破解SiC、GaN栅极动态测试难题的魔法棒 — 光隔离探头
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性,能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。
SiC、GaN 作为最新一代功率半导体器件具有远优于传统 Si 器件的特性,能够使得功率变换器获得更高的效率、更高的功率密度和更低的系统成本。
以GaN功率器件为核心,加速各种电源系统技术创新
意法半导体 VIPerGaN50能够简化最高50 W的单开关反激式功率变换器设计,并集成一个 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管,使电源的能效和小型化达到更高水平。
随着苹果公司正式推出140W氮化镓(GaN)快充,以智能手机、笔记本电脑为代表的消费电子快充市场迎来了又一标杆性产品的重要拐点。近两年来,全球GaN充电器的出货量已经突破了数千万只。然而,这仅仅只是开端。
德州仪器(TI)(纳斯达克代码TXN)今宣布其氮化镓(GaN)技术和 C2000™ 实时微控制器(MCU),辅以台达(Delta Electronics)长期耕耘之电力电子核心技术,为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器(PSU)。