DDR5

三星电子周四宣布了新一代存储芯片计划，其内存速度将在现有技术的基础上提高一倍，并提供迄今为止最大的容量，从而开启了一场将加速数据中心和超级计算发展的转型。

江波龙电子紧跟存储技术发展前沿，为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望，进而为存储行业应用的未来提供更多可能性，在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品（ES1）。此外，Longsys旗下技术型存储品牌FORESEE以及高端消费类存储品牌Lexar雷克沙也将为各自主要应用领域提供强有力的支持。

继早前展望了消费级 DDR5 内存产品线的规划之后，十铨（TeamGroup）现已开启 DDR5 内存模组的工程样品开发工作。

根据TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处调查显示，以晶圆设计同源的PC、Server DRAM产品而言，当前主流解决方案为DDR4，该产品于第三季在前述两大应用类别皆占九成以上。而下一个世代DDR5的定义也已在2019年9月经由JEDEC规范制定完毕，预计PC平台导入的渗透率要到2022年才会明显拉升。

全面兼容 DDR5、LPDDR5 及 LPDDR5X 内存，为开发者带来更高带宽、更优灵活性与更强的供应链韧性

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布，推出其第三代（Gen3）DDR5多路复用双列直插内存模块（MRDIMM）芯片组解决方案，可实现高达16,000兆次传输/秒（MT/s）速率的服务器级MRDIMM。

全新 MRCD 与 MDB 设计提供 12800 MT/s 高速，注入强劲 AI 算力动能

近期，研华科技公司重磅推出SQRAM DDR5 7200MT/s 工业级内存模组，该产品面向边缘AI持续增长的数据需求打造，相较前代产品性能提升12.5%，单模组容量最高可达64GB，为户外部署场景的稳定性与扩展性树立新标杆。

DDR5 9600 RDIMM 芯片组旨在满足基于先进 CPU 服务器上 AI 及数据密集型工作负载所带来的内存性能与电源管理需求增长。

技嘉科技于 COMPUTEX 2026 再创超频巅峰，不仅携手 CORSAIR VENGEANCE DDR5 內存缔造 DDR5-13556 MT/s 世界纪录，更于 G.SKILL 第 12 届 OC World Record Stage 超频大赛中勇夺 10 项全球第一纪录。