IGBT

6月24日，华虹半导体有限公司与嘉兴斯达半导体股份有限公司今日举办“华虹半导体车规级IGBT暨12英寸IGBT规模量产仪式”，并签订战略合作协议。双方共同宣布，携手打造的高功率车规级IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，已通过终端车企产品验证，广泛进入了动力单元等汽车应用市场。

日前，国投创业分别宣布领投陆芯科技C轮和达新半导体B轮领投，聚焦IGBT国产替代。

2021慕尼黑上海电子展览会即将于4月14日至16日在上海新国际博览中心举办。慕尼黑上海电子展作为电子行业展览，是行业内重要的盛事。本届慕尼黑上海电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业，涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业，展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等。

3月11日，东芝电子元件及存储装置株式会社将通过日本的Kaga Toshiba Electronics Corporation建设300mm晶圆制造厂，扩大功率器件的产能。新生产线的量产将于2023财年上半年开始。

双电压整流电路需要搭载两个桥式电路吗？

不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流桥直流输出+ -端接电容器滤波，电容器2个串联之后正极接整流桥正极+，电容器负极接整流桥负极-，2个串联的电容器中间引出一根线接地线，也就是双18伏交流的抽头，这样就可以在直流输出端得到正负20伏的双电源了。

电路如图所示：

双电压可调整流电路设计：

今日，英飞凌在第三届中国国际进口博览会上宣布，将新增在华投资，扩大其无锡工厂的IGBT模块生产线。无锡工厂扩产后，将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。英飞凌将以更丰富的IGBT产品线，满足快速增长的可再生能源、新能源汽车等领域的应用需求。

2019岁末，新型冠状病毒突袭人类，引起发热、咳嗽、呼吸窘迫等症状。在严峻的形势面前，能够快速识别并确诊病例成为能否打赢这场战役的重中之重。

新冠病毒诊疗指南指出，COVID-19感染者的肺部影像学表现为：早期呈现多发小斑片影及间质改变，以肺外带明显。进而发展为双肺多发磨玻璃影、浸润影，严重者可出现肺实变，胸腔积液少见。

在疑似患者激增、试剂盒短缺的情况下，肺部影像学的改变已成为临床病例的重要依据。

在现代医学中，医学影像学早已成为疾病诊断及治疗的重要武器。我们熟知的影像学检查方法有超声、X光、CT及MRI等。其中X光及CT具有放射性，在儿童、孕妇以及需要长期重复检查的患者中受到一定限制。相比于CT和X光的辐射问题，MRI的无辐射特性显示出良好的应用前景。

Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司

摘要

本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。

在高度可靠、高性能的应用中，如电动/混合动力汽车，隔离栅级驱动器需要确保隔离栅在所有情况下完好无损。随着Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片上。这种电隔离可以通过集成高压微变压器或电容器来实现。1, 2, 3 一次意外的系统故障均可导致功率开关甚至整个功率逆变器损坏和爆炸。因此，需要针对高功率密度逆变器研究如何安全实施栅级驱动器的隔离功能。必须测试和验证最坏情况下（功率开关被毁坏）隔离栅的可靠性......

MOSFET和IGBT内部结构不同,于是也决定了其应用领域的不同，今天就让小编带大家一起来了解一下MOSFET与IGBT的本质区别吧~

1、由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。

2、IGBT可以做很大功率，电流和电压都可以，就是一点频率不是太高，目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ，那已经是不错了。不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛，MOSFET可以工作到几百KHZ，上MHZ，以至几十MHZ。

3、就其应用：根据其特点MOSFET应用于开关电源,镇流器,高频感应加热；高频逆变焊机；通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域。

开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。

虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（电力晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。