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• Ceva-NeuPro-Nano™获得年度最佳IP/处理器产品奖，延续公司智能边缘IP的领先地位

• Ceva-NeuPro-Nano NPU在小空间内提供超低功耗和高性能的优化平衡，可在消费、工业和通用AIoT产品中高效执行嵌入式AI工作负载。

帮助智能边缘设备更可靠、更高效地连接、感知和推断数据的全球领先半导体产品和软件IP授权许可厂商Ceva公司(纳斯达克股票代码：CEVA)宣布Ceva-NeuPro-Nano NPU在近期于中国台北举办的著名亚洲金选奖(EE Awards Asia)中荣获年度最佳IP/处理器产品奖。

获奖的 Ceva-NeuPro-Nano NPU 可为半导体企业和OEM厂商提供所需的功率、性能和成本效率，以便将嵌入式人工智能模型集成到其用于消费、工业和通用 AIoT 产品的SoC 中。嵌入式人工智能模型是直接集成到硬件设备中，并在设备上运行的人工智能算法和系统，无需依赖云端处理。Ceva-NeuPro-Nano NPU解决了嵌入式人工智能方面的性能难题，有望实现无处不在并且经济实用的人工智能，广泛应用于消费和工业物联网应用中的语音、视觉、预测性维护和健康传感等各种用例。

Ceva首席战略官Iri Trashanski表示：“赢得亚洲金选奖之年度最佳IP/处理器奖，证明了NeuPro-Nano NPU具有创新性和卓越性，它为功耗受限的设备带来了经济有效的人工智能处理技术。连接、感知和推断是塑造更智能、更高效之未来的三大关键支柱，我们很自豪能够凭借无与伦比的 IP 产品组合在这三种应用案例中一马当先。”

Ceva-NeuPro-Nano 嵌入式人工智能 NPU 架构完全可编程，可高效执行神经网络、特征提取、控制代码和 DSP 代码，并支持最先进的机器学习数据类型和运算符，包括原生变换器计算、稀疏性加速和快速量化。与现有的采用基于 AI 加速器架构的 CPU 或 DSP 组合的嵌入式 AI 工作负载处理器解决方案相比，这种经过优化的自给自足单核架构使 Ceva-NeuPro-Nano NPU 能够提供更高的能效、更小的硅片占用空间以及优秀性能。此外，Ceva-NetSqueeze AI 压缩技术可直接处理压缩模型权重，而无需中间的解压缩阶段，使得Ceva-NeuPro-Nano NPU的内存占用减少了80%，解决了目前阻碍AIoT处理器广泛应用的关键瓶颈问题。

这款NPU 随附完整的人工智能 SDK Ceva-NeuPro Studio，这是统一的人工智能堆栈，是适用于整个Ceva-NeuPro NPU 系列的通用工具，支持开放式人工智能框架，包括微控制器 LiteRT（前身为微控制器 TensorFlow Lite）和 microTVM。

亚洲金选奖旨在表彰亚洲电子行业中备受推崇的最佳产品、企业和个人。来自全球的专业技术人士组成评审团，评选出入围榜单后，再由中国台湾和亚洲的《EE Times》和《EDN》专业媒体读者群投票选出优胜者。

供货

Ceva即日起开始提供Ceva-NeuPro-Nano NPU授权许可。如要了解更多信息，请访问公司网页：https://www.ceva-ip.com/product/ceva-neupro-nano/。

关于Ceva公司

Ceva热忱地为智能边缘带来全新的创新水平。我们的无线通信、感知和边缘AI技术是现今一些先进智能边缘产品的核心。我们拥有更可靠、更高效地连接、感知和推理数据的广泛IP 组合，包括用于蓝牙连接、Wi-Fi、 UWB 和5G 平台 IP，实现无处不在的强大通信；以至可扩展的边缘人工智能 NPU IP、 传感器融合处理器和提升设备智能的嵌入式应用软件。我们的差异化解决方案在极小的硅片尺寸内以超低功耗提供卓越性能。我们的目标简单：为业界提供半导体产品和软件 IP，创建更智能、更安全和更紧密互连的世界。今天，Ceva 正在努力践行这一理念，支持全球超过 170 亿个创新性智能边缘产品，涵盖从人工智能智能手表、物联网设备和可穿戴设备，直到自动驾驶汽车和 5G 移动网络。

Ceva总部位于美国马里兰州罗克维尔，公司遍布世界各地的运营机构为全球客户群提供有力支持。我们的员工包括各专业领域的顶尖专家，能够持续解决最复杂的设计难题，帮助客户将创新的智能边缘产品推向市场。

Ceva： 助力智能边缘

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在IEDM2024上，英特尔代工的技术研究团队展示了晶体管和封装技术的开拓性进展，有助于满足未来AI算力需求。

IEDM 2024（2024年IEEE国际电子器件会议）上，英特尔代工展示了多项技术突破，助力推动半导体行业在下一个十年及更长远的发展。具体而言，在新材料方面，减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%[1]，有助于改善芯片内互连。英特尔代工还率先汇报了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍[2]，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。此外，为了进一步推动全环绕栅极（GAA）的微缩，英特尔代工展示了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术，以及用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块，以提高设备性能。

随着行业朝着到2030年在单个芯片上实现一万亿个晶体管的目标前进，晶体管和互连微缩技术的突破以及未来的先进封装能力正变得非常关键，以满足人们对能效更高、性能更强且成本效益更高的计算应用（如AI）的需求。

我们还需要探索新型的材料，来增强英特尔代工的PowerVia背面供电技术在缓解互连瓶颈，实现晶体管的进一步微缩中的作用。这对于持续推进摩尔定律、推动面向AI时代的半导体创新至关重要。

英特尔代工已经探索出数条路径，以解决采用铜材料的晶体管在开发未来制程节点时可预见的互连微缩限制，改进现有封装技术，并继续为GAA及其它相关技术定义和规划晶体管路线图：

• 减成法钌互连技术：为了提升芯片性能，改善互连，英特尔代工展示了减成法钌互连技术。通过采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料，利用薄膜电阻率（thin film resistivity）和空气间隙（airgap），实现了在互连微缩方面的重大进步。英特尔代工率先在研发测试设备上展示了一种可行、可量产、具有成本效益的减成法钌互连技术[3]，该工艺引入空气间隙，无需通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域（lithographic airgap exclusion zone），也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔（self-aligned via）。在间距小于或等于 25 纳米时，采用减成法钌互连技术实现的空气间隙使线间电容最高降低 25%，这表明减成法钌互连技术作为一种金属化方案，在紧密间距层中替代铜镶嵌工艺的优势。这一解决方案有望在英特尔代工的未来制程节点中得以应用。

• 选择性层转移（Selective Layer Transfer, SLT）：为了在芯片封装中将吞吐量提升高达100倍，进而实现超快速的芯片间封装，英特尔代工首次展示了选择性层转移技术，这是一种异构集成解决方案，能够以更高的灵活性集成超薄芯粒，与传统的芯片到晶圆键合（chip-to-wafer bonding）技术相比，选择性层转移让芯片的尺寸能够变得更小，纵横比变得更高。这项技术还带来了更高的功能密度，并可结合混合键合（hybrid bonding）或融合键合（fusion bonding）工艺，提供更灵活且成本效益更高的解决方案，封装来自不同晶圆的芯粒。该解决方案为AI应用提供了一种更高效、更灵活的架构。

• 硅基RibbonFET CMOS晶体管：为了将RibbonFET GAA晶体管的微缩推向更高水平，英特尔代工展示了栅极长度为6纳米的硅基RibbonFET CMOS晶体管，在大幅缩短栅极长度和减少沟道厚度的同时，在对短沟道效应的抑制和性能上达到了业界领先水平。这一进展为摩尔定律的关键基石之一——栅极长度的持续缩短——铺平了道路。

• 用于微缩的2D GAA晶体管的栅氧化层：为了在CFET（互补场效应晶体管）之外进一步加速GAA技术创新，英特尔代工展示了其在2D GAA NMOS（N 型金属氧化物半导体）和PMOS（P 型金属氧化物半导体）晶体管制造方面的研究，侧重于栅氧化层模块的研发，将晶体管的栅极长度微缩到了30纳米。该研究还报告了行业在2D TMD（过渡金属二硫化物）半导体领域的研究进展，此类材料未来有望在先进晶体管工艺中成为硅的替代品。

在300毫米GaN（氮化镓）技术方面，英特尔代工也在继续推进其开拓性的研究。GaN是一种新兴的用于功率器件和射频（RF）器件的材料，相较于硅，它的性能更强，也能承受更高的电压和温度。在300毫米GaN-on-TRSOI（富陷阱绝缘体上硅）衬底（substrate）上，英特尔代工制造了业界领先的高性能微缩增强型GaN MOSHEMT（金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管）。GaN-on-TRSOI等工艺上较为先进的衬底，可以通过减少信号损失，提高信号线性度和基于衬底背部处理的先进集成方案，为功率器件和射频器件等应用带来更强的性能。

此外，在IEDM 2024上，英特尔代工还分享了对先进封装和晶体管微缩技术未来发展的愿景，以满足包括AI在内的各类应用需求，以下三个关键的创新着力点将有助于AI在未来十年朝着能效更高的方向发展：

• 先进内存集成（memory integration），以消除容量、带宽和延迟的瓶颈；

• 用于优化互连带宽的混合键合；

• 模块化系统（modular system）及相应的连接解决方案

同时，英特尔代工还发出了行动号召，开发关键性和突破性的创新，持续推进晶体管微缩，推动实现“万亿晶体管时代”。英特尔代工概述了对能够在超低电压（低于300毫伏）下运行的晶体管的研发，将如何有助于解决日益严重的热瓶颈，并大幅改善功耗和散热。

关于英特尔

英特尔（NASDAQ: INTC）作为行业引领者，创造改变世界的科技，推动全球进步并让生活丰富多彩。在摩尔定律的启迪下，我们不断致力于推进半导体设计与制造，帮助我们的客户应对最重大的挑战。通过将智能融入云、网络、边缘和各种计算设备，我们释放数据潜能，助力商业和社会变得更美好。如需了解英特尔创新的更多信息，请访问英特尔中国新闻中心newsroom.intel.cn以及官方网站intel.cn。

[1] 技术论文《利用空气间隙的减成法钌互连技术》，作者：Ananya Dutta、Askhit Peer、Christopher Jezewski

[2] 技术论文《选择性层转移：业界领先的异构集成技术》（作者：Adel Elsherbini、Tushar Talukdar、Thomas Sounart）

[3] 技术论文《利用空气间隙的减成法钌互连技术》，作者：Ananya Dutta、Askhit Peer、Christopher Jezewski

消息来源：君联资本、联想控股微空间

2024年12月6日 - 联想控股（3396.hk）旗下基金君联资本投资企业重塑能源（2570.HK）在香港联交所成功上市，重塑能源全球发售482.792万股H股股份，截至发稿，重塑能源每股148.9港元，市值超过128亿港元。

重塑能源成立于2015年9月，是一家具备全球化视野的领先氢能科技企业，产品及服务组合涵盖从上游制氢到下游氢能应用多个环节，公司是国家专精特新「小巨人」企业、国家企业技术中心和中国燃料电池领域唯一的制造业单项冠军企业。重塑能源拥有一支国际化的高水平研发团队，在中国上海、常熟、嘉兴建立了规模化生产基地，在北美和欧洲设立了境外分支机构。

重塑能源是行业首家全面实现燃料电池系统、电堆、膜电极、双极板自研及量产的氢能科技企业，2023年已售氢燃料电池系统总输出功率位居中国氢燃料电池系统市场第一。公司具备氢能全产业链市场化场景开发能力，相关产品及技术已广泛应用于道路交通、轨道交通、工程机械、发电、离网超充、绿氢制备等多元领域，并面向能源生态构建了「电-氢-电」商业模式，拓展多个绿氢制储输用一体化项目。

氢能被视为一种最清洁、最高效的可再生能源，作为一种能源介质，具有在能量转换过程中零排放、效率高、能量密度高、可大规模存储等优点，因此能在能源领域得到越来越多的关注和应用。

截至2024年5月31日，在车用领域，重塑能源已累计部署燃料电池汽车超5,900辆，已售安装燃料电池系统的汽车累计行驶里程超210,000,000公里，帮助减少碳排放超116,800吨，行业领先。重塑能源是中国首家实现氢燃料电池系统海外商业化的企业，国际业务已覆盖美国、德国、瑞士、日本、意大利等多个市场。

君联资本于2019年2月投资重塑能源，在公司的业务拓展、产业链上下游资源引荐以及后续融资方面提供了支持和帮助。投资后，公司行业地位不断提升，业务持续突破，目前已成长为我国氢燃料电池系统的头部企业。

君联资本表示：祝贺重塑能源成功上市，氢燃料电池汽车是新能源汽车领域的重要组成部分，氢燃料电池能量转换效率高、零碳排放等优势，是长途、重载商用车电动化和脱碳的重要技术解决方案。重塑能源是中国稀缺的能够大批量配套量产氢燃料电池系统+核心零部件的企业，公司拥有国内领先且最早实现氢燃料电池产业化的核心团队，拥有丰富的氢能产业化经验和极强的持续研发能力，我们看好上市后的重塑能源持续拓展电解水制氢业务和燃料电池业务，进一步成为全球领先的氢能科技企业。

君联资本在碳中和领域投资已有超过15年时间，重点关注能源脱碳、终端电气化、智能化及合成生物等主题，能源脱碳包括光伏、风电、氢能、储能等赛道；终端电气化、智能化则有锂电池汽车、氢燃料电池汽车、电池回收等赛道。在锂电领域君联资本已投资了宁德时代(300750.SZ)、先导智能(300450.SZ)、璞泰来(603659.SH)、中伟股份(300919.SZ)、海目星(688559.SH)、科瑞技术(002957.SZ)等企业；在光伏、风电、氢能领域投资了重塑能源（02570.HK）、微导纳米(688147.SH)、赛伍技术(603212.SH)、林洋能源（601222.SH）等优秀代表企业。

联控旗下的君联资本成立于2001年4月，是专注于早期风险投资及成长期私募股权投资的基金管理公司。在二十年的发展历程中，君联资本遵循国际通行标准，创造基金运营及管理的最佳实践。该基金通过积极主动的增值服务体系，推动企业创新成长，在多个投资领域持续创造良好投资回报的同时，推动中国的产业进步和社会发展。君联资本以「成为一家具有国际影响力的投资公司」为愿景，秉承「富而有道」的核心价值观，积极践行社会责任。

近日，中微半导体（深圳）股份有限公司（以下简称：中微半导 股票代码：688380）喜讯频传，旗下电机控制CMS32M65、CMS32M67系列，以其卓越性能及客户赞誉，荣获“2024年度领创大奖”和“2024年度电机控制十大主控芯片”两个重量级奖项。

深耕电机控制领域多年来，中微半导始终坚持“以客户为中心”的价值观。高度聚焦电机控制芯片集成化、模块化和智能化等需求，并利用先进电机控制MCU及SoC技术实现电机高效控制应用。

中微半导电机控制事业总经理肖英先生表示：“CMS32M65、CMS32M67系列连获两项行业奖，充分表明中微半导电机控制系列在技术创新与功能特性等方面获得了业内专家和用户的高度认可。”

中微半导电机控制芯片系列在个人护理、绿色骑行、风机应用、电动工具、大家电以及清洁工具等行业已服务多家行业知名客户，并持续大规模量产。目前基于CMS32M65、CMS32M67系列开发的第三代电机高效控制解决方案，在高集成、高效率以及复杂控制任务完成等方面表现卓越，是直流无刷电机领域具有高度性价比的产品选择。

01 CMS32M65系列

2024年度电机控制十大主控芯片

11月21日，由电子发烧友主办的2024年第十二届（秋季）电机控制先进技术研讨会在深圳成功举办，期间“2024第五届电机控制技术市场表现奖”年度评选活动奖项揭晓，中微半导荣获“2024年度电机控制十大主控芯片”奖。

第十二届（秋季）电机控制先进技术研讨会活动现场，中微半导携CMS32M65、CMS32M67系列、CMS32M75系列多款创新产品，以及正弦波电动工具、两轮车、高压油烟机、单相风机、三相服务器风扇、扫频牙刷、冰箱压缩机、空调室外机等高效电机应用方案精彩亮相。全面展示了中微半导全方位电机控制产品矩阵在技术迭代、功率提升、算法整合、成本优化等方面取得的最新成果。

在同期举办的技术论坛上，中微半导电机控制事业部总经理肖英先生，为大家带来了《中微半导第三代高效电机控制方案介绍》主题演讲。他深入介绍了中微半导先进电机控制MCU及SoC技术在不同终端市场的应用，同时也分享了中微半导在电机和电源领域的未来规划。

CMS32M65系列

CMS32M65系列MCU是中微半导推出的基于ARM-Cortex M0+内核的高端电机控制专用芯片。专为简化系统和降低系统成本而设计，适合对尺寸和成本敏感的智能家居、白色家电、电动工具及工业电机控制等紧凑级电机应用，能提供灵活设计支持，助力客户加速产品上市进程。CMS32M65系列主频高达64MHz；工作电压1.8V至5.5V；提供64KB Flash Memory，8KB SRAM，1KB Data flash；多达23个GPIO，可工作在-40℃至105℃。主要包括CMS32M6510、CMS32M6526x、CMS32M6536x、CMS32M6534x等型号，主打低功耗、高性能、高性价比。

02 CMS32M67系列

2024年度领创大奖

近期，由Big-Bit商务网主办的2024中国（秋季）电机智造与创新应用暨电机产业链交流会在深圳圆满举办。会议同期公布了2024年BLDC电机控制器优秀企业年度评选结果并举办颁奖仪式，中微半导凭借对电机控制领域的自主创新和优秀的客户口碑，荣获“2024年度领创大奖”。

CMS32M67系列

CMS32M67系列是中微半导电机控制产品线主力产品，被广泛应用于电动骑行、高速吹风筒、正弦波电动工具、园林工具、大家电变频等典型电机控制领域。CMS32M67系列主频高达72MHz；工作电压1.8V至5.5V；提供128KB Flash Memory，4KB SRAM0，8KB SRAM1，1KB Data flash，可工作在-40℃至105℃；提供IEC60730安规认证库，协助客户轻松通过CLASS B认证；提供QFN32、QFN48及LQFP48封装。丰富资源搭配外设配置有助于提升整体方案可靠性，并精减外部元件，降低整体BOM成本。

中微半导具备广泛的电机控制领域产品组合，如BMS、充电器、触摸以及显示等产品需求对应的芯片与方案，针对不同的应用环境和电机类型提供特定的产品支持，旨在全方位、量产级、一站式解决客户端问题，助力客户简易快速进行产品开发。未来，中微半导电机控制开发团队将会继续发挥在MCU与SoC硬件开发的领先开发优势，并结合芯片集成与算法整合的软件优势，持续创新攻克工程和技术难题，不断践行“让行业更简单，让用户更放心”的企业使命。

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中微半导体（深圳）股份有限公司（688380.SH）成立于2001年，是一家以MCU为核心的平台型芯片设计公司，专注于数模混合信号芯片、模拟芯片的研发、设计与销售。主要产品包括8位及32位MCU、SoC、ASIC及功率器件等，广泛应用于家用电器、消费电子、工业控制（含无刷电机控制）和汽车电子等领域。官网网址www.MCU.com.cn。

来源：中微半导