AOS推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET winniewei / 周三, 18 六月 2025 - 09:59 专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装，采用创新的栅极中置布局技术，可大幅简化 PCB 走线设计。 阅读更多 关于 AOS推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET登录或注册以发表评论