专为高功率密度应用而设计的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装，采用创新的栅极中置布局技术，可大幅简化 PCB 走线设计。
日前，集设计研发、生产和全球销售为一体的著名功率半导体及芯片解决方案供应商 Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 纳斯达克代码:AOSL）推出采用DFN3.3x3.3源极朝下（Source Down）封装技术的AONK40202 25V MOSFET。该产品专为高功率密度DC-DC应用设计，可完美满足AI服务器和数据中心电源系统的严苛需求。AONK40202的创新源极朝下封装技术，使源极与PCB有较大的接触面积从而优化散热与电气性能，同时其栅极中置布局简化了PCB上走线设计，最大限度地减少栅极驱动器连接，进一步提升能效与系统可靠性。
AONK40202 MOSFET 具有出色的电流处理能力，其采用带夹片（Clip）的 DFN3.3x3.3 源极朝下封装技术，可提供高达319A 的持续电流，最高结温高达 175°C。这一设计为系统级性能带来显著提升，不仅能优化散热表现，还可实现更高的功率密度和能效水平。
AONK40202 采用创新的 DFN3.3x3.3 源极朝下（Source Down）封装技术，相比传统的漏极朝下（Drain Down）封装解决方案，降低功率损耗和提升散热性能方面表现更出色。该器件凭借更低的导通电阻(RDS(on))和增强的散热性能，为工程师提供了优化PCB空间利用率的关键技术优势。AONK40202的这些创新特性正是为应对AI服务器日益增长的功率密度需求提供理想解决方案。
—— Peter H. Wilson
MOSFET 产品线资深总监
技术亮点
关于AOS
Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS，中文：万国半导体） 是专注于设计、开发生产与全球销售一体的功率半导体公司，产品包括Power MOSFET、SiC、IGBT、IPM、TVS、高压驱动器、功率IC和数字电源产品等。AOS积累了丰富的知识产权和技术经验，涵盖了功率半导体行业的最新进展，使我们能够推出创新产品，满足先进电子设备日益复杂的电源需求。AOS的差异化优势在于通过其先进的分立器件和IC半导体工艺制程、产品设计及先进封装技术相结合，开发出高性能的电源管理解决方案。AOS 的产品组合主要面向高需求应用领域，包括便携式计算机、显卡、数据中心、AI 服务器、智能手机、面向消费类和工业类电机控制、电视、照明设备、汽车电子以及各类设备的电源供应。请访问AOS官网 www.aosmd.com，了解更多产品相关信息。
来源：AOSemi