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2022年5月17日，全球3D视觉感知芯片、模组及解决方案的引领者银牛微电子出席OFweek（第十一届）中国机器人产业大会，并荣获“2021中国机器人行业年度卓越投资价值企业奖”。

会上银牛联合创始人兼首席战略官，白逸先生发表了题为《银牛3D机器视觉+AI技术助力机器人行业变革》的主题演讲，重磅推出全新“3D机器视觉模组R132”。该产品为机器人市场量身定制，是3D性能、成本、功耗的最优组合，其具备的宽视场角可有效解决机器人避障、3D重构、3D扫描等行业痛点，轻松满足室内室外应用场景需求。

银牛联合创始人兼首席战略官白逸领奖照片

更大FOV，更小尺寸，R132助力机器人实现“智”的蜕变

据Gartner发布的2019年新兴技术成熟度曲线显示，3D感知技术有望在未来2-5年进入成熟期。3D机器视觉市场的崛起，意味着通过3D感知+AI人工智能技术驱动的设备和机器会对周围环境有更深入的理解，并能发展到与人类互动的新水平。

“银牛3D机器视觉模组R132”基于全球领先、高度集成的3D人工智能异构计算平台芯片NU4000设计。该芯片采用12nm工艺，多核架构，单芯片集成3D深度感知、SLAM实时定位建图引擎、人工智能及通用CPU于一体，可实现从3D感知、计算到系统一体化的解决方案，助力机器人实现智能升级。R132模组目前聚焦服务机器人行业应用，未来还可以拓展到无人机、直播设备、3D扫描、智能家居、机器视觉等行业应用。

3D机器视觉模组R132

R132的产品亮点：

• 强大的3D深度感知引擎：深度分辨率1280×800@60fps，感知距离0.15m-3m，精度误差<2%，可输出高分辨率的双目深度图像和点云信息；

• 更大FOV深度视场角88°×58°，让机器人拥有更宽广的视野；

• RGB摄像头FOV完全覆盖深度FOV：RGB分辨率1600×1200，视场角90°×73°，实时检测识别跟踪多目标物体，对实现RGBD多传感器的融合提供方便；

• 强劲的NU4000综合AI运算能力和灵活配置，通用ARM核支持不同应用，可独立运行系统，减少主控芯片和系统的负担，提高实时性；

• 低功耗，更小尺寸：90mm×25mm×25mm，功耗低至1.4W；

• 板载IMU：内外参数完整标定的板载IMU。

3D机器视觉赋予机器人三维感知，成为机器人智能升级的关键技术

工业4.0推动机器视觉和机器人行业的加速发展，引领核心视觉感知模块从2D到3D转型，促进生产制造业升级换代。3D机器视觉作为高端制造和智能制造机器人的关键技术，赋予了机器人“眼睛和大脑”的三维感知能力，使机器人具备精准感知、敏捷运动、自主决策等能力。SLAM实时定位与地图构建功能可解决机器人在实际环境中的定位与运动导航的问题，从而使机器人实现环境感知、三维空间重建、人脸和物体识别等功能。

《中国机器人产业发展报告（2021年）》数据显示，2021年全球机器人市场规模预计达到335.8亿美元，其中中国服务机器人市场规模达到302.6亿元，高于全球服务机器人市场增速；到2023年，随着视觉引导机器人、陪伴服务机器人等新兴场景和产品的快速发展，中国服务机器人市场规模有望突破600亿元。中国强劲的增长潜力与巨大国产替代空间，正促使国内机器人产业进入黄金时代，而协作机器人、移动机器人、并联机器人等细分赛道也迎来了爆发的新时期。

银牛联合创始人兼首席战略官白逸表示：“银牛荣获2021中国机器人行业年度卓越投资价值企业奖，让我们感到非常荣幸和自豪，这个奖项不仅肯定了银牛3D感知技术在推动机器人行业发展所带来的价值，也标志着银牛在产品研发创新、市场表现、综合实力等方面均得到了业内认可。如今，机器人产业正处在行业爆发期，银牛携全球领先的3D机器视觉技术和解决方案赋能机器人产业，实际解决机器人避障、3D重构、实时定位等问题，为机器人客户创造更多价值。面对充满无限潜力的未来，银牛微电子将一如既往地持续推动3D机器视觉及AI技术的研发和产品迭代，致力于成为全球3D人工智能时代异构计算平台的引领者，通过更全面的产品和服务助力中国机器人产业升级。”

关于银牛微电子（Inuchip）：

作为全球3D视觉感知技术的引领者和生态构建者，银牛微电子是一家专注3D机器视觉芯片、模组及解决方案的高新科技企业。公司成立于2020年，同年完成对全球领先的3D视觉芯片SoC设计企业Inuitive的并购，其自研芯片NU4000高度集成3D深度引擎，SLAM实时定位建图引擎、人工智能及通用CPU于一体，单芯片即可实现从感知到运算到系统的一体化解决方案。

目前，银牛微电子面向机器人市场已推出两款实现量产的、颠覆性创新产品，3D机器视觉模组C158和R132。银牛的芯片及模组已在全球范围内应用在智能机器人、元宇宙、3D交互、3D扫描、高端无人机等多个前沿3D视觉应用领域的龙头企业产品中。银牛微电子致力于成为全球3D人工智能时代异构计算平台的引领者，助力中国市场的产业升级，引领全球3D行业变革。

作者：应用材料公司

美国时间4月21日，应用材料公司举办了“全新微缩之旅”大师课。期间，我们重点讨论了要在未来若干年内提升晶体管密度，芯片制造商正在寻求互补的两条道路。其一是延续传统的摩尔定律二维微缩，也就是使用EUV光刻和材料工程打造出更小的特征。另一条则是使用设计技术协同优化（DTCO）和三维技巧，对逻辑单元布局进行巧妙优化，这样无需对光刻栅距进行任何更改即可增加密度。这篇博客我们将英文博客原文摘选，一起回顾下该堂大师课程的技术精髓。

回顾二维微缩的发展

众所周知，传统的摩尔定律二维微缩定义了半个多世纪以来芯片行业的技术发展路线图。在2000年前后的丹纳德微缩时代，我们每两年将晶体管尺寸缩减50%。我们缩小了用于控制晶体管开关状态的栅极，其长度定义了节点：90纳米、65纳米等等。我们成比例缩小了氧化栅极，芯片制造商由此享受到了性能、功率和面积成本(或称“PPAC”)的同步改善。回首过往，这些进步来得如此容易！

2000年到2010年间，栅极长度和氧化栅极微缩达到了极限：我们可以对更小的特征进行图形化，但这并非没有物理问题，例如栅极泄漏和接触电阻，这会抵消面积成本降低所带来的性能和功率效益。于是我们过渡到了“等效微缩”，栅极长度仍为30纳米左右，物理氧化栅极的微缩陷入停滞。节点名称不再与实际尺寸挂钩。我们转而使用应变硅和高K值金属栅极等材料工程工艺。如此一来，即使“面积和成本（AC）”改善有所放缓，我们仍可以维持“性能和功率（PP）”效益。2010年往后，三维FinFET架构诞生，使得PP和AC都更上一层楼。

当光刻技术停留在193纳米浸没时，材料工程也同样发挥了作用——将单程图形化限制在约80纳米栅距。双重图形化和四重图形化分别使微缩能力进一步达到40纳米和20纳米栅距。

了解EUV（极紫外光）——使图形化更简单，却令布线更加复杂

当发展至5纳米节点时，EUV技术应运而生，并成就了25纳米栅间距图形化。然而，要想让EUV更具实用性，则需要新的材料工程技术。举例而言，在EUV分辨率极限水平上，晶体管接触通孔很难使用传统的阻挡层加填充方法来填充金属。因为留给金属布线的面积实在太小，并且还导致了接触电阻呈指数增加。与此同时，“集成材料解决方案”（Integrated Materials Solutions）则可实现选择性触点沉积，帮助取消阻挡层的同时，还产生了更宽的低电阻接触点。

微缩新方法及其挑战

1.进一步EUV微缩的方法

有没有新的方法可以进一步缩小尺寸？答案是肯定的，有如下两条道路：

• 持续的内在微缩——即延用传统的二维摩尔定律。也就是使用EUV光刻和材料工程打造出更小的特征。摩尔定律造就了3纳米节点约一半的逻辑密度提高。

• 使用技术协同优化（DTCO）和三维技巧，对逻辑单元布局进行巧妙优化，实现3纳米节点另外一半的逻辑密度提高。

2.EUV微缩面临的材料工程新挑战

使用EUV技术生成光子难度极大且成本高昂。因此，我们要让EUV光刻使用的光子数量仅为深紫外刻蚀的十分之一。此外，我们用EUV刻蚀的图形（比如交替的线条和间隔）就会细很多。这样一来，EUV光刻胶的厚度也会大大缩减，我们便能用更少的光子开发光掩模图形，而且这还有助于防止细图形坍塌黏连。

在4月21日的大师课上，我们探讨了使用EUV进而延续芯片的微缩。前提是我们能同时解决材料工程和量测方法的六大关键问题，如下所示：

• 问题一：纠正EUV光刻胶的随机误差

• 问题二：降低EUV图形化成本

• 问题三：提高EUV图形镀膜的精度

• 问题四：在刻蚀晶圆之前确保光刻胶图形的保真度

• 问题五：解决“边缘布局错误”

• 问题六：使用大数据和人工智能加快进展

深入了解以上6个问题请查看应用材料公司4月14日的博客内容https://blog.appliedmaterials.com/

使用技术协同优化（DTCO）和环绕栅极（GAA）晶体管

如上所言，在3纳米节点，50%的逻辑密度改进来自“内在微缩”，即传统的二维微缩。而另外50%则来自“DTCO”，即设计技术协同优化。“内在微缩”已经为行业服务了50多年，而最近出现的DTCO则有助于弥补传统摩尔定律微缩的放缓。DTCO为我们带来了缩小逻辑单元、增加密度和改善面积成本的最新方法。

1.认识DTCO

DTCO 指的是巧妙改变逻辑单元元件的布局，从而在不更改光刻栅距的情况下实现晶体管的进一步微缩。如今已有数种DTCO技巧用于芯片设计。例如，在隔离单个逻辑单元时，设计人员用单扩散替代了双扩散，从而实现了明显的微缩效果。设计师们还将每个晶体管的鳍片数量从三个减至两个，这称为“减鳍”（fin depopulation）处理。同样，设计人员也在努力实现“栅极上触点”（contact over gate），也就是将晶体管的电接触从侧面移到顶部。

在4月21日的大师课上，我们介绍了一项新涌现的创新成果——环绕栅极晶体管（详情请点击此处）。它利用了DTCO概念提升逻辑密度，同时改善芯片性能和功率。

2.认识环绕栅极晶体管

2010年，FinFET的问世标志着芯片设计从平面二维晶体管转向三维晶体管。而环绕栅极（GAA）晶体管则将成为继FinFET之后芯片业最重大的设计转变之一。

将GAA描述成“DTCO的一种形式”可能显得不合常情，但它的确符合DTCO的定义：GAA是通过巧妙重排晶体管元件，在同等光刻栅距下实现高于FinFET的逻辑密度。值得庆幸的是，伴随GAA而来的还有材料工程创新，这些创新成果将大大改善功率和性能。如下我们将逐一介绍GAA的面积节约效果、探讨外延生长和选择性刻蚀的更多用处，并解释“集成材料解决方案（Integrated Materials Solutions）”如何令GAA晶体管占用更小的空间、发挥更大的作用。

概念上讲，GAA就像是把FinFET晶体管旋转90度。栅极环绕在各沟道的全部四周——与只能从三面包围沟道的FinFET相比又更上一个台阶。DTCO的优点是逻辑单元在X和Y方向上都会缩小。设计师可以在保持性能不变的情况下大幅降低面积成本。不过，他们也许更有可能采取另一种做法：加宽纳米片，以增加驱动电流，从而将性能提高多达25%，同时将密度增加25%左右。

外延生长和选择性刻蚀对GAA功率和性能有至关重要的影响

从制造角度来看，GAA借用了许多成熟的FinFET制造工艺。然而，关键区别在于如何确定并控制沟道的宽度和均匀性。对于FinFET，沟道宽度由光刻和刻蚀决定，且往往存在易变性，这会降低晶体管性能。对于GAA，沟道宽度由更精确的外延生长和选择性刻蚀来定义，这能实现更高的沟道均匀性和晶体管性能。

GAA采用两种外延生长。快速的“全外延生长”（blanket epitaxy）用于沉积交替的硅层和硅锗层，以形成纳米片形结构。随后，慢速的“选择性外延生长”（selective epitaxy）用来将应力工程设计应用于纳米片形结构，以优化晶体管性能。最后，选择性刻蚀用于去除硅锗层——这些硅锗层是“牺牲层”，仅用于辅助形成晶体管电子导通的沟道。

集成材料解决方案：缩小氧化栅极和高K值金属栅极新方法

沟道需要经过进一步设计，以提升晶体管性能。我们需要沉积一个栅极氧化层，从全部四周包围沟道。氧化栅极越薄，驱动电流就越高（这能优化开关性能），漏电流也越低，从而减少功率浪费和发热。事实上，氧化栅极微缩已停滞多年，这方面的突破对芯片制造商来说无疑是好消息。

接下来还要以高K值金属栅极堆叠来包围氧化栅极，高K值金属栅极堆叠负责控制晶体管开关状态。设计这种栅极极其困难，因为GAA沟道之间的间距通常只有10纳米，远小于FinFET的沟道间距。金属栅极堆叠的宽度需要经过专门设计，以针对具体的终端市场，从电池供电移动设备到高性能服务器等等，优化芯片功率和性能。业界需要一种能在极小的空间内实现阈值调谐的解决方案。

应用材料公司已经准备好了覆盖范围最广泛的GAA制造产品线，包含涉及外延生长、原子层沉积和选择性刻蚀的全新生产步骤，以及两项全新的用于制造理想GAA氧化栅极和金属栅极的集成材料解决方案（Integrated Materials Solutions™）。

更多思考：我们还能把晶体管和芯片缩小到什么程度？

回顾4月21日的“全新微缩之旅”大师课详细介绍了两种微缩方法：用EUV推进传统的摩尔定律二维微缩，以及采用DTCO技巧（如“GAA晶体管”）。有了EUV，微缩面临的挑战已不在于图形化，而是在于电阻随晶体管触点和布线的不断缩小而呈指数增长。在美国时间5月26日的“大师课”上，我们还将继续探讨这些挑战，并一起了解背面配电网络和异构集成。

相关阅读：

1.博客1——New Ways to Shrink: Further EUV Scaling Depends on Materials Engineering and Metrology Breakthroughs：https://blog.appliedmaterials.com/new-ways-shrink-further-euv-scaling-depends-materials-engineering-and-metrology-breakthroughs

2.博客2——Newer Ways to Shrink：https://blog.appliedmaterials.com/newer-ways-shrink

3.“全新微缩之旅”大师课链接：https://investor.appliedmaterials.com/events/event-details/new-ways-shrink-master-class

4.应用材料公司微信公众号文章：https://mp.weixin.qq.com/s/LHyt9J6VWGwmM1f4c2AI2g

关于应用材料公司

应用材料公司（纳斯达克：AMAT）是材料工程解决方案的领导者，全球几乎每一个新生产的芯片和先进显示器的背后都有应用材料公司的身影。凭借在规模生产的条件下可以在原子级层面改变材料的技术，我们助力客户实现可能。应用材料公司坚信，我们的创新实现更美好的未来。欲知详情，请访问www.appliedmaterials.com。

近日，低压差线性稳压器（LDO）国内市占率领先的豪威集团发布了LDO新品——WL2848D系列。高精度、低噪声、高PSRR、封装小等特点使其广泛适用手机、安防、消费类、工控等多种领域。

近年来，在人工智能、云计算、5G通讯等技术助力下，智能安防产业发展迅猛。监控摄像机作为系统从感知到认知流程中最基础的环节，对图像质量、稳定性等要求越来越高。 其核心器件CMOS图像传感器必须具备足够高的分辨率和足够高的清晰度。成像质量在暗光下的表现尤其重要。作为图像传感器市场引领者的豪威集团凭借多年的技术积淀及持续创新，通过超级夜视Nyxel®、DCG宽动态范围、低功耗Always-ON等独到技术，不断重新定义图像传感器性能新高度，为安防系统的智能感知积极赋能。

从图像采集系统层面考虑，传感器本身以光电二极管、信号放大、A/D转换为基本构成，收集处理微弱信号过程中容易受到外部干扰源的影响。若使传感器发挥最佳性能，外围电路特别是电源供电部分的设计必需仔细考量。豪威集团LDO新品WL2848D系列可帮助设计人员从容应对电源设计中的挑战。

IPC典型应用框图（图像传感器电源来自LDO）

典型CMOS 图像传感器需要三路不同的电源：DVDD ——数字核心供电；AVDD ——模拟电路供电；DOVDD ——数字I/O部分供电。

1.数字电源DVDD，电压1.1~1.5V，是电源中电流需求最大的一路，精度要求也较高。需要在CMOS图像传感器datasheet上查看DVDD最大电流。所选电源输出能力要有足够的裕量（推荐大于DVDD最大电流的1.5倍）。WL2848D输出电流可达300mA，当然，设计中还必须考虑输入输出的电压差，给LDO的功耗留有裕量，以确保在各种应用场景下LDO不会过热。

“对于高分辨率的图像传感器，DVDD电流可能会较高，超过WL2848D的能力。可考虑输出电流更大的LDO，比如WL2834，其输出能力高达1A。”

另外，DVDD供电电源需有足够的响应速度，以应对图像传感器瞬时变化的负载特性。如下图所示，WL2848D拥有快速的负载响应特性。

负载调整率（1mA→300mA→1mA）

2.模拟电源AVDD，典型电压2.8V，对纹波和噪声十分敏感，在三路电源中要求最高。AVDD如果处理不好，会对成像效果带来显而易见的影响。如下图所示，图像上的水平条纹是由于AVDD电源纹波引入。条纹干扰在拍摄暗态场景时会更加明显，严重影响摄像机的图像质量。

电源噪声带来的水平条纹

解决办法是做好电源纹波或噪声抑制，选择具有高PSRR ，低噪声的LDO往往立竿见影。WL2848D具有高纹波抑制能力，低输出噪声等特性，可以显著减少电源端干扰对后级电路的影响，为传感器提供稳定可靠的供电。

下图是WL2848D的PSRR性能。需要注意的是，对于图像传感器AVDD供电这种应用，除了查看LDO在1KHz时PSRR的指标，还要关注其高频时的表现，在100KHz~1MHz， 需要大于40dB才能对传感器敏感的高频干扰有足够的抑制效果。

输出电容1uF时PSRR的特性

3.DOVDD 是传感器的I/O电压，提供足够的端口驱动能力，典型值1.8V，电流消耗相对较低，WL2848D完全胜任。

如上所述，传感器电源设计需要多方面考虑：选择合适的电源管理器件，合理增加噪声去耦设计，良好的PCB Layout等措施是确保图像传感器发挥最佳性能的前提。

豪威集团WL2848D系列支持1.9V-5.5V的输入电压范围，可实现1.2V~3.3V的输出电压。同时集成包括软启动，具有折返特性的过流保护（取决于输出电压），过温保护等功能。产品采用紧凑的DFN1x1-4L封装。典型应用和关键参数如下：

典型应用

产品参数：

•输入电压范围: 1.9V-5.5V

•输出电压范围: 1.2V~3.3V

•输出电流: 300mA

•静态电流: 58μA Typ

•关机电流: <1μA

•Dropout电压: 149mV @ IOut=0.3A

•PSRR: 74dB @ 1KHz, 58dB @ 1MHz, VOUT=2.8V

•低输出电压噪声: 15xVOUTμVrms

•Vout精度: ±1.5% @ VOUT>2V

•热过载和短路保护

关于豪威集团

豪威集团-上海韦尔半导体股份有限公司（SH：603501）是全球排名前列的中国半导体设计公司。集团研发中心与业务网络遍布全球，在全球范围内拥有4400多名员工，4400余项专利，年出货量超过123亿颗，全球营业额达241.04亿元。豪威集团致力于提供传感器解决方案、模拟解决方案和触屏与显示解决方案，助力客户在手机、安防、汽车电子、可穿戴设备、IoT、通信、计算机、消费电子、工业、医疗等领域解决技术挑战。

天然橡胶与钢铁、煤炭和石油并称为四大工业原料，目前被广泛地应用于工业、军事和民用等各个领域，是国防、航空及基础设施建设的重要原料。中国是全球最大的天然橡胶进口国和消费国，据中国橡胶工业协会的数据显示，我国有85%以上的天然橡胶依赖进口，且该比例呈现逐年攀升的态势。

传统橡胶采集（即割胶生产）高度依赖人工。当前，全球天然橡胶产业遇到的最大发展瓶颈是割胶工严重短缺。据不完全统计，全球胶工缺失过半，极大制约了橡胶行业的发展。

割胶工作昼伏夜出，劳动强度高，工作环境恶劣，工人从事割胶工作的意愿下降。随着社会和经济的发展，胶工流失日趋严重，胶工队伍面临着后继无人的困境。受新冠肺炎疫情影响，一些产胶大国由于国外劳动力无法流动，大量胶树无人割胶，也影响了近年来的橡胶产量。

因此，实现天然橡胶生产自动化，用机器割胶替代人工割胶，已经成为促进行业可持续发展的必由之路，相关智慧胶园解决方案也成为技术刚需。Semtech合作伙伴杭州海联物联科技有限公司（以下简称“海联物联”）为农业自动化、消防安全、智慧工业等领域提供物联网通讯系统方案。针对智慧胶园的市场需求，海联物联使用Semtech LoRa^® 器件开发了AsterNet组网方案，实现了精准割胶，相比人工割胶，产能提升50%以上。

自动化橡胶采集系统的技术痛点：

1. 橡胶园橡胶树排布密集，往往每3-5米就有一棵橡胶树，且传输环境为热带雨林环境，因此需要传输方案解决高设备密度通讯时的信号碰撞问题和覆盖距离问题。

2. 橡胶树的产量与割胶时机有非常大的关系，割胶指令需要根据环境参数调整后下发，因此通讯延迟将直接影响橡胶树的胶水产量，要求方案具有低延迟、高并发的特点。

3. 为了减少割胶机维护工作，割胶机采用电池供电，要求传输方案具有较低的功耗。

基于LoRa的自动化橡胶采集系统

海联物联基于Semtech LoRa器件开发的AsterNet自组网系统，深度结合TDMA和FDMA方案，能够针对性地满足割胶机应用中对通讯系统低功耗、低延迟、高密度等需求，很好地解决了上述智慧橡胶园部署的痛点。

同时，海联物联开发了端到端的自动化橡胶采集控制系统。该系统包含设备端（即割胶机）、网关、网络服务器、应用服务器四大主要模块。其中，设备、网关之间用基于LoRa的通信网络进行数据传输，网关通过以太网或4G和服务器通信。该套物联网平台具有强大的连接能力，支持本地和云端部署模式、横向拓展计算能力，能够无缝接入更多的设备。

根据海联物联的统计，使用该系统进行智能割胶和精准割胶，相比人工割胶提升了50%以上的产能，大大减少了天然橡胶对人工割胶的依赖，解决了目前人工割胶产能严重不足、人工缺失、大量弃割等痛点。目前，海联物联已经协助终端客户在海南、广东、云南、泰国等地的橡胶园实现了批量部署。

凭借LoRa远距离、低功耗、易部署的技术特点，以及“自组、安全、可控”的应用优势，该方案的主要技术特点包括：

• 支持高设备密度：单个网关即可轻松覆盖上万个终端节点，实现数万个设备同时割胶及短时间回传，降低了部署成本。

• 支持高系统容量：组网协议运行在NS（NetworkServer），设备管理、网络优化等设计与运行在网关的自主网相比，相对不受算力限制。

• 低通讯延迟：网关使用了LoRa Core^TM SX130x系列基带芯片，可以轻松实现FDMA，使整个系统支持高设备密度的同时保证通讯低延迟；单网关下上万个设备于短时间内数据回传，满足智慧胶园应用对低延迟、高并发的需求。

• 低功耗：同等功耗下，LoRa器件可以将信号传输得更远。相比其他通讯技术，该方案具有更高的时间与能量利用效率。

• 高可靠性：物联网平台采取一机一密的模式，保证数据传输的安全可靠。

图1：系统框图——海联物联基于LoRa的橡胶采集控制系统

在具体的部署方面，如图1的系统框图所示，设备端由主控和LoRa射频组成，通过基于LoRa的自组网络连接到网关，网关则通过以太网或4G连接服务器，设备管理在服务器端执行。物联网平台将数据推送给割胶应用平台，在应用端进行集中化割胶管理，输出大屏显示模块，同时配备APP，方便用户在手机端随时随地查看、操作割胶动作。

图2：智慧胶园管理应用界面

图3：海联物联自动化橡胶采集系统现场部署1

图4：海联物联自动化橡胶采集系统现场部署2

海联物联基于LoRa的智慧胶园组网系统也将在农业滴灌、工业控制等市场领域大幅度应用，目前海联物联正在规划多套组网系统，为不同的应用市场或领域提供最合适的组网系统。

海联物联总经理徐海表示：“海联物联所推出的基于Semtech LoRa器件的AsterNet组网系统，已经很好地应用于智慧胶园，主要实现同步控制及单网关下上万个设备于短时间内数据回传。目前该方案在批量应用中效果显著，真正满足了客户的需求，解决了客户的痛点，并且相比人工提升了50%以上的产能。未来，我们将在智慧农业、工业、消防等应用领域推出更多基于LoRa的组网系统。”

Semtech中国区销售副总裁黄旭东表示：“物联网部署能够帮助人们提高生产效率，并且更好地保护自然资源，在绿色低碳发展时代将迎来更大的发展机遇。Semtech将持续支持海联物联开发智慧胶园方案，解决行业痛点。我们也期待与更多生态圈伙伴一起，开发基于LoRa的创新方案，推动更多行业的产能提升和智慧转型。”

Semtech LoRa^® 简介

Semtech的LoRa器件到云（Device-to-Cloud）平台是已在全球被广泛采用的远距离、低功耗物联网应用解决方案，能够在全球范围内快速开发和部署超低功耗、高性价比、长覆盖距离的物联网网络、网关、传感器、模组和物联网服务。Semtech的LoRa器件为LoRaWAN^®协议提供通信层，该协议由LoRa联盟（LoRa Alliance^®）开放和维护；LoRa联盟是一个面向低功耗广域网（LPWAN）应用的物联网行业联盟，其成员已在超过170多个国家和地区部署了物联网网络。Semtech是LoRa联盟的创始成员之一。