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智能自举充电控制赋能高可靠性GaN驱动，纳芯微推出110V半桥驱动芯片NSD2123
纳芯微全新推出110V半桥GaN驱动芯片NSD2123，具备智能自举充电控制、桥臂中点耐负压和抗干扰能力强、内置有源米勒钳位等特点，广泛适用于电源模块、同步整流、机器人、光储、音频功放等领域，以及Buck、Boost、LLC、HSC等各类硬开关或软开关拓扑。
德国判英飞凌胜，在中国遭禁售：GaN专利战谁才是真赢家？
6月的同一周，全球GaN产业出现了一个近乎“分裂现实”的瞬间。
【原创】一纸禁令，GaN产业要变天？
2026 年 6 月 12 日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售。
赋能高效电源创新升级，大联大诠鼎携手ST详解高性价比GaN产品与电源应用
大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手全球功率半导体龙头意法半导体（ST）成功举办“ST Power & Energy高性价比GaN产品与电源应用”线上专题研讨会。
合肥芯谷微电子推出GaN内匹配功率放大器系列，覆盖2~6GHz和9~10GHz，优异输入匹配与高效率
合肥芯谷微电子依托0.25um功率GaN HEMT工艺，推出两款高性能内匹配功率放大器——IMPA020060P50（2~6GHz）与IMPA090100P51（9~10GHz）。
泊微科技新品双发｜两款Ku波段GaN功放芯片正式发布：覆盖 12–18.5GHz，高功率/高效率双标杆
随着相控阵雷达、电子对抗与微波回传向高频段、高集成、高可靠演进，射频前端对功率、效率提出更高要求。泊微科技同步推出两款 Ku 波段GaN功率放大器芯片，覆盖12 GHz–18.5 GHz频段，为射频系统提供稳定、高效、易用的核心器件方案。
PI发布技术白皮书，深入解析1700V GaN器件
作为InnoMux-2产品系列的一员，这款目前全球少有的1700V氮化镓(GaN)开关IC，极大地拓展了GaN技术的应用范围。PI最新发布的两份白皮书，深入分析了1700V GaN器件如何在多路输出反激式电源中实现效率与功率密度的最大化：
意法半导体发布GaN参考设计，面向家电与工业驱动电机控制应用
交钥匙电路板和文档资料，降低物料成本，加快产品上市
瑞萨电子推出首款650V双向TP65B110HRUGaN开关，标志着功率转换设计规范的重大变革
首款具备直流阻断功能的双向GaN技术，可大幅减少功率转换拓扑结构所需的开关数量
意法半导体新MasterGaN功率芯片整合设计灵活性和先进GaN技术
面向消费电子充电器和电源适配器、工业照明电源、太阳能微逆变器