ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化
GaN
Transphorm和伟诠电子合作发布集成式GaN系统级封装
系统级封装可以为USB-C PD适配器和其他低功耗应用提供结构紧凑、经济实惠、快速面市的解决方案
Qorvo 推出用于相控阵雷达系统的先进电源解决方案
三芯片解决方案提供可配置的 GAN 偏置点自动校准
纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621和NSG65N15K
纳芯微全新推出GaN相关产品，包含GaN驱动NSD2621与集成化的Power Stage产品NSG65N15K，均可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。
Transphorm发布新的氮化镓场效应管可靠性指标，现已按照功率级别划分
公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性
宏光半导体氮化镓功率器件外延片产品正式投产
实现GaN业务产能落地 锐意创造全新盈利增长点
KYOCERA AVX和VisIC Technologies合作开发下一代电车应用GaN技术
KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作，开展下一代电动汽车应用GaN技术开发
干货 | 使用集成 GaN 解决方案提高功率密度
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。
博世创业投资公司投资致能科技，加速第三代半导体布局
以高性能GaN器件应对能源管理挑战
GaN是否具有可靠性？或者说我们能否如此提问？
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。