稿源：美通社

要点：

• 骁龙X75实现高达7.5Gbps的下行传输速度，创造Sub-6GHz频段全球最快的5G传输速度纪录。

• 作为高通第六代5G调制解调器及射频系统，骁龙X75支持包括基于TDD频段的四载波聚合（CA）以及1024QAM在内的先进5G特性，能够在5G独立组网（SA）网络配置下实现Sub-6GHz频段极高的下行传输速度。

2023年8月9日，圣迭戈——高通技术公司今日宣布，骁龙^®X75 5G调制解调器及射频系统持续突破5G性能边界，在Sub-6GHz频段实现了高达7.5Gbps的下行传输速度，创造了全新纪录。

这一成果是基于今年2月在MWC巴塞罗那期间发布的全球首个5G Advanced-ready调制解调器及射频系统——骁龙X75而实现的，彰显了高通在突破5G性能边界、提升5G灵活性方面持续做出的努力。

此次连接基于5G独立组网（SA）网络配置进行终端测试，通过在单个下行链路中使用由四个TDD载波信道聚合组成的载波聚合实现300MHz频谱总带宽，以及1024QAM技术实现这一速率。

通过将四个TDD载波信道进行聚合，使运营商能够充分利用其不同的频谱资产，实现更高的数据传输速率。此外，与256QAM相比，1024QAM通过在单次传输中包含更多数据，最终实现数据吞吐量和频谱效率的提升。

骁龙X75的这两项性能，以及该调制解调器及射频系统支持的其它十项全球首创特性，能够带来更好的用户体验、更快的下载速度、更大的网络容量以及更高的频谱效率。这些特性能够为更多用户带来可满足未来需求、运行更流畅的终端，并支持对数据连接要求更高的应用，例如视频串流和下载、在线游戏等。

高通技术公司产品管理副总裁Sunil Patil表示：“骁龙X75 5G调制解调器及射频系统是我们有史以来打造的最智能的无线调制解调器，它面向未来而设计，具备能够支持5G Advanced特性的架构，旨在助力全球运营商定义下一代网络。我们期待继续与行业领军企业合作，带来业内最佳的连接体验，并推动消费、企业和工业场景下的行业变革。”

骁龙X75目前正在向客户出样，商用终端预计将于2023年下半年发布。欲获取更多技术细节和信息，请参阅博客文章和访问骁龙X75网页。

关于高通公司

高通公司正在赋能人与万物智能互联的世界。基于“统一的技术路线图”，我们将驱动智能手机变革的众多技术——包括先进的连接、高性能低功耗计算、终端侧智能等，高效地扩展至不同行业中的下一代智能网联终端。高通和骁龙平台带来的创新将助力实现云边融合，变革众多行业，加速数字经济发展，并改变我们体验世界的方式，创造更加美好的生活。

高通公司包括技术许可业务（QTL）和我们绝大部分的专利组合。高通技术公司（QTI）是高通公司的全资子公司，与其子公司一起运营我们所有的工程、研发活动以及所有产品和服务业务，其中包括半导体业务QCT。骁龙和高通品牌产品是高通技术公司和/或其子公司的产品。高通专利技术由高通公司许可。

非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*¹一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*²）系列”两个系列，共5款新机型。

近年来，在通信基站和工业设备领域，为了降低电流值、提高效率，以往的12V和24V系统逐渐被转换为48V系统，电源电压呈提高趋势。此外，用来冷却这些设备的风扇电机也使用的是48V系统电源，考虑到电压波动，起到开关作用的MOSFET需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚芯片一体化封装的双MOSFET的需求增加。

在这种背景下，ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式，开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*³（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品，如果替换掉两枚单MOSFET（仅内置1枚芯片的TO-252封装），可以减少77%的安装面积。

新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个（样品价格 550日元/个，不含税）的规模投入量产。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过Ameya360电商平台均可购买。

目前，ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容，同时也在开发低噪声产品。未来，将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间，为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

＜产品阵容＞

Nch+Nch 双MOSFET

Nch+Pch 双MOSFET

* 预计产品阵容中将会逐步增加40V、60V、80V、150V产品。

＜应用示例＞

・通信基站用风扇电机

・FA设备等工业设备用风扇电机

・数据中心等服务器用风扇电机

＜通过与预驱动器IC相结合，为电机驱动提供更出色的解决方案＞

ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合，使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持，为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

与100V耐压双MOSFET相结合的示例

■HT8KE5（Nch+Nch 双MOSFET）和BM64070MUV（三相无刷电机用预驱动器IC）

■HP8KE6（Nch+Nch 双MOSFET）和BM64300MUV（三相无刷电机用预驱动器IC）等

＜电商销售信息＞

开始销售时间：2023年8月起

网售平台：Ameya360

新产品在其他电商平台也将逐步发售。

＜电机用新产品的规格书数据下载页面＞

从ROHM官网可以下载包括新产品在内的低耐压、中等耐压和高耐压MOSFET的规格书。

https://www.rohm.com.cn/new-product/middle-power

＜术语解说＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写）

金属－氧化物－半导体场效应晶体管，是FET中最常用的结构。被用作开关器件。

*2) Pch MOSFET和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。

Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏极与源极之间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

*3) 导通电阻（Ron）

使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。

【关于罗姆（ROHM）】

罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】

销售网点：起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

作者：Frederik Dostal，现场应用工程师

问题：

为什么需要电平转换？

答案：

反相降压-升压电路通常用于从正电压产生负电源电压。最重要的一步是确保正确产生负电压。但是，如果电源由主应用电路控制或监控，则可能还需要电平转换电路。该电路以地为基准，而反相降压-升压电源电路的GND引脚连接到所产生的负电压。

简介

反相降压-升压电路产生的负电压幅度可以高于或低于可用正电压的幅度。例如，从+12 V可以生成-8 V，甚至-14 V。当使用具有反相降压-升压电路的开关稳压器IC时，系统可能需要设计通信引脚。如果确实需要，设计人员必须进行充分的电平转换，以便可以利用同步和使能信号。

设计电平转换电路的注意事项

反相降压-升压拓扑是基本开关稳压器拓扑之一，只需要一个电感、两个电容和两个MOSFET开关。其中的开关可由任意降压稳压器或控制器驱动。因此，可供使用的开关稳压器构建模块有很多。图1显示了具备所有必要元件的反相拓扑。

图1.利用降压开关稳压器生成负电压的反相降压-升压拓扑

图2显示了带有ADP2386降压稳压器的降压-升压电路。如果反相电路使用了降压稳压器IC，则该IC的接地连接需连接到生成负电压的地方。降压稳压器的原始输出电压连接到系统地。而因为输出电压连接到系统地，所以反相拓扑中降压稳压器自身的地以生成的负电压为基准。IC的基准电压地（图2中的GND）未连接到系统地。因此，这两个地的电位不同。开关稳压器IC接地将成为所生成的负电压。开关稳压器IC上的所有引脚现在都以所生成的负电压为基准，而不是以系统地为基准。因此，从系统到IC或从IC到系统的通信线路和连接需要进行电平转换，以保障安全通信并防止损坏。通常，相关信号为SYNC、PGOOD、TRACKING、MODE、EN、UVLO和RESET。图2显示了电平转换电路的一个示例，使用了两个双极性晶体管和七个电阻（蓝色）来产生一个信号。该电路需占用一定的空间，并且增加了电路的复杂性和成本。前面提到的所有信号均必须单独部署这种电平转换器。当开关稳压器IC使用了电源管理总线(PMBus^®)等数字总线时，情况将更为复杂。此时，整个总线连接必须采用电平转换或电气隔离才能运行。

图2.外部电平转换器用于为开关稳压器IC供电，使用外部时钟实现同步

专为反相电压设计的开关稳压器IC免去了对这种外部电路的使用需求。ADI公司根据降压稳压器IC设计了一系列开关稳压器IC，旨在为系统（即整个电子电路）和反相开关稳压器IC之间的通信提供便利。电路不需要使用如图2所示的外部电平转换结构。

图3.MAX17579设计为反相降压-升压稳压器，其中已集成电平转换功能

图3所示为MAX17579开关稳压器IC，可以从正电压产生负电压。显而易见的是，图3所示电路比图2要紧凑得多。

LTspice^®或EE-SIM^®设计与评估环境等仿真工具，可以帮助用户更好地了解反相拓扑中的稳压行为和潜在的电位差。这些工具还可以用来设计和优化电平转换电路。MAX17579之类的IC也可以利用EE-SIM设计工具轻松实现仿真。

关于ADI公司

Analog Devices, Inc. (NASDAQ: ADI)是全球领先的半导体公司，致力于在现实世界与数字世界之间架起桥梁，以实现智能边缘领域的突破性创新。ADI提供结合模拟、数字和软件技术的解决方案，推动数字化工厂、汽车和数字医疗等领域的持续发展，应对气候变化挑战，并建立人与世界万物的可靠互联。ADI公司2022财年收入超过120亿美元，全球员工2.4万余人。携手全球12.5万家客户，ADI助力创新者不断超越一切可能。更多信息，请访问www.analog.com/cn。

关于作者

Frederik Dostal是一名拥有20多年行业经验的电源管理专家。他曾就读于德国埃尔兰根大学微电子学专业并于2001年加入National Semiconductor公司，担任现场应用工程师，帮助客户在项目中实施电源管理解决方案，积累了丰富的经验。在此期间，他还在美国亚利桑那州凤凰城工作了4年，担任应用工程师，负责开关模式电源产品。他于2009年加入ADI公司，先后担任多个产品线和欧洲技术支持职位，具备广泛的设计和应用知识，目前担任电源管理专家。Frederik在ADI的德国慕尼黑分公司工作。