GaN

泊微科技新品双发｜两款Ku波段GaN功放芯片正式发布：覆盖 12–18.5GHz，高功率/高效率双标杆
随着相控阵雷达、电子对抗与微波回传向高频段、高集成、高可靠演进，射频前端对功率、效率提出更高要求。泊微科技同步推出两款 Ku 波段GaN功率放大器芯片，覆盖12 GHz–18.5 GHz频段，为射频系统提供稳定、高效、易用的核心器件方案。
PI发布技术白皮书，深入解析1700V GaN器件
作为InnoMux-2产品系列的一员，这款目前全球少有的1700V氮化镓(GaN)开关IC，极大地拓展了GaN技术的应用范围。PI最新发布的两份白皮书，深入分析了1700V GaN器件如何在多路输出反激式电源中实现效率与功率密度的最大化：
意法半导体发布GaN参考设计，面向家电与工业驱动电机控制应用
交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市
瑞萨电子推出首款650V双向TP65B110HRUGaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革
首款具备直流阻断功能的双向GaN技术，可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量
意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器
氮矽科技推出新一代700V GaN功率集成芯片DXC650S1K2H，助力高频高效电源设计
在追求高效能与高功率密度的现代电力电子领域，氮化镓（GaN）技术正引领着一场深刻的变革。为应对快速充电、数据中心能源、绿色照明及工业电源等应用对开关频率、效率与可靠性的严苛要求，集成化、智能化的功率半导体解决方案已成为行业发展的关键。
智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化
为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。
在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。 
借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限
该文章将介绍 GaN 技术的快速发展如何改变电源系统，开发出强大、高效的解决方案。
Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源
全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. 宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。