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【原创】中国EUV光源样机亮相!国产化率90%!

作者:电子创新网张国斌

中国本土公司已经向EUV光刻机发起冲锋!多家公司公开亮相光刻多款机关键部件。

在最近召开的2026 年第二十六届中国国际工业博览会正在国家会展中心(上海)上,朗道燧岩首次在此次工博会上展示了一台极紫外(EUV)光源系统样机,这也是目前公开展示中国产进度最靠前的 EUV 光源样机,被称作高端光刻机的“心脏”。

朗道燧岩官网展示的EUV光源样机

官网显示,朗道燧岩主要从事半导体制造专用设备的研发、生产与相关技术服务,创始人王豪博士团队以清华大学气体放电等离子体实验室的研发成果为基础,聚焦半导体制造工艺核心技术:LPP—EUV光刻光源。业务不断成熟,项目快速发展,有许多年轻面孔加入我们的团队。

据官网介绍,王豪是朗道燧岩(上海)科技有限公司创始人兼 CEO。其2020 年博士毕业于 清华大学电机系,深耕电气工程等离子体领域,曾入选国家博士后创新人才支持计划、“重庆英才”计划。

王豪2024 年创立朗道科技,启动 EUV 光源项目。他带领的团队以年轻科研人员为主,强调“热爱物理、不惧难题”,致力于在光刻光源这一核心环节实现自主可控。朗道燧岩布局了三大核心业务板块:燧岩做EUV光源,辉光做大功率CO₂激光器;天算做等离子体仿真软件。目前公司研发出等离子体多物理场耦合仿真软件及等离子高端设备制造与诊断解决方案,相关成果已应用于半导体设备制造、航空航天、生物医疗等领域。

现代EUV光刻设备配备了功率更高的光源。 ASML 于 2018-2019 年推出了用于商业生产的 250W 级 EUV 光源,此后实现了更高的输出功率。提高输出功率需要更强大的 CO₂ 激光器、高精度锡液滴发生器、有效的碎片抑制装置等。朗道燧岩官网已列出多款 EUV 产品,包括高功率极紫外光源腔体 FlintMicro-LPP Alpha01、激光诱导等离子体极紫外光源,以及低功率 EUV 光源系统 FlintNano LPP-OXXO 系统。

根据朗道燧岩的规格说明,该光源采用与国际领先厂商一致的激光脉冲激发电浆(LPP)技术,通过激光轰击锡微滴产生波长 13.5 纳米 的极紫外光。国产化率达到 90%,核心零部件自主研发。FlintNano LPP-OXXO 系统(低功率段):驱动激光功率 1,000 W,EUV 能量 > 15 W,连续运行超 100 小时,等离子体稳定性为 3% RMS,EUV 输出功率稳定性为 5%。这些特性使该系统适用于半导体曝光实验,但其输出功率还需提升。现场工作人员也明确表示,该光源系统距离量产仍需3至5年。

除了朗道燧岩展示的EUV光源,笔者注意到在刚刚闭幕的2026湾芯展上,上海米莱芯程半导体有限公司展示了光刻机核心部件--投影物镜。

在该公司展台还展示了完整的光机模型

米莱芯程是一家专注于半导体投影式曝光机(光刻机)研发的初创公司,核心目标是攻坚国产光刻机整机及核心光学部件。公司全称为上海米莱芯程半导体有限公司,成立于2025年3月,主要从事投影式曝光机的研发,产品应用于半导体晶圆制造的光刻环节。其全资子公司“芯颐和”聚焦光学部件,已构建覆盖光刻机16个核心子系统的自研能力。

据悉,公司研发团队具备KrF及i-line光刻机整机研发经验,员工约350人,硕士及以上学历占比约47%。

2026年6月,公司自主研发的首套i-line照明系统与投影物镜已交付国内头部光刻机厂商,这是国内首次由非整机厂企业完成曝光光学系统成套交付。

同样2026湾芯展上,上海微电也展示多款光刻机核心部件。

随着中国近几年在关键元器件、部件、材料设备领域的重点投资,中国半导体设备国产化进程在加速,近期这一系列关键部件的展示表明,中国本土公司正在向光刻机领域发起集团冲锋,也许不久的将来,我们将看到激动人心的成果!

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