和GP3D050B170B(TO-247-2L封装)分立二极管,在最大正向电流方面分别达到了110A和151A。其设计支持简单的并联配置,为电源应用提供了更高的灵活性和可扩展性。

同时,GHXS050B170S-D3和GHXS100B170S-D3双二极管模块,采用SOT-227封装,每个组件的最大正向电流分别为110A和214A,能够满足更高功率输出的需求。

这些SiC二极管在高频下的性能尤为出色,低损耗和低电磁干扰(EMI)的操作特性使它们成为提高能源效率和可靠性的理想选择。其内部隔离封装(AIN)提供了出色的绝缘和导热性,结和外壳之间的低热阻确保了即使在高功率水平下也能保持稳定性。此外,正向电压(Vf)的正温度系数(Tc)特性有助于模块的并联使用,进一步增强了系统的灵活性和可靠性。

SemiQ表示,这些新开发的1,700V SiC二极管在功率效率和可靠性方面取得了重大进步。QSiC™二极管的设计紧凑且灵活,运行损耗低,热管理出色,为客户开发先进且高性能的解决方案提供了有力支持。所有组件均经过严格的电压测试和雪崩测试,确保了其卓越的性能和可靠性。

随着电动汽车和可再生能源技术的快速发展,对高效、可靠的电力电子器件的需求不断增长。SemiQ此次推出的1,700V SiC肖特基二极管,无疑将为电源和电动汽车充电站等领域带来更加出色的性能和效率提升。

来源:浮思特无微不智

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NNG为Dacia车主推出了新型地图产品NNG Maps。 该社区驱动型解决方案以全球数百万人使用的全球地图数据库OpenStreetMap (OSM) 为基础,并与NNG及其广泛的合作伙伴网络提供的定制汽车内容和服务相结合。 NNG Maps以十多年的内部OSM经验为基础,提供功能更丰富、更新颖的导航体验。

NNG宣布与Dacia合作,为Dacia汽车提供基于OpenStreetMap的地图解决方案NNG Maps。 NNG Maps是一个以价值为导向、功能丰富的全新社区地图解决方案,让Dacia驾驶员能够从频繁的地图更新、更及时的地图数据和更丰富的内容中受益,包括更大的道路网络覆盖范围和更多的兴趣点 (POI)。

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NNG and Dacia Offer Drivers OSM-Based Maps for Navigation

OpenStreetMap是世界上最大的人类地理空间知识的众包存储库。 由全球贡献者社区构建,持续更新有关地图特征的数据,包括道路、步道、咖啡馆和火车站。 贡献者使用航拍图像、GPS设备和实地地图以及其他来源来验证OSM的准确性和时效性。

NNG的解决方案从OSM基础层开始,允许汽车制造商使用广泛、独立的附加内容和服务组合,根据品牌和客户偏好定制地图。 凭借二十年的地图编译和验证专业知识,NNG为汽车制造商提供功能更丰富、更新更及时且更新频率更高的定制地图解决方案。 事实证明,这一新解决方案对驾驶员来说是一项亟需的开发成果,包括法国、德国和荷兰在内的欧洲各地已有数千人注册。

“我们早在2013年就开始帮助合作伙伴评估和实施基于OSM的解决方案。” NNG产品管理总监Balázs Bodorkós表示。“我们在地图、OSM方面的专业知识以及我们对与OSM社区合作的持续承诺,使我们能够在汽车行业不断发展的过程中为汽车行业提供最新且以价值为导向的内容解决方案。”   

NNG Maps的优势部分来自OSM独特的社区驱动性质,同时也源于NNG数十年的编译专长及其对汽车制造商导航特定需求的独特理解。 该地图解决方案不仅能为Dacia驾驶员和其他汽车制造商提供准确的最新信息,还具有无与伦比的覆盖范围和扩展能力。 借助NNG Maps,用户可以放心地探索世界,因为他们知道OSM的社区驱动数据和NNG的导航专业知识可以满足其导航需求。 通过我们的免费网络研讨会了解更多信息。

NNG Maps现已在欧洲推出,并计划从2025年开始实现进一步的区域扩张。

关于NNG

NNG是全球领先的汽车行业嵌入式和互联软件解决方案供应商。 其解决方案应用于全球6000多万台设备,涵盖导航、汽车级地图、互联服务、数字驾驶舱和驾驶员辅助解决方案以及软件工程服务。 NNG提供从驾驶舱到云端的下一代智能、安全和互联移动解决方案。 www.nng.com

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NNG and Dacia Offer Drivers OSM-Based Maps for Navigation

稿源:美通社

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专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 是知名电源制造商MEAN WELL的全球授权代理商。贸泽供应MEAN WELL齐全的电源解决方案产品系列,库存超过4,500种元器件,提供超过35,000个料号供客户选购。

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MEAN WELL LOP-200LOP-300 PCB型电源是薄型产品,具有12V至54V的宽电压范围,功率分别高达200W和300W。LOP-400LOP-500LOP-600也提供同样的电压范围,功率分别为600W、750W和900W。这些电源符合OVCIII要求,同时还符合各种安全标准,例如62368-1/60601-1/61558-1/60335-1,非常适合工厂自动化医疗设备、电信设备、家用设备等广泛应用。

NGE系列是通过全球多地认证的插墙式可换AC插头适配器。这些环保型适配器采用固定式美标插头、固定式欧标插头或可换式插头。NGE系列适配器的额定功率为12W、18W、30W、45W、65W和90W,并且提供五种可换式AC插头(欧标、美标、英标、澳标和中国国标),非常适合旅行使用。这些适配器具备多种保护功能,包括短路、过载和过压保护,并且均已获得ITE、医疗、家用和工业设备安全法规的批准。

DDRH-120DDRH-240 DIN导轨式DC/DC转换器具有出色的EMC性能,适合5000m高海拔工作,且符合IEC/EN 62109-1 PV安全标准。这两款转换器均具备完善的保护功能,包括DC输入欠压和反极性(无损坏),以及输出短路、过载、过压和过热保护。这些DC-DC转换器适用于光伏发电、储能、充电桩、工业控制系统,以及其他有高低压DC转换要求的应用。

MEAN WELL XLN和XLC系列LED电源设计用于常规室内照明和商用灯具,采用坚固的塑料外壳。这些LED电源的额定功率为25W、40W和60W。XLN LED电源采用独立接线输出和全密封设计,具有IP67防水等级。其输出和调光电路互相隔离,符合双重隔离和安全电压 (SELV) 设计,可确保用户安全。这些电源均具有完善的国际认证和全范围电压输入 (UIL8750 Class 2/Class P)。

贸泽电子自2007年以来一直是MEAN WELL电源解决方案的授权代理商。贸泽曾荣获MEAN WELL颁发的2023年美国年度代理商奖,以及MEAN WELL SDG集团颁发的2022年可持续发展奖。如需进一步了解贸泽供应的MEAN WELL产品,请访问https://www.mouser.cn/manufacturer/meanwell/

作为全球授权代理商,贸泽电子库存有极其丰富的半导体和电子元器件并支持随时发货™。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计,贸泽网站提供了丰富的技术资源库,包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、工程工具以及其他有用的信息。

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作者:电子创新网张国斌

今天,诺思微系统通过官方微信宣布:诺思微系统与美国安华高(博通)达成全面和解。这一持续9年的诉讼终于有了结果,这个和解为诺思微系统未来的发展扫除了障碍,从大的产业背景看,该案对推动中国芯片行业的自主创新和突破封锁具有重要意义

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诉讼回顾

诺思微系统(即诺思(天津)微系统有限责任公司)与美国安华高(现更名为博通)之间的诉讼过程是一个复杂且持续多年的法律纠纷,主要涉及知识产权、商业机密及专利侵权等问题。以下是对该诉讼过程的详细梳理:

一、诉讼背景

公司背景:诺思微系统是中国首家FBAR(薄膜体声波谐振器)生产企业,从事无线设备射频前端MEMS(微机电系统)滤波芯片等的研发、生产和销售。安华高(后更名为博通)则是全球知名的半导体公司,在滤波芯片领域具有领先地位。

争议起源:2015年,安华高指控诺思微系统创始人张浩和庞慰涉嫌窃取公司滤波芯片的相关资料,并以此为基础在中国成立了诺思微系统。

二、诉讼过程

安华高发起诉讼

时间:2015年

内容:安华高在美国对张浩和庞慰发起诉讼,指控其窃取商业机密。

诺思微系统反诉

时间:2016年

内容:诺思微系统发现安华高销售给苹果公司的滤波芯片使用了其研发的专利技术,遂向天津市一中院对苹果公司提起诉讼,指控其侵犯知识产权。

双方诉讼升级

时间:2017年至2018年

内容:诺思微系统继续在中国对苹果公司提起诉讼。

安华高向天津一中院起诉诺思微系统及创始人的专利权属问题。

诉讼“停摆”

时间:2018年底至2019年

内容:由于多个案件并行且进展缓慢,诺思微系统诉苹果侵权案在天津一中院被暂时中止审理。

张浩案进展

时间:2015年至2020年

内容:张浩在美国被捕并接受审判,最终被裁定窃取商业机密和经济间谍罪成立,判处18个月有期徒刑并赔偿。然而,张浩在取保候审期间仍坚持认为自己无罪。

张浩案回顾

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2015年5月,张浩受邀前往美国凤凰城参加国际微波会议,在洛杉矶国际机场入境时被捕。美国对张浩的指控是“串谋经济间谍活动”,认为张浩和他的五名同事在美国进行研究以及为安华高科技和Skyworks公司工作时,窃取了滤波芯片相关资料。

这种滤波芯片可以被用于移动电话以及其他声学仪器。美国政府认为,他们把技术带回了天津大学并与大学创建了合资公司诺思微系统,最后这些芯片被出售给了中国公司和机构。

美国加利福尼亚州圣何塞地方法院法官爱德华·达维拉主持了张浩的庭审,陪审团的律师提出了专家所谓的“损害控制”辩护,该辩护承认了政府案件的要点。在宣判听证会上,法官命令张浩向其盗窃行为的2家受害科技公司赔偿47.7万美元,并建议将他送往加州一个最低安全级别的监狱。

2006年,张浩在南加州大学获得电气工程博士学位后,就职于全球无线射频器件龙头Skyworks(思佳讯)。而在南加州大学期间,他遇到在Avago(安华高)工作的庞慰,两人回国任教于天津大学,并于2011年共同成立了诺思(天津)微系统有限公司,主要产品正是被高度垄断的FBAR滤波器。

在张浩等人的带领下,「诺思微系统」成为国内首家FBAR射频滤波芯片生产公司,也是国内少数的专注FBAR滤波器的拥有IDM(垂直整合制造)模式的厂商,建有亚洲首座具有完全知识产权(IP)的FBAR晶圆厂。诺思的FBAR技术水平已经处于国际领先地位。

而这自然引起了美国的忌惮,早在2012年,安华高的高管里奇·卢比打着学术交流的名义前往天津大学的微机电实验室参观,并提出愿和天大一起发表论文,合作申请专利。天津大学还邀请里奇·卢比做学术报告,卢比提出想要收购诺思微系统,被委婉拒绝,回国之后,卢比立即向美国FBI提交了一份报告,宣称中国在天津大学完全复制了安华高的滤波芯片生产线,并再三要求FBI介入此事,由此,FBI策划了诱捕张浩事件。

据业内人士称,张浩与其同事庞慰在美国时就已是微机电滤波芯片领域的领军人物,经美国专利部门批准,在美获得7项专利。二人进入天大并成立诺思后,天大和诺思在该领域获得200余项专利。2016年,诺思发现安华高销售给苹果公司的滤波芯片使用了庞慰和张浩研发的专利技术,并拆解苹果公司手持设备取证。2017年9月28日,诺思向天津一中院对苹果公司提起诉讼。

2024年7月3日,诺思微系统与安华高(博通)就双方全部争议达成和解,双方撤回并终结针对对方或其关联公司及客户的诉讼,并就双方某些中国专利达成交叉许可。至此,双方之间持续了9年之久的恩怨画上句号。

当年,中国半导体自主创新正进入发展快车道,此案和解也表明中国的自主创新已经获得产业的认可,对推动本土自主创新意义重大,祝愿诺思微系统扫除发展障碍后高速发展,在滤波器领域再创辉煌!

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Tantamount™器件设计牢固,漏电流(DCL)低至0.005CV,具有严格的测试规范,确保严苛环境下可靠起爆

日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出专为电子引爆系统设计的新型系列TANTAMOUNT™表面贴装固体模压型片式钽电容器---TX3Vishay Sprague TX3系列器件机械结构牢固,漏电流(DCL)低,具有严格的测试规范,性能和可靠性优于商用钽电容器和MLCC

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日前发布的电容器DCL仅为0.005CV,与其他电容技术相比,钽电容器能量密度高,可提供更高能量确保正确起爆,是采矿和拆除应用远程引爆系统的理想选择,满足可靠放电的要求。该器件的钽阳极技术与Vishay业界出色的介质成型技术相结合,确保严苛环境下稳定的电气性能。

为保证可靠性,TX3系列电容器的测试规范比标准商用器件更加严格。每个产品均采用标准筛选法进行100%浪涌电流测试,并对关键电气特性进行二次额外筛查,以消除批次间误差。为提供可靠解决方案,器件容芯和引线框采用硬塑料树脂封装。与MLCC相比,电容器符合MIL-STD-202测试标准,具有更高的抗冲击(100 g)和抗震动(20 g)能力。

TX3系列器件采用B(EIA 3528-21)和C(EIA 6032-28)封装,容值范围10 µF至100 µF,额定电压16 V至25 V,容差低至± 10 %。器件+25 °C下ESR为0.700 W至2.3 W,纹波电流为0.438 A,工作温度高达+125 °C。TX3系列器件采用无铅(Pb)端子,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

新型固钽电容器现可提供样品并已实现量产,供货周期为10至12周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech. ®Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com

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