IGBT

序言

当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1）。

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2018-03/wen_zhang_/100010826-37992-r1.j…; alt=“图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通”></center><center>图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通</center>

寄生米勒电容引起的导通

IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。

理想等效电路与实际等效电路如图所示：

IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。
动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取：

贸泽电子 (Mouser Electronics) 为首家分销Infineon TRENCHSTOP™ 5 S5绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列产品在175°C的温度下，能够提供业界领先的1.60 VCE(sat) 低典型饱和电压，因此即使在高温工作条件下，也能保持较高的能效。

Mouser分销的Infineon TRENCHSTOP 5 S5 IGBT提高了开关性能，可降低电路复杂度，此外由于不需要电容与齐纳二极管，还可以降低整体系统成本。此系列IGBT可提供高达98%的系统效率级别，从而能最大限度提高太阳能电池设备的发电量，而且更加坚固耐用，质量更高，可帮助终端产品实现20年的使用寿命。Mouser提供的此系列IGBT的电流级别为30A、40A、50A和75A，并且都采用三引脚TO-247封装。

S5系列产品特别针对开关频率在10 kHz至40 kHz之间的工业应用中的AC-DC转换设备而设，如光伏逆变器和不间断电源，以提供高能效、更快的产品上市周期，并最佳化PCB物料清单 (BOM) 成本。