GaN

氮矽科技推出新一代700V GaN功率集成芯片DXC650S1K2H，助力高频高效电源设计
在追求高效能与高功率密度的现代电力电子领域，氮化镓（GaN）技术正引领着一场深刻的变革。为应对快速充电、数据中心能源、绿色照明及工业电源等应用对开关频率、效率与可靠性的严苛要求，集成化、智能化的功率半导体解决方案已成为行业发展的关键。
智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化
为了提供正确的死区时间延迟，传统上是在控制器中内置固定的预设延迟，或通过外部元件进行一定程度的调整。这种调整需要充分考虑特定FET器件的特性，防止因过驱而造成损坏。这一调整过程可能非常耗时，而且难以准确衡量。
在开关模式电源中使用氮化镓技术的注意事项
本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。 
借助 TOLL GaN 突破太阳能系统的界限
该文章将介绍 GaN 技术的快速发展如何改变电源系统，开发出强大、高效的解决方案。
Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计，赋能AI数据中心电源
全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. 宣布达成战略合作，推出一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了英诺赛科高性能氮化镓和 Allegro 的先进栅极驱动器技术。
GAN技术在电机控制中的优势
满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。
安森美发布垂直氮化镓（GaN）半导体：为人工智能（AI）与电气化领域带来突破性技术
安森美基于全新GaN-on-GaN技术，其垂直GaN架构为功率密度、能效和耐用性树立新标杆
基于iGaN的300W高能效游戏适配器参考设计
本文将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。
GaN 如何改进光伏充电控制器
本应用简报介绍 TI GaN 器件如何改进光伏充电控制器。与 MOSFET 相比，使用 TI GaN 器件可提高效率并减小 PCB 尺寸，而且不会增加 BOM 成本。
干货 | 借助高集成度 TOLL 封装 GaN 器件推动电源设计创新
当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。