GaN

干货 | 借助高集成度 TOLL 封装 GaN 器件推动电源设计创新
当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。
河南科之城金刚石基GaN功放器件完成全部客户交付
微波单片集成电路(Microwave monolithic integrated circuit,MMIC)以其体积小、重量轻、一致性好和可靠性高等优点在微波毫米波领域得到了迅速的发展。
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业用GaN晶体管产品系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。
干货 | 开关模式电源开始采用GaN开关
在开关模式电源中使用GaN开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了GaN作为硅的替代方案在开关模式电源中的未来前景。
CGD 官宣突破100KW以上技术，推动GAN挺进超100亿美元的电动汽车逆变器市场
ICeGaN HEMT 和IGBT 的并联组合降低了成本、实现高效率
英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》：GaN将在多个行业达到应用临界点，进一步提高能源效率
在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司一直站在创新前沿，利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。
无辅助绕组 GaN 反激式转换器如何解决交流/直流适配器设计难题
本文将探讨德州仪器的 UCG28826 集成 GaN 反激式转换器如何帮助您克服交流/直流适配器设计难题。
德州仪器扩大氮化镓（GaN）半导体自有制造规模， 产能提升至原来的四倍
德州仪器采用当前先进的 GaN 制造技术，现启用两家工厂生产 GaN 功率半导体全系列产品
英飞凌率先开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体技术，推动行业变革
凭借这一突破性的 300 mm GaN技术，英飞凌将推动GaN市场快速增长
Shin-Etsu Chemical将开发用于300毫米GaN的QSTTM衬底
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (TOKYO: 4063)（总部：东京；总裁：Yasuhiko Saitoh；以下简称“Shin-Etsu Chemical”）创建了专门用于氮化镓(GaN)外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于最近开始供应样品。