全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience，港交所：-2577.HK) 与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc.（以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM），宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。这一创新解决方案有望重新定义下一代 AI 数据中心和边缘计算的电源单元 (PSU)，通过结合双方的优势，实现前所未有的效率和功率密度，并加速设计周期。
这款新型电源供应单元参考设计整合了英诺赛科650V 和150V 高性能氮化镓功率晶体管与Allegro创新的 Power-Thru™ AHV85110 隔离式栅极驱动器，后者具备自供电架构，并集成偏置电源。这种独特组合可实现卓越的开关性能和精简的系统设计，助力工程师达成钛金级电源效率和超过 100 W/in³ 的功率密度，极大地简化了系统设计，并显著减少了无源元件的数量。
英诺赛科产品应用副总裁Larry Chen表示：“英诺赛科正在推动 GaN在数据中心应用中的效率和性能基准。通过将我们领先的 GaN 功率器件与 Allegro 的先进驱动器技术相结合，我们提供了一个全面的电源解决方案，帮助工程师优化尺寸、提升设计效率和功率密度，并加速下一代 AI 解决方案的上市时间。”
这款由英诺赛科开发的 4.2kW参考设计集中展示了英诺赛科最新的氮化镓场效应晶体管（FET）与Allegro的AHV85110栅极驱动器的协同应用。该设计采用全氮化镓架构，可实现紧凑高效的功率转换，适用于AI负载场景和超大规模部署需求。
Allegro AHV85110栅极驱动器通过集成偏置电源提升了开关性能。其共模电容仅为2.2pF，比传统解决方案低5至10倍，从而显著降低了电磁干扰（EMI）。同时，该驱动器通过集成偏置电源，简化了氮化镓栅极驱动的实现方式，使驱动电路设计中的无源元件数量大幅减少80%，系统级元件总数降低15%，解决了高频电源系统设计中的一大关键难题。同时，该驱动器的超薄封装设计便于与顶部散热或双面散热的功率封装无缝配合，从而实现更优异的系统级热设计性能。
AHV85110 的设计充分体现了 Allegro 的创新理念：打造基础性技术，赋能工程师解决复杂的系统级问题。Allegro 功率产品副总裁 Vijay Mangtani 表示：“氮化镓是数据中心领域的一项变革性技术，我们很高兴英诺赛科选择 Allegro 的栅极驱动器用于此参考设计。Allegro 的核心理念是成为客户真正的技术合作伙伴并持续为他们提供卓越的解决方案，助力客户实现创新并保持领先地位。我们的栅极驱动器系列产品有力地体现了这一理念，可以帮助工程师实现前所未有的性能提升。”
在对尺寸、速度和效率有极高要求的电源系统中，氮化镓 (GaN) 正迅速成为首选方案。随着数据中心不断扩容以支持AI与边缘计算，设计人员需要能够减少能耗、节省空间并满足严苛可持续发展目标的解决方案。
这款参考设计为电源设计人员提供了以下支持：
采用全氮化镓解决方案，采用磁集成设计
功率密度比其他类似解决方案提升30%
通过Allegro的集成偏置栅极驱动器简化设计流程
优化热性能和布局性能
这款 4.2kW 全 GaN 参考设计现已可从英诺赛科获取，产品文档、效率数据及设计文件可根据需求提供。如需查看完整方案设计或了解 Allegro 高性能隔离式栅极驱动器产品系列，欢迎点击查看。
关于 Allegro MicroSystems Allegro MicroSystems, Inc. 凭借三十多年在磁传感与功率芯片领域的技术积累，通过提高效率、性能和可持续性的解决方案来推动汽车、清洁能源及工业自动化行业的发展。Allegro始终以高质量为核心，持续推动行业变革，巩固了我们作为“车规级”技术先驱和客户可信赖的合作伙伴的地位。如需了解更多信息，请访问： https://www.allegromicro.com/en/ 关于英诺赛科 Innoscience 英诺赛科是全球领先的GaN解决方案供应商，拥有从元器件设计、晶圆制造到封装的一体化生态体系。公司总部位于中国，业务遍及全球，致力于为移动、工业、汽车和数据中心等各类应用场景提供高性能GaN电源解决方案。详情请访问：