Nexperia

1200 V分立器件提供出色的性能，有助于加速全球能源转型

此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术

双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度

可靠的保护器件可大幅降低对信号完整性的影响

采用超紧凑型DFN2020(D)-6封装，并集成BJT和电阻，加倍节省空间

温室气体排放路线图展示了其对可持续发展和创新的承诺

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia于2023年7月在Morningstar Sustainalytics的ESG风险评级中取得了18.7分的优异成绩，达到了新的重要里程碑。

精准控制功耗，具备超强系统安全性。

实现长达10倍电池寿命，扩展在物联网设备中的应用范围

为功率电子设计人员提供带有全额快速恢复二极管的稳健型175℃标准IGBT。