氮化镓(GaN)在电力电子行业风靡一时。这种宽禁带半导体能够实现非常高的效率和功率密度，该性能优势正迅速成为电源制造商保持竞争力和符合日益严格的能效标准的必要条件。
您对氮化镓有多少了解？作为设计工程师，您准备好从硅转向氮化镓了吗？您如何克服在高开关频率下驱动氮化镓晶体管的挑战？在一系列新的短片中，Power Integrations营销副总裁Doug Bailey回答了以上问题，并介绍了我们的PowiGaN技术的优势：
短片1：什么是氮化镓(GaN)？
短片2：氮化镓(GaN)的可靠性和耐用性
短片3：氮化镓(GaN)的应用
短片4：PowiGaN器件
与MOSFET相比，氮化镓晶体管可显著降低与电容和电阻有关的能量损失，从而提高效率，减少热量，性能表现达到前所未有的水平。 此外，开关频率也能得以大幅提高。 然而，分立的氮化镓晶体管可能难以驱动。 我们的PowiGaN技术将氮化镓开关无缝集成到InnoSwitch离线反激式开关IC中，使这一难题迎刃而解。 只需将您设计中的硅基InnoSwitch器件替换为PowiGaN器件，即可迅速提升电源性能。
PowiGaN器件具有非常高的可靠性和耐用性，应用前景非常广泛，其应用不仅仅局限于更小、更轻的充电器具有决定性优势的USB PD充电等市场，在电视机、冰箱和许多其他应用中也具有不俗的性能表现。
如需了解更多信息，请查看PowiGaN器件的完整阵容，并使用我们的PI Expert Online软件和PowiGaN IC开始设计自己的电源。 该软件可以在几分钟内将您的电源规格参数转换为现成的设计。
