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在单板计算领域的一项重大突破中,AAEON推出了de next-TGU8,这是采用板载英特尔酷睿i级处理器的最小的电路板,尺寸仅为3.31英寸×2.17英寸(84毫米×55毫米)。焊在设备上的第11代英特尔酷睿i7/i5/i3/赛扬处理器(原名Tiger Lake-UP3)可提供4个内核和8个线程。

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这种能力确保用户可以利用de next-TGU8的16GB板载LPDDR4x内存的潜力和可扩展性,它还包含有一个M.2 2280 M-Key(PCIe [x2]),以实现AI加速、Wi-Fi和4G模块等扩展能力。

de next-TGU8还为PCIe [x4] Gen 3提供了一个FPC插槽和扩展槽套件,用于额外添加存储或连接更先进的图形卡,可以替代处理器当中的英特尔UHD核显。

尽管是这样小的一块主板,de next-TGU8还是为它配备了完善的接口,它具有双RJ45以太网端口、两个USB 3.2 Gen2和四个USB 2.0插槽,以及一个通过HDMI和eDP端口的双显示接口。

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由于这些特点,AAEON相信de next-TGU8是在无人机和机器人技术中迎来下一代边缘AI应用的产品。

关于新的de next-TGU8的更多信息,请访问其产品页面:

https://www.aaeon.com/en/p/embedded-single-board-computers-denext-tgu8

来源:cnBeta.COM

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全球领先的内存产品和技术解决方案提供商金士顿科技公司的闪存子公司金士顿数码公司宣布推出IronKey Keypad 200(KP200),这是业界首款为您的数据提供最新FIPS 140-3级安全保护的存储设备。

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IronKey Keypad 200在设计时就考虑到了强加密安全保护和使用的灵活性,在一个功能丰富且独立于操作系统的字母数字键盘中提供XTS-AES 256位硬件加密。

KP200集成了一个内置的可充电电池,因此用户可以随时不加电使用键盘来解锁移动闪存,以便于使用PIN码访问,而无需使用软件。解锁后,用户可以通过将移动闪存插入任何支持USB Type-A闪存的设备来访问他们的数据,使其成为跨IT生态系统的即插即用设备。

KP200通过了FIPS-140-3级(待定)认证,具有军事级别的安全性,而且该移动闪存的电路上涂有防篡改的坚韧环氧树脂,以防止在不损坏其内部组件的情况下进入。为了提供另一个层次的保护,键盘上涂有聚合物保护层,以防止在按键上分析指纹。

KP200支持多PIN选项,允许使用单独的管理员或用户PIN。KP200在十次登录失败后会锁定用户PIN码,但如果同时启用这两个PIN码,则可使用管理员PIN码来恢复用户PIN码和对移动闪存的访问。如果管理员PIN码本身被连续错误地输入了十次,内置的暴力攻击保护将对移动闪存进行加密擦除,永久性地破坏数据并重置设备。此外,KP200可以通过两种不同的只读模式防止来自不受信任的系统的恶意软件,使管理员能够在特定的会话中或在所有用户会话中对移动闪存进行写保护。

产品细节:

KP200为FIPS 140-3级别增加了安全增强功能。

最小PIN码长度从7位增加到8位(最大为15位),以提高PIN码安全性

没有出厂预设的PIN码 - 用户必须在第一次使用时设置PIN码

定期自我测试,以确保安全功能的全面运作 - 如果检测到问题,KP200将被关闭

在过热和电压条件下自动关闭

增强的随机数发生器,以加强加密密钥的生成

金士顿IronKey Key Keypad 200的可用存储容量从8GB到128GB不等,并有三年有限保修,提供免费技术支持。

来源:cnBeta.COM

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作为RS Group旗下的全球专业全渠道工业产品和服务解决方案供应商,欧时(RS)始终致力于持续推出新产品和新技术,为企业提供可靠的产品解决方案,助力客户应对在数字化转型发展中遇到的挑战,提高运营效率。

数字化时代,企业对于数据的依赖和智能化的需求往往是巨大的,而这种需求驱动了物联网(loT)产业的发展。近几年,物联网产品逐渐广泛应用到了工业制造的方方面面。因此,欧时与全球2500多家供应商合作,携手推出了众多物联网产品解决方案,覆盖了从传感器、仪表、电缆到数据记录仪等一系列工业物联网产品领域,帮助客户在生产的各个环节提高效率、监测运维,进而实现传统工业的智能升级目标。

欧时中国销售团队负责人余德宝对此表示: “在数字化浪潮下,企业想要创造更高的价值,除了不断研发创新,也需要更加精细化的管理和智能化的战略升级。在智慧工业的时代,欧时凭借全球化的库存和供应链管理能力,能够从全生命周期推动企业数字化的进程,并通过丰富的物联网产品组合为企业降本增效添砖加瓦。”

随着愈来愈多的传统制造企业把数字化转型上升到企业战略目标,为了更高效地满足客户需求,欧时自有品牌RS PRO也陆续推出了多样化的工业物联网产品解决方案,例如具备IO-Link功能的工厂自动化传感器、带有适用于M12连接器的IP67分线盒的传感器接线盒等产品,可适用于多种工业环境并兼容所有传感器品牌;以及CAT5ECAT6A等工业以太网跳线和各种工业自动化电缆组件等。

自1997年进入中国市场以来,欧时持续为客户提供创新和多渠道的解决方案,并于2000年推出首份中文产品目录、CD-ROM及网站。目前,欧时可提供数十万种基于物联网和智能连接所打造的产品,助力企业工业数字化转型。未来,欧时将继续以创新为引擎,不断迭代技术和产品,全方位满足中国产业升级与高质量发展的多元需求。

关于欧时

欧时(RS)作为RS Group旗下的贸易品牌,是一家全球专业的全渠道工业产品和服务解决方案供应商,为客户提供从设计、生产、工业设备维护和运营的安全和可持续的服务。我们为全球超过120万客户提供来自2500多家行业主流供应商的70万余种工业和电子产品、以及广泛的增值服务。我们在32个国家地区开展业务,同日订单发货量超过6万件。

我们通过创新和技术赋能产品设计,在生产阶段助力客户提高产能缩短上市时间,并在维护阶段帮助客户降低采购成本,优化库存管理,为客户提供产品全生命周期支持的同时,也提供定制化的产品和服务建议,帮助客户实现降本增效与业务增长的双重目标。

RS Group已在伦敦证券交易所上市,股票代码为RS1,截至2022年3月31日,公司年度收入为25.54亿英镑。

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全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)与莱布尼茨IHP研究所今日共同宣布,将推出创新的130纳米SiGe BiCMOS平台,进一步扩大与莱布尼茨高性能微电子研究所(IHP)的长期合作关系。作为新协议的一部分,X-FAB将获得IHP的尖端SiGe技术授权,将这一技术的性能优势带给大批量市场的客户群体。

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130纳米SiGe BiCMOS平台

新创建的130纳米平台显著加强了X-FAB的技术组合,提供了独特的解决方案,达到满足下一代通信要求所需的更高性能参数。受益于这项技术的领域包括Wi-Fi 6(和未来的Wi-Fi 7)接入点,以及下一代蜂窝基础设施(特别是5G 毫米波与新兴6G标准)和车对车(V2V)通信;该技术还将在+100GHz雷达系统的开发中发挥关键作用,适用于汽车和消费类应用。

这项许可协议延续了2021年启动的合作,当时X-FAB的铜后道工艺被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技术中,以提高可支持的带宽数据。关于这一创新的SiGe平台,X-FAB将于2022年第四季度开始与选定的早期合作厂商开展原型开发项目。早期准入的PDK可实现原型设计,而量产将在X-FAB法国位于巴黎附近的工厂进行。

IHP科学总监Gerhard Kahmen教授表示:“将IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平台,将为客户打造真正与众不同的SiGe BiCMOS技术,这肯定会带来切实的性能优势。我们双方之间的技术转让,已成为工业与研究机构携手取得卓越成果的完美范例。”

“X-FAB和IHP在融合我们各自优势资源开发前沿半导体解决方案领域拥有杰出的成绩;双方针对SiGe技术的最新协议将这一实践带入令人兴奋的全新阶段。”X-FAB RF技术总监Greg U'Ren博士表示,“这是双方进一步推进SiGe BiCMOS相关创新的起点,涵盖了工业自动化、消费电子和车载等使用案例,将推动在未来几年内对通信领域的重新定义。”

缩略语:

BiCMOS 双极互补金属氧化物半导体

HBT        异质结双极型晶体管

mmW           毫米波

PDK       工艺设计套件

RF         射频

SiGe              锗硅

关于X-FAB:

X-FAB是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆代工集团,生产用于汽车、工业、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至130nm的模块化CMOS和SOI工艺,及其特色SiC与微机电系统(MEMS)长寿命工艺,为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X-FAB的模拟数字集成电路(混合信号IC)、传感器MEMS在德国、法国、马来西亚和美国的六家生产基地生产,并在全球拥有约4,000名员工。www.xfab.com

关于IHP:

IHP作为莱布尼茨联合研究所的一部分,是欧洲领先的硅基系统和超高频电路与技术(包括新材料)研究中心。该研究所为无线和宽带通信、安全、医疗技术、工业4.0、汽车工业及航空航天等应用领域开发创新的解决方案。IHP拥有先进的工艺基础设施,包括1500平方米的DIN EN ISO 14644-1洁净室,用于为毫米波、THz和光子学应用制造合格的硅基射频技术与系统。通过内部设计套件的开发,技术模块的扩展迅速达到可靠且适用的水平。其旗舰技术包括世界最快、稳定和合格的130纳米SiGe BiCMOS工艺线(采用下一代高性能SiGe HBT技术的SG13G2和最新SG13G3)。IHP拥有约360名员工。www.ihp-microelectronics.com

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2022913提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Qorvo® QPA1724 Ku/K波段氮化镓 (GaN) 功率放大器 (PA)。该产品功率可达同类PA的两倍,并且能够提供出色的宽带线性功率、增益和功率附加效率 (PAE),具备非常出色的RF性能。

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贸泽分销的Qorvo QPA1724是一款针对17.3GHz21.2GHz (Ku/K) 卫星通信波段的高功率MIMIC放大器,其饱和输出功率为20W(约43dBm),小信号增益为25dB,功率附加效率为27%。该器件采用Qorvo0.15μm碳化硅基氮化镓工艺 (QGaN15),并且提供完全匹配至50ΩDC接地I/O端口,其输入和输出端口均带有片上DC阻断电容。

QPA1724非常适合雷达和卫星通信 (SATCOM) 应用,包括低地球轨道星座和宽带、多载波高数据吞吐量解决方案。该产品采用7.5mm × 6.0mm × 1.6mm QFN封装,并且完全通过了DCRF测试,以确保符合电气规范。对于评估和开发工作,还可从贸泽订购QPA1724EVB评估板。

如需进一步了解QPA1724放大器,请访问https://www.mouser.cn/new/qorvo/qorvo-qpa1724-gan-amplifier/

作为全球授权分销商,贸泽电子库存有极其丰富的半导体和电子元器件并支持随时发货™。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计,贸泽网站提供了丰富的技术资源库,包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、设计工具以及其他有用的信息。

工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报,及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时,我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利,让您能自由掌控想要接收的内容。欢迎登陆https://sub.info.mouser.com/subscriber-sc注册,及时掌握新兴技术、行业趋势及更多资讯。

关于贸泽电子 (Mouser Electronics)

贸泽电子隶属于伯克希尔哈撒韦集团 (Berkshire Hathaway) 公司旗下,是一家授权电子元器件分销商,专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球分销商,我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持,分销超过1200家品牌制造商的680多万种产品。我们通过遍布全球的27个客户支持中心,为客户提供无时差的本地化贴心服务,并支持使用当地货币结算。我们从占地9.3万平方米的全球配送中心,将产品运送至全球223个国家/地区、超过65万个顾客的手中。更多信息,敬请访问:
https://www.mouser.cn/

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以高性能GaN器件应对能源管理挑战

隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司(以下简称“博世创投”)已完成对广东致能科技有限公司(以下简称“致能科技”)的Pre-A轮投资。致能科技总部位于广州,是国内领先的氮化镓IDM(Integrated Device Manufacturer)公司。凭借其在氮化镓器件领域的丰富经验和创新技术,致能科技致力于研发新一代氮化镓功率器件,在现有基础上全面提升氮化镓工作电压、导电能力、开关频率等关键性能参数,助力实现更高效的功率管理系统。

根据市场研究机构Yole Développement最新报告,全球功率半导体市场预计将由2020年的175亿美元增长至2026年的262亿美元,未来5年年均复合增长率达到7%。全球碳中和的共识带来了绿色能源管理、新能源汽车、可再生能源等领域的更高需求,而氮化镓芯片正是实现上述目标的关键技术。

“中国是全球最大的同时也是增长最快的功率半导体市场,氮化镓则是实现下一代功率系统进而实现碳中和的关键技术之一。凭借着工艺和器件结构的创新,致能科技将更加充分的发挥出氮化镓在功率领域的技术潜力,”博世创投投资合伙人及中国区业务负责人孙晓光表示,“对致能科技的投资将进一步丰富我们在第三代半导体领域的布局。”

氮化镓材料的BFOM(Baliga Figure of Merit,系用于评价功率半导体材料综合性能的最常用指标之一)参数分别达到硅材料的2400倍、碳化硅材料的5倍。由于其优异的材料性能以及制造工艺上的长足进步,氮化镓功率器件近年来正在快速进入快充、电源、IDC(Internet Data Center)等市场。尽管如此,由于器件结构的限制,氮化镓材料的优势仍远未得到充分发挥,基于氮化镓材料的功率器件性能仍有巨大的提升空间。致能科技在氮化镓设备、工艺、器件以及系统设计等各领域拥有全栈式的技术积累。凭借其在工艺及器件的底层创新,致能科技将进一步加速氮化镓的市场渗透,并逐渐将其应用领域扩展至汽车及工业市场。博世创投将与其它股东一起,共同为致能科技团队持续提供有力支持,助力中国第三代半导体产业发展。

关于致能

广东致能科技有限公司成立于2018年,公司瞄准目前氮化镓功率器件性能及可靠性短板,针对器件展开底层创新。目前公司已布局面向全功率段的新一代氮化镓功率器件核心技术及专利,在成本、性能及可靠性方面展现出巨大潜力。公司创始人从事GaN研究及产业化15年以上。其带领的致能科技团队整合了GaN功率器件设计、工艺及封装相关经验创新人才,建立了覆盖前道及封装的完整能力,是行业内为数不多的兼具研发及量产持续创新能力的创业团队。

关于博世创业投资有限公司

隶属于全球领先的技术与服务供应商博世集团,博世创业投资有限公司(博世创投)作为技术投资者,在全球范围内寻找处于各个发展阶段的创新型初创企业,主要集中在与博世目前及未来业务相关的领域,如自动化和电气化、能源效率、赋能技术和医疗系统,以及这些领域相关的服务和商业模式。此外,博世创投还通过“开放博世(Open Bosch)”项目实现博世与初创企业的共同创新。

有关博世创投的更多信息,请访问:www.rbvc.com

博世集团是世界领先的技术及服务供应商。博世集团近402600名员工(截至20211231日)。在2021财政年度创造了787亿欧元的销售业绩。博世业务划分为4个业务领域,涵盖汽车与智能交通技术、工业技术、消费品以及能源与建筑技术领域。作为全球领先的物联网供应商,博世为智能家居、工业4.0和互联交通提供创新的解决方案,旨在打造可持续、安全和轻松的未来出行愿景。博世运用其在传感器技术、软件和服务领域的专知,以及自身的云平台,为客户提供整合式跨领域的互联解决方案。利用带有人工智能(AI)功能或在开发和生产过程中运用人工智能技术的产品和解决方案,推进互联生活。通过产品和服务,博世为人们提供创新有益的解决方案,从而提高他们的生活质量。凭借其创新科技,博世在世界范围内践行科技成就生活之美的承诺。集团包括罗伯特博世有限公司及其遍布约60个国家的440家分公司和区域性公司。如果将其销售和服务伙伴计算在内,博世的业务几乎遍及全世界每一个国家。博世集团于2020年第一季度在全球400多个业务所在地实现了碳中和。博世的长远健康发展建立在不断创新的基础上。博世的研发网络拥有约76100名研发人员,包括38000多名软件工程师,遍布全球128个国家和地区。

公司是由罗伯特博世(1861-1942)于1886年在斯图加特创立,当时名为精密机械和电气工程车间。博世集团独特的所有权形式保证了其财务独立和企业发展的自主性,使集团能够进行长期战略规划和前瞻性投资以确保其未来发展。慈善性质的罗伯特博世基金会拥有罗伯特博世有限公司94%的股权,其余股份则分属于罗伯特博世有限公司和博世家族拥有的公司。多数投票权由罗伯特博世工业信托公司负责。该信托公司也行使企业所有权职能。

有关博世的更多信息,请访问:www.bosch.com, www.iot.bosch.com,
www.bosch-press.com, www.twitter.com/BoschPresse.

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-Wolfspeed 计划提升材料产能超10

-碳化硅材料制造工厂将位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County),战略毗邻现有的达勒姆(Durham)材料工厂

-公司将与北卡罗来纳农业与理工州立大学(NC A&T)拓展合作,培养新一代碳化硅人才

全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布,将投入数十亿美元在北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)建造全新的、采用领先前沿技术的碳化硅(SiC)材料制造工厂。这一投资计划提升 Wolfspeed 现有碳化硅产能超 10 倍,支持公司长期增长战略,加快碳化硅半导体在一系列终端市场的采用,开启能源效率新时代。

Wolfspeed 总裁兼首席执行官 Gregg Lowe 表示:“Wolfspeed 作为行业引领者,供应先进碳化硅材料,以满足对于新一代半导体日益增长的需求,并致力于开创更可持续的未来。对于我们产品的需求持续快速增长,而且整个产业目前也继续受限于有限的供应。扩大我们的材料生产,将进一步加强我们的市场领先地位,并使得我们更好地服务客户,满足不断增长的需求。此外,我们在北卡罗来纳州不仅要扩大 Wolfspeed 工厂,我们还将与北卡罗来纳农业与理工州立大学开展合作,为我们人才库培养输送更多优秀人才。”

这座工厂将主要制造 200mm 碳化硅晶圆。200mm 晶圆的面积是 150mm 晶圆的 1.7 倍,这也意味着单片晶圆可制得的芯片数量将更多,也将最终有助于降低器件成本。这些晶圆将用于供应 Wolfspeed 莫霍克谷工厂(Mohawk Valley Fab)这座于今年早些时候开业的全球首家、最大且唯一的全自动化 200mm 碳化硅制造工厂。

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Wolfspeed 位于北卡罗来纳州查塔姆县(Chatham County)碳化硅材料制造工厂的渲染图

该工厂的一期建设预计将于 2024 年完成,成本预计 13 亿美元。在 2024 年至这个十年结束之前,公司还将根据需求扩大额外产能,预计最终占地面积 445 英亩,建成超过 100 万平方英尺的工厂。

北卡罗来纳州州长 Roy Cooper 表示:“Wolfspeed 的选择进一步证明了北卡罗来纳州将清洁能源作为发展重点。这是我们朝着清洁能源经济发展的又一里程碑。它将促进电动汽车制造与海上风电发展,同时为抗击气候变化做出贡献。”

英文原稿,敬请访问:

https://www.wolfspeed.com/company/news-events/news/wolfspeed-selects-north-carolina-for-worlds-largest-silicon-carbide-materials-facility/

关于Wolfspeed

Wolfspeed(NYSE: WOLF)引领碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术在全球市场的采用。我们为高效能源节约和可持续未来提供业界领先的解决方案。Wolfspeed 产品家族包括了 SiC 材料、功率开关器件、射频器件,针对电动汽车、快速充电、5G、可再生能源和储能、以及航空航天和国防等多种应用。我们通过勤勉工作、合作以及对于创新的热情,开启更多可能。了解更多详情,敬请访问 www.wolfspeed.com

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CMOS 图像传感器公司豪威科技(OmniVision)近日宣布推出 OV08X这是业内首款像素尺寸为 0.7-micron,在 1/5.7 英寸光学尺寸下实现 4K 视频拍摄的 920 万像素 CMOS 传感器。

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OV08X 可适配多种 16:10 (1920x1200) 纵横比显示器,且在垂直长度(y轴)上仅占用 4 毫米。是笔记本电脑市场上首款集成了四单元滤色片阵列和片上硬件拼图的图像传感器,可实时提供高质量的 920 万 Bayer(Bayer 格式指的是大多数彩色图像传感器在每个像素点位置只感应RGB 三通道中一个通道的颜色,用于节约制造成本)输出。

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豪威科技产品营销经理阿基姆·陈表示:“用户不再需要依赖外部网络摄像头来进行高质量视频通话。OMNIVISION 的 OV08X 图像传感器让高端和旗舰笔记本电脑设计师能够使用高分辨率 4K 摄像头打造最薄的设备。我们还通过新的 OV08X 满足了许多在家工作和学习的用户需求,包括自动取景、人体存在检测和高动态范围 (HDR) 图像捕捉”。

OV08X 图像传感器现已出样,将于 2022 年 12 月量产。

来源:cnBeta.COM

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虚拟初赛将于今年10月开始

IPC连续第二年举办IPC设计大赛,邀请印刷电路板设计者参与竞争,以成为2023年IPC设计冠军。IPC设计竞赛由两场比赛组成--虚拟初赛和2023年1月24日在加州圣地亚哥的IPC APEX EXPO举行的三位顶尖选手的现场布局决赛。

"设计标准和相关行业项目经理Patrick Crawford说:"今年,我们将以更先进的设计、决赛选手的旅行津贴和现金奖励来提升比赛的水平。"任何对电路板设计感兴趣的人都可以报名,但我们建议业余爱好者和专业人士都有几年的电路板设计经验,熟悉并有能力执行IPC标准要求。克劳福德补充说:"使用ECAD工具是参加初赛的必要条件。

初赛将于2022年10月17日至11月18日举行,允许设计者使用他们喜欢的工具在25天内完成整个电路板的制作。参赛者只需提供一张原理图、一份BOM(物料清单)和一份工作范围文件,他们将负责交回一个已完成设计的Gerber文件包,并根据他们对IPC标准和一般DFX(卓越设计)原则的解释和设计的实施进行评判。三名决赛选手将被邀请参加2023年IPC APEX EXPO的四小时布局决赛。在决赛中,参赛者将得到一个部分完整的Altium设计项目文件,并有四个小时的时间来完成布局,包括设计规则规范、布线和元件放置。

IPC设计大赛的报名是免费的,截止日期为2022年10月13日。欲了解更多信息,包括资格要求、初赛和决赛信息以及报名表,请访问 www.ipc.org/standards-ipc-design/ipc-design-competition-2023.

关于IPC

IPC(www.IPC.org)是一个全球性的行业协会,总部设在美国伊利诺伊州班诺克本,致力于为代表电子行业所有方面的3000多家会员公司提供竞争优势和财务成功,包括设计、印刷电路板制造、电子组装和测试。作为一个成员驱动的组织和行业标准、培训、市场研究和公共政策倡导的主要来源,IPC支持各种计划以满足估计2万亿美元的全球电子行业的需求。

通过www.DeepL.com/Translator(免费版)翻译

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摘要:                                    

半导体封装技术总体上可以分为两大类: (1) Wire Bonding 引线键合工艺,(2) Non-Wire Bonding 非键合工艺,如FC、Clip bond等封装技术。据相关数据统计,使用引线键合这种传统封装工艺的器件仍占据近70%的出货量。虽然近些年来以WLCSP为代表的先进封装技术发展迅速,但传统的封装工艺不会被完全淘汰,两者会长期共存发展。

谈到半导体封装就不得不提到其重要的封装材料—键合线。目前市场上的键合线根据材质分为几大类:金、银、铜、镀钯铜、铝等这几类线材已得到了广泛应用,这里就不过多赘述,我们就谈谈最新一代的键合线产品—镀金银线

1键合线市场信息:

由于黄金具有出色的抗氧化、抗腐蚀能力,及良好的电特性等优点, 被广泛的用于半导体封装中,早期的封装工艺使用的键合线只有金线。但随着黄金价格的不断攀升,在单颗器件中,金线的成本仅次于基板位居第二位(芯片外),成为封装厂降低成本的主要目标。此时,铜线、镀钯铜线、银合金线等低成本的材料先后被推向市场,在各的应用领域占据一定市场份额。

下图为不同键合线的市场用量分析和预测:                                              

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2为何是镀金银线?

目前金线的主要应用领域为存储器、高可靠性汽车电子、高端LED、摄像头模组、军工、航空等,这些领域里的产品由于其产品特点决定了不适合使用铜线、银合金线等低成本线材。

为何不能用铜线?由于铜线的硬度比金线高了约25%左右,在一些Pad铝层较薄的产品中,如存储器中Nand Flash有的薄至0.5um,如果打铜线很容易出现Pad Peeling、Crack等问题。相反,有部分产品Pad 铝层较厚,甚至达到4um以上,如果Pad焊点开窗较小,铝层飞溅将是铜线键合的主要挑战。

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图1.铜与金对比,数据来源:贺利氏电子

为何不能用银合金线?由于银离子相对比较活跃,尤其在一些高湿的环境中,会产生银离子迁移的情况。同时,在有电流通过的情况下,银离子迁移速率会提高。银离子迁移会导致两个Pad之间短路,最终导致产品失效,尤其是在一些小间距产品上的挑战很大。此外,银容易与硫反应生成硫化银,从而产生可靠性问题。

通常我们在纯银里会参杂一些微量元素以改善上述性能,金(Au)、钯(Pd)常常被选为主要参杂元素。钯会形成氧化钯层从而抑制银离子析出的速度,金会减少自由的银离子的数量从而减少银离子迁移。

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图2. PdO 层抑制银离子析出,

图片来源: Kim Vu, Silver Migration – The Mechanism and Effects on Thick-Film Conductors, Material Science Engineering 234 – Spring 2003.

以下是不同纯度的银合金线的银迁移速率的对比。虽然合金会延缓银离子迁移速率,但在一些高湿度的可靠性测试中,银合金线表现出的可靠性还是比金线要差。所以,银合金线通常会在一些低可靠性要求的产品中才有应用。

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图3.银离子迁移实验,数据来源:贺利氏电子

针对以上铜线、银合金线产品的不足之处,镀金银线被认为是目前这部分金线产品理想的替代品。它具体有哪些优势呢,下面会详细介绍一下。

3 镀金银线的特点:

在介绍产品特性前,先了解一下它的加工过程。顾名思义,镀金银线是在银外面电镀一层金,以下是镀金银线简单的生产工艺流程图:

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图4. 镀金银线工艺流程图               

核心材料为Ag加入少量Pd,Pd的添加可有效延缓IMC的生长,从而提高了高温存储的可靠性。

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图5. 反应机理示意图 

为何选择Au作为镀层材料?众所周知,金具有非常出色的抗氧化、抗腐蚀的特性,并与很多材料都有着良好的结合效果。因此,电镀一层金,对里面的银起到了很好的保护作用,从而提升了银线的抗硫化和抗腐蚀能力,也改善了银离子迁移的问题,提高了可靠性。

但是,由于Au与Ag 的材料属性决定了它们之间易融合从而相互扩散形成固容体,影响Au的表面覆盖率。所以,提高Au在Ag表面的覆盖率对于此类镀金银线的可靠性尤为重要。为了解决这个问题,通常会在Au与Ag之间加入阻碍层以延缓Au扩散到Ag内部。

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图6. Au &Ag 材料属性对比,数据来源:贺利氏电子

FAB抗氯离子腐蚀对比实验结果表明,与银合金线相比,镀金银线有着非常出色的抗氯离子腐蚀的性能,这是因为FAB表面Au包覆性非常好。为何会有如此好的包覆性?这也是得益于阻碍层起到了作用,减少了Au向融化后的银球里扩散。另外,电镀时特殊的添加物会使Au 具有良好的表面张力及润湿性,在FAB 形成时会更多的Au流下来覆盖FAB。

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图7. FAB抗氯腐蚀实验

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图8. FAB表面 Au 覆盖

在FAB形成时,除金线外其它材料都需要惰性气体进行保护,从而对设备提出了更高的要求。但实验结果显示,镀金银线加了保护气后FAB反而会变差,这是由于气体破坏了Au Flow的流动,使Au 分布变差,所以,这款镀金银线的键合工艺无需保护气体,真正实现了Gas Free,降低了对设备的要求。   

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图9. FAB有/无保护气体对比

第一焊点与金线进行对比,球形很圆,特别适合小焊盘产品的使用;但由于镀金银线硬度会略高于金线,所以,在铝飞溅控制方面会略逊色于金线。

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图10. 第一焊点球形对比

第二焊点与金线及其它银合金线进行对比,拉力值无显著差异;第二焊点参数窗口与金线基本重合,明显大于银合金线。

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图11. 第二焊点拉力值对比

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图12. 第二焊点参数窗口对比

可靠性测试,镀金银线在bHAST 196h,高低温循环2000次后,第一焊点切片结果显示Au层的覆盖没有被破坏,仍能起到很好的保护作用,另外,在高温存储3000小时后没有发现明显的柯肯达尔空洞现象。

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图13. EDS-Mapping图片

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图14. 高温存储后切片照片

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图15. 量产中的产品可靠性数据

以下是镀金银线与金线、银合金及铜线的对比。这里汇总了一些关键的性能指标,包括导电阻率与4N金线相当,FAB硬度远低于铜线,打开真空包装后的使用寿命是60天等。

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4镀金银线的主要推广领域

做为贺利氏全球首推,第一款用于高端产品应用的镀金银线 AgCoatPrime1.png,目前在存储器市场-NAND /NOR Flash、智能卡等市场已经有不少客户在量产使用。另外,在LED市场的室内/户外照明、摄像头、射频器件等消费类电子中的应用也在积极推广中。贺利氏依托其在键合线领域近50年的技术积淀,提供具有高可靠性和性价比的创新产品,与客户一同推动半导体封装技术的不断进步。

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