GaN

GaN（氮化镓）功率晶体管的全球领导者GaN Systems今天宣布，其低电流，大批量氮化镓晶体管的价格已跌至1美元以下。 这些晶体管通常用于智能手机和笔记本电脑以及各种消费品和工业应用的氮化镓充电器和AC适配器。

氮化镓(GaN)半导体的物理特性与硅器件不相上下。传统的电源供应器金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极双极晶体管(IGBT)只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的前提下才能提高功率密度。

2020年即将结束，毫无疑问，我们将回顾过去的十二个月，这段时间是颠覆性发展的标志。在Covid-19带来的前所未有的社会经济动荡中，组织不得不以新的方式进行枢轴化，战略化，适应性调整和变革- 这一方式要比历史上任何时候都要灵活得多。

在任何电力电子转换器中，热设计都是一项重要的考虑因素。热设计经优化后，工程师能够将GaN用于各种功率级别、拓扑和应用中。此应用手册论述了TI LMG341XRxxx GaN功率级系列非常重要的权衡标准和注意事项，包括PCB布局、热界面、散热器选择和安装方法指南。还将提供使用50mΩ和70mΩ GaN器件的设计示例。

德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59%。

高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)今天发布了有关其GaN技术的质量和可靠性(Q+R)的最新信息。