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共178款产品，有助众多应用实现小型化、更低功耗和更高可靠性

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出小型高效的肖特基势垒二极管（以下简称SBD^※1）“RBR系列”共12款产品，“RBQ系列”共12款产品，这些产品非常适用于车载设备、工业设备和消费电子设备等各种电路的整流和保护。至此，这两个系列的产品阵容中已达178款产品。

在各种应用产品中，通常使用二极管来实现电路整流和保护。随着各种应用产品对更低功耗的要求，比其他二极管效率更高的SBD正越来越多地被采用。另一方面，如果为了追求效率而降低V_F，则存在此消彼长关系的I_R将会升高，热失控的风险会随之增加，因此在设计电路的过程中，选择SBD时需要很好地权衡V_F和I_R，这一点很重要。

在这种背景下，ROHM追求低V_F特性和低I_R特性之间的平衡，并进一步加强了SBD小型化产品阵容，以车载市场为中心创造了非常优异的业绩。此次，ROHM针对已经颇具量产成果的RBR和RBQ系列，面向大电流、高电压和小型化，进一步扩大了产品阵容，从而可以在更广泛的应用中实现整流和保护工作。

通过采用新工艺，RBR系列和RBQ系列的芯片性能都得到很大提升，与ROHM以往产品相比，效率提高了25%。

不仅如此，RBR系列具有出色的低V_F（正向电压）^※2特性（该特性是提高效率的关键），并实现了低损耗。该系列产品非常适用于要求提高效率的应用，比如车载设备中的车载充电器，以及消费电子设备中的笔记本电脑等。此次又新增了12款小型封装产品，还将有助于削减安装面积（比以往产品少42%）。

而RBQ系列则具有出色的低I_R（反向电流）^※3特性，可在高温环境下稳定工作，尤其是可降低SBD可能会发生的热失控^※4风险。非常适用于需要在高温环境中工作的汽车动力系统和工业设备的高电压电源等应用。为满足更高耐压的需求，此次又新增了12款100V产品。此外，RBR系列和RBQ系列均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101^※5，可确保高可靠性。

这两个系列的新产品从2021年6月开始已经全部投入量产（样品价格：50日元～/个，不含税）。

今后，ROHM将继续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强具有ROHM特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。

＜特点＞

通过采用新工艺，RBR和RBQ系列与相同尺寸的ROHM以往产品相比，效率提高了25%，这两个系列的产品分别具有以下特点：

1. RBR系列

1-1. 具有低V_F特性，损耗更低

RBR系列不仅保持了与低V_F特性存在此消彼长关系的低I_R特性，与相同尺寸的ROHM以往产品相比，V_F特性降低约25%，损耗更低。因此，不仅非常适用于要求更高效率的车载充电器等车载设备，还非常适用于要求更节能的笔记本电脑等消费电子设备。

此外，与同等性能的产品相比，RBR系列还可实现芯片的小型化，因此受芯片尺寸影响的封装也可以采用更小型的封装形式。例如，如果以往产品尺寸为3.5mm×1.6mm（PMDU封装），则通过将其替换为2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封装）的产品，可使安装面积减少约42%。

1-2.新增小型封装，产品阵容更丰富

在RBR系列中，此次新增了12款 2.5mm×1.3mm的PMDE封装产品（消费电子和车载领域各6款）。至此，该系列已拥有共140款产品的丰富产品阵容（耐压：30V、40V、60V；电流：1A～40A），进一步扩大了在车载设备和消费电子设备领域的应用范围。

2. RBQ系列

2-1. 具有低I_R特性，可在高温环境下稳定工作

RBQ系列采用ROHM自有的势垒形成技术，实现了非常适合开关电源的V_F特性和I_R特性之间的平衡。与ROHM以往产品相比，反向功率损耗降低了60%，可进一步降低高温环境下热失控的风险。因此，该系列产品非常适用于需要在高温环境中工作的汽车动力系统和工业设备用的电源等应用。

2-2. 新增100V产品，产品阵容更丰富

在RBQ系列中，此次新增了12款100V产品（消费电子和车载领域各6款）。至此，包括共阴极型和单芯片型产品在内，该系列已拥有共38款产品的丰富产品阵容（耐压：45V、65V、100V；电流：10A～30A）。

＜支持应用例＞

■RBR系列
・ 车载充电器　 ・ LED前照灯

・ 汽车配件  　 ・ 笔记本电脑

■RBQ系列
・ 工业设备电源 　・ 音响　 　　　・ 笔记本电脑
・ XEV         　・ 引擎ECU

   ・ AC/DC、DC/DC电路的二次侧整流

＜术语解说＞

※1）肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode：SBD）

利用金属与和半导体接触形成肖特基结、从而获得整流性能（二极管特性）的二极管。没有少数载流子存储效应，具有优异的高速特性。

※2）正向电压： V_F（Forward Voltage）

当电流沿从＋到－的方向流动时产生的电压降。该值越低，效率越高。

※3）反向电流： I_R（Reverse Current）

施加反向电压时产生的反向电流。该值越低，功耗（反向功耗）越小。

※4）热失控

当向二极管施加反向电压时，内部的芯片发热量超过了封装的散热量，导致I_R值增加，最终造成损坏的现象称为“热失控”。I_R值高的SBD尤其容易发生热失控，因此在设计电路时需要格外注意。

※5）汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101

AEC是Automotive Electronics Council的缩写，是大型汽车制造商和大型电子元器件制造商联手制定的针对汽车电子元器件的可靠性标准。Q101是有关分立半导体元器件（晶体管、二极管等）的标准。

【关于罗姆（ROHM）】

罗姆（ROHM）成立于1958年，由起初的主要产品-电阻器的生产开始，历经半个多世纪的发展，已成为世界知名的半导体厂商。罗姆的企业理念是：“我们始终将产品质量放在第一位。无论遇到多大的困难，都将为国内外用户源源不断地提供大量优质产品，并为文化的进步与提高作出贡献”。

罗姆的生产、销售、研发网络分布于世界各地。产品涉及多个领域，其中包括IC、分立式元器件、光学元器件、无源元器件、功率元器件、模块等。在世界电子行业中，罗姆的众多高品质产品得到了市场的许可和赞许，成为系统IC和先进半导体技术方面的主导企业。

【关于罗姆（ROHM）在中国的业务发展】

销售网点：起初于1974年成立了罗姆半导体香港有限公司。在1999年成立了罗姆半导体（上海）有限公司， 2006年成立了罗姆半导体（深圳）有限公司，2018年成立了罗姆半导体（北京）有限公司。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的要求，罗姆在中国构建了与总部同样的集开发、销售、制造于一体的垂直整合体制。作为罗姆的特色，积极开展“密切贴近客户”的销售活动，力求向客户提供周到的服务。目前在中国共设有20处销售网点，其中包括香港、上海、深圳、北京这4家销售公司以及其16家分公司（分公司：大连、天津、青岛、南京、合肥、苏州、杭州、宁波、西安、武汉、东莞、广州、厦门、珠海、重庆、福州）。并且，正在逐步扩大分销网络。

技术中心：在上海和深圳设有技术中心和QA中心，在北京设有华北技术中心，提供技术和品质支持。技术中心配备精通各类市场的开发和设计支持人员，可以从软件到硬件以综合解决方案的形式，针对客户需求进行技术提案。并且，当产品发生不良情况时，QA中心会在24小时以内对申诉做出答复。

生产基地：1993年在天津（罗姆半导体（中国）有限公司）和大连（罗姆电子大连有限公司）分别建立了生产工厂。在天津进行二极管、LED、激光二极管、LED显示器和光学传感器的生产，在大连进行电源模块、热敏打印头、接触式图像传感器、光学传感器的生产，作为罗姆的主力生产基地，源源不断地向中国国内外提供高品质产品。

社会贡献：罗姆还致力于与国内外众多研究机关和企业加强合作，积极推进产学研联合的研发活动。2006年与清华大学签订了产学联合框架协议，积极地展开关于电子元器件先进技术开发的产学联合。2008年，在清华大学内捐资建设“清华-罗姆电子工程馆”，并已于2011年4月竣工。2012年，在清华大学设立了“清华-罗姆联合研究中心”，从事光学元器件、通信广播、生物芯片、SiC功率器件应用、非挥发处理器芯片、传感器和传感器网络技术（结构设施健康监测）、人工智能（机器健康检测）等联合研究项目。除清华大学之外，罗姆还与国内多家知名高校进行产学合作，不断结出丰硕成果。

罗姆将以长年不断积累起来的技术力量和高品质以及可靠性为基础，通过集开发、生产、销售为一体的扎实的技术支持、客户服务体制，与客户构筑坚实的合作关系，作为扎根中国的企业，为提高客户产品实力、客户业务发展以及中国的节能环保事业做出积极贡献。

VPX3-TL 模块集成 8 核 CPU，适用于更强大的图形计算、AI 加速功能和多样化I/O的关键任务型应用

●凌华科技3U VPX 模块基于第 11 代 英特尔®Core™ i7 处理器技术（原 Tiger Lake-H），具备更强大的数据和图形处理性能以及人工智能 （AI）加速能力

●采用传感器开放式系统架构（SOSA），提供非专有、开放架构的嵌入式计算能力，可轻松地重新配置和升级，极具成本效益，且能够快速开发和部署

●凌华科技遵循模块化开放系统方法（MOSA）原则，积极与合作伙伴合作开发基于开放标准的定制化商用现货（COTS）产品，使服务于航空航天和国防领域的系统集成商能够快速向市场交付解决方案

全球领先的边缘计算解决方案提供商—凌华科技推出 VPX3-TL 坚固型 3U VPX 处理器刀片，其采用第 11 代英特尔® Core™ i7 技术（原Tiger Lake-H），可提供比以往性能更卓越的数据和图形处理，以及下一代关键任务应用程序所需的 AI 加速功能。VPX3-TL 模块的设计符合SOSA标准，可提供嵌入式计算功能，易于重新配置和升级，具有较高的成本效益，且能够快速开发和部署。

凌华科技网络通讯及公共建设事业处总经理高福遥表示：“SOSA 合规性正在成为参与 VPX 市场竞争的筹码。早前，C4ISR 自动化指挥系统和 EW 电子战系统在功能上相似，但设计架构呈烟囱式。此外，由于这些系统会竞争有限的射频频谱和 SWaP资源（尺寸、重量和能耗），导致集成和采购成本很高，且性能也会受到影响。这些不同的传感器系统配置，也加重了现场工程师进行维护与升级的后勤负担。因此符合SOSA传感器开放式系统架构规范的处理器刀片，能够助力推动非专有、基于标准的开放式架构解决方案的开发，赋能更广泛的航空航天和国防市场。”

此外，让不同军用传感器系统之间具备互操作性至关重要。包括C4ISR自动化指挥系统（指挥、控制、通信、计算机、情报、监视和侦察）、EW电子战系统、SIGINT信号情报、认知无线电和雷达系统等。SOSA 标准是属于广泛的模组化开放系统方法MOSA 的一部分， SOSA 基于 VPX 标准 (VITA 46/48/65) ，重点在发展关键接口和开放标准，旨在开发适用于下一代关键任务应用程序的通用模块化硬件架构。

凌华科技 VPX3-TL 系列经过 SWaP 优化，包括高达 64GB的DDR4-2666 板载 ECC SDRAM内存；2个10GBASE-KR 或 1GBASE-KX以太网络；1个PCIe x8 Gen3的XMC 扩展槽I/O至P2口；USB 3.0 和 SATA III（原 SATA 6Gb/s）等高传输量的接口。另外，可选配高达1TB容量的M.2固态硬盘SSD作为二级储存。该处理器刀片采用英特尔® RM590E 芯片组，具有统一可扩展固件接口（UEFI）的安全启动和双 256Mbit SPI 闪存，支持 Microsoft® Windows® 10、Linux® 和 VxWorks® 7等操作系统。

凌华科技事业处高福遥补充道：“符合 SOSA 的板卡，例如凌华科技 VPX3-TL 3U VPX 处理器刀片，解决了只适用于特定 VPX 模块的背板选用限制。这些SOSA架构的板卡其功能和应用，以及包括不同模块之间实体搭配、沟通协议和数据结构的相关接口具有一致的定义，即遵循 COTS 方法，使军用计算机更易于重新配置和升级，具有极高的成本效益，且能够快速开发和部署。”

有关VPX3-TL 系列的更多详情，请访问此处。

【关于凌华科技】

凌华科技（股票代号：6166）引领边缘计算，是AI人工智能驱动世界的推动者。我们制造并开发用于嵌入式、分布式与智能计算的边缘硬件与软件解决方案，全球超过1600家客户信任凌华科技，选择我们作为其关键任务的重要伙伴，从重症监护室的医疗计算机到全球第一辆高速自动驾驶赛车，都有我们的足迹。

凌华科技是英特尔、NVIDIA、AWS和SAS的重要合作伙伴，并加入了英特尔顾问委员会、ROS 2技术指导委员会以及Autoware自动驾驶开源基金会。我们积极参与了开源技术、机器人、自主化、物联网、5G等超过24个标准规范的制定，以驱动智能制造、网络通信、智能医疗、能源、国防军工、智能交通与信息娱乐等领域的创新。

凌华科技拥有1800多名员工和200多家合作伙伴。25年以来，我们秉持并推动当今和未来技术的发展，创新科技，转动世界。

请关注凌华科技LinkedIn，微信公众号（ADLINKTECH），或访问adlinktech.com.cn。

20多年前，蓝牙技术的出现摆脱了有线式音频传输的束缚，开创了无线音频市场。自此之后，蓝牙音频逐渐融入了人们的日常生活，从根本上改变了体验音乐的方式。虽然无线音频市场已经成熟，但未来前景仍十分广阔。蓝牙技术联盟亚太暨中国市场总监李佳蓉表示：“音频传输一直是蓝牙最大的解决方案领域，蓝牙社区也从未停止对卓越音频创新的追求。新一代蓝牙音频技术低功耗音频（LE Audio）将显著提升蓝牙音频的性能，新增对助听器的支持，并推出蓝牙音频分享（Audio Sharing）功能。音频分享是一项强大的全新用例，将再次改变我们体验音频的方式，并让我们以前所未有的方式与世界相连。”

新一代蓝牙音频技术LE Audio ，助力小米解决市场现存挑战

LE Audio的出现激发了蓝牙应用创新的活力，创造了新的市场机遇，作为全球主要的智能手机制造商，小米集团始终致力于通过先进的技术，为用户提供最优质的音频体验，让全球每个人都能享受科技带来的美好生活。目前，小米推出了首款支持LE Audio的TWS耳机——Redmi AirDots 3 Pro，它将采用LC3编解码器。该耳机配合小米Redmi Note 10 Pro智能手机，可以将全链路延迟减少到69ms ，相比前几代无线耳机的延迟指标有了极大的提升。

小米集团标准与新技术部总监陈灿峰先生表示：“LE Audio将帮助小米解决开发TWS蓝牙耳机音频编码和现存编码延迟较高两大问题。凭借LE Audio的多重串流音频技术和低复杂性的LC3编码技术，使实现真正高质量音频传输成为可能。实测表明，相较于SBC编码，LC3编码码率只有SBC的一半，但在THD/SNR等指标上都有较大的提升，优于SBC编码。”

LE Audio三大技术优势，造就真正高质量音频传输

LE Audio新一代蓝牙音频技术标准，为蓝牙产品特别是TWS蓝牙耳机带来了许多新技术领域的创新和机会。小米产品选择LE Audio技术，主要看中其如下优势：

1)多重串流音频（Multi-Stream Audio）可以为耳机带来完全独立的通信链路，实现信号的同步传输，减少了通信延迟，更适合作为TWS蓝牙耳机的蓝牙通信协议。

2)低复杂性通信编解码器（Low Complexity Communication Codec, LC3）可实现更高音质、更低功耗和更低延迟。LC3具有在低数据速率条件下也能提供高音质的特性，使其在产品设计时能够更好地在音质和功耗等关键产品属性之间进行权衡。LC3编解码器的低复杂度，以及较低的 frame duration，能够做到更低的蓝牙传输延迟。

3)广播音频（Broadcast Audio）技术可实现音频分享功能，小米产品后续能够利用该技术实现基于广播的蓝牙音频分享。

LE Audio多样技术特性与应用场景，赋能音频市场规模化发展

LE Audio不仅将提升蓝牙音频性能，还可以实现蓝牙音频分享（Audio Sharing）。这是一项全新用例，将再次改变我们体验音频的方式，并让我们以前所未有的方式与世界相连。LE Audio可以利用其多样的技术特性，在蓝牙耳机、同声传译、助听辅听等领域，为市场提供强大的技术支持。遵循统一的蓝牙LE Audio标准与认证，能够保证不同品牌的手机、耳机及其他智能家居产品之间良好的互通与互操作性。综上，LE Audio在智能手机、智能电视、智能音箱、蓝牙耳机、可穿戴设备、广播音频设备、助听辅听等应用方向具有很大的发展潜力。

关于蓝牙技术

蓝牙（Bluetooth®）产品的年出货量接近40亿。蓝牙技术作为一项全球通用的无线标准，为我们带来了简便、安全的连接。蓝牙技术社区自1998年成立以来不断对蓝牙功能进行扩展，推动创新，开创新市场，并重新定义全球通信。如今，蓝牙已成为诸多解决方案领域开发者的首选无线技术，包括音频传输、数据传输、位置服务和大型设备网络。更多详情，请访问：bluetooth.com。

关于蓝牙技术联盟

蓝牙技术联盟（Bluetooth SIG）成立于1998年，为一非营利行业协会，负责发展Bluetooth^®蓝牙技术。蓝牙技术联盟拥有36,000家成员公司的大力支持，致力于促进成员间协作，创建更强大的全新规格，对技术进行扩展，开发世界级的产品认证计划推进全球互通性，并通过提高蓝牙技术的认知度、理解和采用，进一步推广其品牌。更多详情，请访问：bluetooth.com。

欲了解有关蓝牙的更多详情，请关注蓝牙技术联盟官方新浪微博、微信（搜索蓝牙技术联盟）。

众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。前一个十年，第三代半导体材料已经在基站射频、功放等通信领域崭露头角；2021年，随着“十四五”规划的提出，中国将加速推动以SiC、GaN为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，受益于功率转换的极大应用潜力，第三代半导体开始进入新一轮的增长周期。

市场调研机构Omdia在《2020年SiC和GaN功率半导体报告》指出，全球SiC和GaN功率半导体的销售收入，预计从2018年的5.71亿美元增至2020年底的8.54亿美元。预计未来十年，每年的市场收入以两位数增长，到2029年将超过50亿美元。其中，新能源汽车以及电源有望成为增量最大的两个应用市场。

图1：Omdia对于SiC和GaN功率半导体的全球市场收入预测

功率半导体三足鼎立，宽禁带“接棒”硅、探索能效极限

       谈及功率领域，SiC、GaN对比硅材料的优势体现在导通电阻小、寄生参数小等天然特性，且更多国内外厂商加速入局，势必进一步拉低第三代半导体的生产成本。因此，业界有一部分声音认为，SiC和GaN将会很快全面替代硅材料，而事实上真是这样吗？

在日前举办的EEVIA 第九届年度中国电子 ICT 媒体论坛暨 2021 产业和技术展望研讨会上，英飞凌电源与传感系统事业部市场总监程文涛在阐述功率半导体的发展趋势时表示，“在功率转换的研究中，硅基半导体的物理极限已经被探知，大概在0.4 [Ω mm²]左右徘徊，这是用于表征高压半导体器件导通损耗的计量方式——R_on x A。可以看出，硅基半导体在导通损耗上已经难以继续下探，因此业界开始寻求第三代半导体来实现更低的导通损耗，从而进一步提高系统的转换效率。”

图2：程文涛阐述第三代半导体发展演进趋势

图3：英飞凌眼中的高压半导体器件R_on x A路线图

举个例子，在服务器、通讯电源应用中，业界成熟的方案设计在交流电转换到48V（即交流电转换到服务器主板供电）的过程中实现98%的效率已经属于“基本操作”。不过，硅基半导体方案必须使用元件较多、较复杂的拓扑结构；若想进一步提升效率、减少元件数量、降低BOM成本，目前业界比较热门的做法是图腾柱PFC拓扑结构，特别是基于第三代半导体的图腾柱PFC，其使用元件较少、设计简单，且效率最高。

“从这款用于服务器、通讯电源的3kW SMPS方案可以看出，基于第三代半导体的CCM图腾柱是一种简单的拓扑方案，且易于实现必须的99% PFC效率，进而使总体效率不低于98%。”程文涛补充道，“显然，第三代半导体是在有限的提升空间上，再推动系统效率往前跨一步的关键因素。与此同时，由于第三代半导体的生产成本下降并非一蹴而就，这也就意味着Si、SiC和GaN将长期处于共存发展的态势，而非简单的‘第三代必须替换第一代’。“

图4：程文涛解读不同PFC解决方案的过程效率图

大功率转换应用升级潜力巨大，快充仅是“投石问路”

诚然，从性价比的角度来看，硅基功率半导体仍然是在非常宽的应用范围之内的不二之选。不过，随着“碳达峰、碳中和”概念的全球推行，业界开始转向电力全产业链的能效提升，包括发电、输电、储能以及用电等各个环节，有望通过使用第三代半导体实现更低的碳排放。事实上，英飞凌是唯一一家在电力全产业链上提供能效解决方案的半导体公司。通过英飞凌的产品和解决方案，为社会带来的CO2减排量达到5600万吨/年。

据程文涛介绍，英飞凌对于不同的半导体材料有着清晰的应用定位。Si是各向同性的材料，从低功率到高功率都适用，是当下最主流的功率半导体材料。SiC适用于高功率、中高开关频率的应用，如光电、风电、电动汽车、充电桩、储能系统等。GaN则偏向于中功率、最高开关频率的应用，如服务器、电信、适配器和充电器等。

图5：英飞凌对于不同半导体材料的应用定位

       活动现场上，英飞凌还展示了几款面向上述行业应用的大功率电源评估板，如基于CoolSiC^TM 的3.3kW CCM图腾柱PFC评估板，其突破性地实现了99%的系统效率以及72W/in³的超高功率密度，可用于储能系统的双向充/放电设计；还有基于CoolGaN^TM的3.6kW LLC电路评估板，其功率密度达到160W/in³，LLC的谐振频率达到350KHz，且在如此高工作频率下效率仍超过98%，可用于5G通信电源的设计等。

图6：基于CoolSiC^TM 的3.3kW CCM图腾柱PFC评估板

“相关数据表明，若美国的所有数据中心都使用英飞凌CoolGaN™ 产品，那么每年有望节省40亿度电、减排CO2达到200万吨。“程文涛补充道，”这是巨大的经济价值和碳减排价值，但由于行业对于SiC、GaN的使用规模还是相对比较小、相关可靠性的验证仍然不充分，因此业界对于替换升级还普遍持有谨慎的态度。“在这样的背景下，由于GaN生产工艺相对成熟，基于GaN的快充技术在近两年飞速发展，不仅为消费者带来了体积更小、功率更高的充电器产品，另一方面也成为了业界验证GaN失效模式、变化规律的“磨刀石“。

程文涛指出，”GaN制造工艺看似简单、但掌握起来非常困难。例如我们可以采取过度设计的方式，将GaN器件的使用寿命定在50年。但是，一个终端产品使用50年是不现实的，因此我们必须充分了解GaN的瓶颈在哪，像晶体结构大概多久会坏、什么条件下会坏、坏了会影响多少性能等等，这样才能在设计和制造上打造满足市场需求的产品！快充应用是GaN的‘磨刀石’，它对可靠性、使用寿命等要求没那么高，英飞凌也推出了专用于快充的CoolGaN^TM IPS系列，帮助更好地验证自身的GaN技术，再运用到更高功率、更高可靠性要求的行业应用上。“

价格稳步下降，英飞凌布局电力全产业链抢占先机

目前，SiC和GaN在2021年的价格相似，但都明显高于Si。由于规模经济、缺陷密度和产量提高，以及向新一代的技术升级，第三代半导体的价格有望在未来几年迅速下降，但从成本角度来看，短时间内并不会达到硅基半导体的水平。“值得注意的是，市面上也可能看到一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件，但并不意味着它的成本就接近硅基半导体，这是为了催生市场的商业行为。在可预见的将来，硅基半导体仍然会占据大部分市场。“程文涛指出。

图7：第三代半导体的价格有望迅速降低

在英飞凌看来，第三代半导体器件的价值来自于性能提升和拓扑结构优化，且随着价格下降，某些设计的系统成本将接近硅基半导体的设计。作为功率半导体领域排名第一的厂商，英飞凌拥有广博的功率产品组合，涵盖了所有功率和频率范围，包括MOSFET、SiC MOSFET、SiC模块、GaN HEMT、IGBT模块以及单管IGBT等，广泛应用于可再生能源发电、能源传输和配送、能源储存、能源使用等领域，助力电力全产业链能效提升。