MOSFET

碳化硅赋能浪潮教程：利用SiC CJFET替代超结MOSFET
碳化硅（SiC）凭借其优异的材料特性，在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件，从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发，剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。
ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。
英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。
ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”！
5月28日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。 
湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ES4576BK
湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ES4576BK，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域。
脉冲 I V 测试在 MOSFET 器件表征中的应用与实现
在晶体管器件的研发阶段，制造商通常需要对设计原型进行电学特性评估。直流（DC）测试是最常见的方法，但对于许多半导体器件而言，只有脉冲或短时导通（开关）激励条件下，才能更真实地反映其实际工作行为。
意法半导体低电阻 MOSFET可节省电能，缩减 PCB面积，适合配电应用
新系列产品采用先进的智能 STripFET F8功率技术，静态性能更高，芯片尺寸更小
湖南静芯推出应用于消费类电子的ESD增强型MOSFET ESGNJ03R048K
在笔记本电脑、平板电脑、智能手机以及便携式游戏机等消费电子产品中，电源按键和电池连接器等部位极易遭受静电放电冲击，会导致MOSFET栅极击穿，甚至损坏后级主控。
湖南静芯推出应用于PoE系统的MOSFET ESP10N10BK
湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的N沟道增强型MOSFET ESP10N10BK，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，完美匹配主流PoE功率级别。
专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装
新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。