CEVA的WhisPro™语音识别和控制软件现可用于TI的CC3235x系列MCU，为物联网终端带来强大功能的超低功率语音用户界面

全球领先的无线连接和智能感知技术及共创解决方案的授权许可厂商CEVA, Inc.(纳斯达克股票代码：CEVA)宣布推出WhisPro™语音识别和控制软件，支持使用德州仪器(TI) SimpleLink™ Wi-Fi® CC3235x无线MCU系列的设计。可完全定制的WhisPro软件开发套件(SDK)允许客户选择唤醒词和语音命令，并且完全在设备上运行而无需网络连接。

语音用户界面 (VUI)已迅速成为许多物联网应用的主要界面，为个人用户提供了直观的免手动操作，并能够与智能家居、智能家电、工业/制造业、汽车、医疗等领域的可穿戴设备和终端设备进行互动和控制。根据市场研究机构Mordor Intelligence的预测，从2021年到2026年，语音识别市场的复合年增长率(CAGR)将高达16.8%，于2026年达到272亿美元规模。

通过与TI合作，工程师以CC3235x无线MCU进行设计时可以使用WhisPro SDK，快速、轻松地为物联网设备添加语音识别功能，例如唤醒词和语音命令。WhisPro可并行支持多个唤醒词，包括标准人工智能(AI)助手(如Alexa)和自定义唤醒词，并且可以使用各种语言。在用于设备语音控制的定制命令方面，WhisPro可以支持多达30个定制命令，以满足个别产品使用案例的独特需求。模型所需容量可低至50KB，视乎计算资源和精度权衡而定。用于 TI CC3235x 的 WhisPro 引擎针对 Arm® Cortex®-M4处理器进行了优化，实现极低延迟和绝对最低功率。

德州仪器Wi-Fi连接产品经理Naomi Heller表示：“在整个物联网领域，从可穿戴设备到白色家电，语音控制正在成为许多设备和应用的必备功能。通过与CEVA合作，我们确保工程师可借助成熟可靠的SimpleLink Wi-Fi无线MCU来提供语音用户界面，实现这些令人兴奋的使用案例。”

CEVA副总裁兼传感器和音频业务部门总经理Chad Lucien表示：“我们很高兴宣布与半导体行业的翘楚德州仪器合作，将WhisPro语音识别软件用于其无线MCU系列。凭借出色的性能和根据每位客户需求定制模型的能力，我们的软件结合TI的硬件，可使得双方的共同客户为语音物联网终端和设备提供高性能的高成本效益解决方案。”

如要了解有关用于TI SimpleLink Wi-Fi系列的CEVA WhisPro SDK的更多信息，请访问公司网页https://www.ceva-dsp.com/product/ceva-whispro/。如要索取软件评测套件，请联络 sales@ceva-dsp.com。

关于CEVA公司

CEVA 是排名前列的无线连接和智能传感技术以及集成 IP 解决方案授权商，旨在打造更智能、更安全、互联的世界。我们为传感器融合、图像增强、计算机视觉、语音输入和人工智能应用提供数字信号处理器、人工智能处理器、无线平台、加密内核和配套软件。这些技术与我们的 Intrinsix IP集成服务一起提供给客户，帮助他们解决复杂和时间关键的集成电路设计项目。许多世界排名前列的半导体厂商、系统公司和 OEM利用我们的技术和芯片设计技能，为移动、消费、汽车、机器人、工业、航天国防和物联网等各种终端市场开发高能效、智能、安全的互联设备。

我们基于 DSP 的解决方案包括移动、物联网和基础设施中的 5G 基带处理平台；摄像头设备的高级影像技术和计算机视觉；适用于多个物联网市场的音频/语音/话音应用和超低功耗的始终开启/感应应用。对于传感器融合，我们的 Hillcrest Labs 传感器处理技术为耳机、可穿戴设备、AR/VR、PC机、机器人、遥控器、物联网等市场提供广泛的传感器融合软件和惯性测量单元 (“IMU”) 解决方案。在无线物联网方面，我们的蓝牙(低功耗和双模)、Wi-Fi 4/5/6/6E (802.11n/ac/ax)、超宽带(UWB)、NB-IoT和GNSS 平台是业内授权较为广泛的连接平台。

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Microchip Technology Inc.
Xuning Zhang和Kevin Speer

高压功率系统设计人员努力满足硅MOSFET和IGBT用户对持续创新的需求。基于硅的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。不过，随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。

在过去20年间，额定电压介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越来越高，如今的1700V SiC产品便是在其成功的基础上打造而成。技术的进步推动终端设备取得了极大的发展；如今，随着额定电压为1700V的功率器件的推出，SiC技术的众多优势已惠及新兴终端设备细分市场，包括电动商用和重型车辆、轻轨牵引和辅助动力、可再生能源以及工业传动等领域。

设计人员可借助适当的功率器件封装和栅极驱动最大程度地发挥1700V SiC MOSFET的优势，这样便能在最宽的功率水平内扩大其相对于现有硅解决方案的优势。

低功率水平下的优势

在低至几十至几百瓦的功率下工作时，1700V SiC MOSFET晶体管的优势开始展现。SiC技术是辅助电源（AuxPS）的理想解决方案，几乎所有电力电子系统都使用AuxPS。如果没有辅助电源，将无法为栅极驱动器、检测和控制电路或冷却风扇供电。由于它提供任务关键型功能，因此可靠性是AuxPS应用的第一要务。

1700V SiC MOSFET帮助减轻AuxPS故障的方法之一是利用其高击穿电压、低比导通电阻和快速开关等特性。在这些特性的共同加持下，可极大简化采用单开关反激拓扑的电路设计（见图1）。相比之下，基于硅的解决方案则面临各种问题，包括额定电压对于该拓扑而言过低（这就需要使用双开关架构，导致故障风险加倍），或者需要牺牲性能才能达到额定电压。此外，这类解决方案的供应商数量较少，成本也高于SiC器件。

图1. 采用宽输入单开关反激拓扑的常见辅助电源

1700V SiC MOSFET采用单开关反激拓扑，便于当今的低功率隔离开关电源支持多种输入和输出要求。它们能够接受范围较宽的高压直流输入（300V至1000V）并输出低压（5V至48V）电源。单开关反激拓扑不但改善了简便性，还减少了元件数量并降低了相关总成本。

除了可靠性提高、控制方案复杂度降低、元件数减少和成本下降以外，利用1700V SiC MOSFET的AuxPS的外形也更加小巧。SiC MOSFET的面积归一化导通状态电阻也称为比导通电阻（R_on,sp），是硅MOSFET所呈现特性的一部分。这意味着小型芯片可以使用小型封装，从而降低导通损耗，最终使散热器的尺寸减小、费用降低，甚至无需使用散热器。SiC MOSFET的开关损耗也较低，这为通过增大开关频率来缩减变压器的尺寸、重量和成本提供了一种途径。

图2给出了各种SiC器件的效率随输出功率提高的程度。凭借当今最高效的器件，系统设计人员甚至能够实现被动冷却，即无需散热器。

图2. 多款SiC器件与一款硅高压MOS器件的效率—输出功率曲线比较

随着功率处理能力的提高，优势逐渐增多

随着功率处理能力的提高，SiC技术更快速、更高效的开关性能的影响也在增加。当功率范围增加至几十或几百千瓦（kW）时，SiC技术有许多应用。图3给出了功率为千瓦级的三相逆变器（本例中为75 kW）及其拓扑。它经常应用于EV牵引、EV充电器、太阳能逆变器、UPS和电机驱动等领域。

图3. 上述千瓦级三相逆变器（包括功能部分和拓扑）的关键优先级依次为效率、可靠性和功率密度（尺寸减小且重量减轻）

图4将此使用1700V低电感封装功率模块的逆变器设计的效率与替代功率半导体的效率进行了比较。SiC模块在10 kHz时的峰值效率可达99.4%。即使开关频率变为原来的三倍，即达到30 kHz，SiC模块的效率仍然高于硅IGBT。这样一来，便可以替换掉更重、更昂贵的滤波器组件，使尺寸缩小至原来的三分之一。

图4. 10 kHz和30 kHz开关频率下SiC解决方案与硅IGBT的效率比较

通常，与硅IGBT相比，MOSFET的开关损耗平均降低80%，这不但有助于转换器提高开关频率，还能替换掉更重、更昂贵的变压器，从而缩小尺寸、减轻重量及降低成本。SiC MOSFET和硅IGBT在重载下的导通损耗相似，但考虑所谓的“轻载”条件其实更加重要，因为很多应用在其大部分使用寿命期间都在轻载条件下运行。处于遮阳结构下或阴天时的太阳能逆变器，无风天气下运行的风力涡轮机转换器，通过运输辅助电源（APU）定期开/关的列车车门等，这些均处于轻载条件下。在这些用例中，与硅IGBT相比，SiC MOSFET的导通更低，这与它们减少的开关损耗相辅相成，设计人员可以减少甚至去除散热或其他热管理措施。

与低功率AuxPS应用一样，凭借在这种较高功率范围内使用的SiC MOSFET，设计人员可通过使用更简单的电路拓扑和控制方案来提高可靠性。而这又有助于减少元件数并降低相关成本。在这些应用中，中等功率电源转换器的高功率传输需求需要使用通常介于1000V和1300V之间的较高直流总线电压。为了最大程度提高效率，在此类高直流链路电压下使用硅晶体管的设计人员过去不得不从一些复杂的三级电路架构中进行选择。例如，二极管中性点钳位（NPC）电路、有源NPC（ANPC）电路和T型电路。当使用1700V SiC MOSFET时，这种情况发生了改变，设计人员现在可以使用器件数减半且控制方案显著简化的两级电路。例如，之前在三级电路拓扑中使用硅IGBT的系统，现可在更可靠的两级拓扑中使用一半数量（或更少）的1700V SiC MOSFET模块。

图5给出了设计人员利用SiC技术大幅减少NPC、ANPC和T型电路的总器件数的显著程度。如果完全不考虑在每个开关位置并联的多个器件的好处，那么IGBT所使用的各种电路架构的元件数将达到SiC解决方案的4至6倍。随着器件数的大幅减少，栅极驱动器的数量也相应减少，这样控制方案便得到了简化。

图5. SiC技术能够利用更简单的两级拓扑提高效率和功率密度，同时增强可靠性。这样，每相桥臂只需两个器件加上两个驱动器即可构成75 kW三相逆变器，如上面的NPC、ANPC和T型电路示例中所示

迈向兆瓦级应用

兆瓦级应用涵盖商用和重型车辆中的固态变压器（SST）和中压直流配电系统到牵引动力单元（TPU）。其他应用包括中央太阳能逆变器、海上风能转换器和舰载电源转换系统。图6提供了模块化多级转换器的示例。

图6.模块化多级转换器

在处于此兆瓦级功率范围的应用中，上图给出的固态变压器转换器使用多级串联电源单元满足电压要求。每个单元可以是半桥单元或全桥单元。一些设计人员甚至会选择三级架构。使用基于基本单元的模块化解决方案有助于提高可扩展性，同时最大程度地减少维护工作。这些单元有时称为电力电子构件或子模块，它们配置为级联H桥转换器或模块化多级转换器（MMC）。

为了实现这些单元，设计人员过去使用1200V至1700V硅IGBT。将这些IGBT更换为1700V SiC MOSFET（单元级）时，产生的效果与低功率应用中的描述相同：更出色的功率处理能力和电气性能。1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率。每个单元的尺寸大幅减小，并且1700V的高阻断电压可减少达到相同直流链路电压所需的单元数。最终，这不但通过减少单元数提高了系统可靠性，同时还通过使用更少的有源开关和栅极驱动器降低了成本。例如，当在10 kV中压配电线上运行的固态变压器中使用1700V SiC解决方案时，与使用硅替代方案的变压器相比，串联单元数减少了30%。

功率器件封装和适当栅极驱动的重要性

SiC MOSFET能够以极高的速度进行高功率开关，因此必须减轻由此引起的次级效应，包括噪声和电磁干扰（EMI），以及由寄生电感和过热引起的有限短路耐受时间和过压。典型中等功率电源转换器可在1 μs内关闭1000V–1300V总线上的几百安电流。

Microchip提供能够大幅减小寄生电感的SiC MOSFET模块封装选项。其中包括杂散寄生电感低至2.9纳亨（nH）以下的半桥封装，这种封装可最大程度地提高电流、开关频率和效率（见图7）。这类封装还提供更高的功率密度和小巧的外形，并联少量模块即可构建完整系统，有助于进一步减小设备的尺寸。

图7. 当今的SiC模块为设计人员提供了多种封装选项，包括杂散电感低至2.9 nH以下的半桥选项（如上所示）

除了最大程度地减小封装电感和优化系统布局以外，设计人员还可使用专门设计的全新栅极驱动方法来减轻SiC MOSFET快速开关引起的次级效应。与传统模拟方案相比，当今的可配置智能快速反应数字栅极驱动器最高可将漏极-源极电压（V_DS）过冲降低80%，开关损耗降低50%。此外，这类驱动器还能使上市时间最多缩短6个月，并且提供全新的增强型开关功能。

凭借这些功能，设计人员可探索各种配置并将其重复用于不同的栅极驱动器参数，例如栅极开关配置文件、系统关键型监视器和控制器接口设置。它们能够快速微调栅极驱动器来支持多种不同的应用，而无需对硬件进行任何修改，从而缩短从评估到生产的开发时间。它们还能够根据需要和/或在SiC MOSFET性能降低时在设计过程中更改控制参数，以及现场更改开关配置文件。

当今的SiC MOSFET产品也是综合SiC生态系统的一部分，可满足从评估一直到生产的各种需求。其中包括可定制的模块选项以及数字栅极驱动器，用户只需单击鼠标即可优化系统性能及缩短上市时间。其他生态系统元件包括参考模块适配器板、SP6LI低电感功率模块、安装硬件以及热敏电阻和直流电压连接器，再加上可配置软件的编程工具包。配套的分立式产品完善了生态系统。

众多优势

在从数瓦到数兆瓦的众多功率变换应用中，高压SiC MOSFET正在推动设计人员超越硅解决方案的各种限制，从而推动功率变换系统开发领域的创新。在应用到功率转换器和功率系统时，它们能够提高可靠性和效率，同时降低成本、减小尺寸并减轻重量。与智能数字栅极驱动配合使用时，1700V SiC MOSFET可发挥最大价值。Microchip提供丰富且可靠耐用的SiC元件产品组合，这些产品以芯片、分立元件和功率模块以及数字栅极驱动器解决方案的形式提供，让设计人员能够轻松、快速且自信地采用SiC。

11月18日 ，国轩高科与越南VinGroup合作的电池工厂在越南河静经济开发区正式开工。该项目一期规划年产能5GWh，是越南第一个磷酸铁锂电池工厂，预计2023年末投产。河静省省委书记黄中勇先生，省委常务副书记陈世勇，省人委会主席武仲海先生，VinGroup 集团副董事长兼总经理阮越光先生，国轩高科董事长李缜先生，VinES公司总经理范垂玲女士等共同见证了本次仪式。

本次开工的越南VinES-Gotion河静电池工厂，由国轩高科及越南VinGroup集团旗下VinES共同投资，其中国轩高科持股51%，VinES持股49%，是越南首个磷酸铁锂电池制造工厂。据规划，工厂占地210亩，项目规划年产能5GWh，预计2023年底完成建设并投产。未来，该工厂的产品将满足越南VinFast 新能源汽车对电池的需求。

越南VinES隶属于越南最大民营企业VinGroup集团，主要负责动力电池生产业务。该集团旗下VinFast系全球领先的新能源汽车制造企业，产品在东南亚市场广受赞誉，并远销欧美。

仪式现场，VinES公司总经理范垂玲表示，VinES非常荣幸与Gotion合资建设的LFP电池工厂，这是VinFast电动汽车自主电池供应战略的重要组成部分，也是VinES领先的能源解决方案公司发展战略的一部分。新工厂位于VinES电池组生产厂旁，将完成越南LFP电池的闭环生产，从而提高VinFast电动汽车的本地化率和生产效率，同时为越南电动汽车和清洁能源产业发展开辟新的机遇。

国轩高科董事长李缜表示， VinGroup集团是全球备受尊敬的企业，国轩高科与VinGroup合作的电池工厂，将支持VinFast的电动汽车对电池的需求，不仅助力越南的能源变革、气候友好和经济发展，也将共同为人类社会的能源文明做出贡献。

今年以来，国轩高科全球化战略逐步落地，6月与阿根廷JEMSE公司达成战略合作，拟合资在阿根廷胡胡伊省建立电池级碳酸锂产线；同期德国国轩正式揭牌，开启国轩电池"欧洲造"步伐；7月，公司通用存托凭证（GDR）在瑞士交易所敲钟上市；9月与苏美达签订战略合作协议，推动储能产品出口业务发展。据公司规划，到2025年有望实现全球300GWh产能，其中海外100GWh，助力全球碳中和实现。

稿源：美通社

11月15日，天合光能携创新至尊N型产品，闪耀亮相第二十四届高交会（CHTF）——全球清洁能源科技创新博览会，首次发布新一代Vertex至尊N型595W组件，当天同时亮相的还有至尊N型690W组件。

作为我国高新技术领域对外开放的重要窗口和高新技术成果产业化的重要平台，高交会由商务部、科学技术部、工业和信息化部、国家发展改革委、农业农村部、国家知识产权局、中国科学院、中国工程院和深圳市人民政府共同举办。

在这一全球瞩目的高端平台上，天合光能展示了全新至尊N型产品家族构筑起的电站场景"王牌组合"，充分满足国内大基地光伏电站上山、下海、进沙漠的多样化需求。

预计2023年N型组件产能达20-30GW。该系列产品基于先进的210产品技术平台和N型i-TOPCon电池技术，天合光能再次引领新一代先进电池技术，实质性引领行业加速迈向N型新时代。

至尊N型595W、690W横空出世，市面同比功率提升30W！

新一代至尊N型595W组件适用于地面电站及部分工商业分布式，秉承至尊产品家族的优势，具有高功率、高效率、高发电量及高可靠性等优势，最高输出功率达595W，相比市面上一般的N型组件，功率提升达30W，组件效率达22%。

至尊N型 690W组件更是显著提高功率，比市面同类一般N型组件高出70W！效率高达22.2%；完美适用于各种大型地面电站。

至尊N型组件是双面双玻设计，双面率高达80%，组件的衰减率更低，效率和发电量更高，从而有效降低项目的BOS成本和度电成本。天合光能已形成了覆盖大型地面电站、工商业、户用全场景的N型产品组合。

全场景化解决方案，至尊N型中的"最佳拍档"和"度电成本之王"

降低度电成本、提高投资回报率，是大型地面电站建设最核心的问题之一。而在国内大基地模式下，光伏地面电站已开启全新的场景应用探索，应用场景涵盖山地、水面、沙漠、戈壁等多种复杂场景。助力电站用户在多场景下获得高收益，天合光能打造N型场景化解决方案，至尊N型产品家族全面满足用户不同场景需求。

至尊N型595W组件采用最新的210产品平台及i-TOPCon技术，更好地适用于复杂地形场景下的大型地面电站。更显著的是，基于210R矩形电池技术，凭借极致化的尺寸设计及低电压优势，N型595W组件完美利用一组104米的跟踪支架长度，跟行业一般N型72片、78片组件相比，可以多串6-12块组件，不浪费一点长度，最大化利用，可谓跟踪支架的"最佳拍档"，再次降低BOS成本。

至尊N型690W组件则是地面电站的"度电成本之王"。超低衰减为全生命周期发电量保驾护航，优化双面发电性能带来更高双面收益，超低工作温度系数使得发电量更有保障，加之创新的低电压、高功率设计实现了更高组串功率，将度电成本降至更低水平。

厚积薄发，600W+打造价值高地，210+N再次引领行业

天合光能至尊N型产品基于先进的210产品技术平台和N型i-TOPCon电池技术，实现更更高功率、更大价值。在目前电站产品中，从效率、功率到LCOE都全面领先，210+N型，让领先更进一步。而这份领先基于技术和产业链协同的厚积薄发。

早在2018年，天合光能就实现了i-TOPCon组件的量产与交付，研发的i-TOPCon技术入选超级技术领跑者示范项目。彼时已全面积淀、具备了N型量产能力。从研发到打通产业链再到大规模产业化，天合光能不断突破。今年8月，天合光能自主研发的Vertex至尊高效N型单晶硅组件的窗口效率达到24.24%，创造了大面积产业化N型单晶硅i-TOPCon组件的世界纪录。

让领先持续，凭借先进的210产品技术平台。作为210产品技术的倡导者和推动者，天合光能致力于构建广泛兼容i-TOPCon、HJT等前沿电池技术的开放式平台。基于210产品技术平台上研发的至尊高效N型组件系列，同时具备210产品技术和N型技术优势，为客户创造更大价值，天合光能再度引领新一代电池技术。未来，基于前瞻性和广泛的兼容性， 210产品技术平台还将不断叠加新技术升级，持续领先。

天合光能以用户为中心，提出"四高一低"理念。基于210产品技术平台打造的600W+高功率组件，全面满足高功率、高效率、高可靠性、高发电量四大核心要素，为度电成本降低打开崭新通道，引领行业发展趋势。如今600W+产品市场渗透率逐步提高，已经成为中国及全球头部厂商的招牌拳头产品。

产能保障：明年N型组件产能将达到20-30GW

新一代至尊N型组件将于2022年底前实现量产，至明年第一季度，天合光能将释放超过10GW N型组件产能；到2023年底，天合光能N型组件产能将达到20GW至30GW。

青海西宁全产业链光伏产业园新增产能布局均为新一代N型技术路线，并基于210产品技术，促进大尺寸与N型技术路线的提升及整体推广，更好地服务终端客户。预计年产30万吨工业硅、年产15万吨高纯多晶硅、年产35GW拉晶、年产10GW切片、年产10GW电池、年产10GW组件及15GW组件辅材，计划于2025年底前完成。今年9月底对外公告，公司拟在江苏淮安投资建设年产15GW高效电池和15GW大功率组件项目。天合光能充分保障N型产能供给，同时优化N型产业链上下游的整体布局，进一步提高公司在下一代 N 型电池技术产业化的竞争地位。

从2018年，天合光能i-TOPCon组件的量产与交付，到如今，得到市场广泛认可并应用于全球各地。为满足市场上日益增长的超高性能组件需求，天合光能将继续开发和推出更多的高效N型组件产品。

天合光能始终将绿色低碳的可持续发展理念纳入公司的发展战略，持续创新，为客户提供"四高一低"的高价值产品，助力全球清洁能源发展。

稿源：美通社