GaN

交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市

首款具备直流阻断功能的双向GaN技术，可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量

面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器

在追求高效能与高功率密度的现代电力电子领域，氮化镓（GaN）技术正引领着一场深刻的变革。为应对快速充电、数据中心能源、绿色照明及工业电源等应用对开关频率、效率与可靠性的严苛要求，集成化、智能化的功率半导体解决方案已成为行业发展的关键。

为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。

本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。 

该文章将介绍 GaN 技术的快速发展如何改变电源系统，开发出强大、高效的解决方案。

全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. 宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。

满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。

安森美基于全新GaN-on-GaN技术，其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆