Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合，最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器件，具有出色的开关性能和领先的热性能。
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
Nexperia宣布推出一系列ESD保护器件，专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口，特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。
Nexperia宣布与联合汽车电子有限公司在功率半导体氮化镓（GaN）领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。
关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。
基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。 新投资与公司的发展战略相吻合。
Nexperia今天宣布新推出三款紧凑型TrEOS保护器件，用于在USB3.2、HDMI2.1和其他高速数据线中抑制ESD。
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。
半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装，带有可湿锡焊接侧焊盘，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准，同时提供行业领先的ESD和RF性能，节省了PCB空间。