GaN

TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET
德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59%。
Transphorm发布高压GaN的最新可靠性数据
高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)今天发布了有关其GaN技术的质量和可靠性(Q+R)的最新信息。