作者：Cathy Chen
在全球半导体行业竞争日益激烈的背景下，制程工艺的突破成为各大厂商争夺市场份额的关键。作为半导体行业的领军企业，英特尔（Intel）在先进制程领域的战略布局始终是业界关注的焦点。近日，英特尔（Intel）宣布其最新的18A制程技术已准备好用于客户项目，并计划于2025年上半年正式投产。这一消息标志着英特尔在先进制程领域的重大突破，也为其在与台积电、三星等竞争对手的角逐中增添了重要筹码。
来源：Intel官网
18A工艺的技术创新
近年来，英特尔在制程工艺上的步伐略显迟缓，为了扭转这一局面，英特尔于 2021 年提出了雄心勃勃的“四年五个制程节点”计划，而 18A 正是这一计划中的关键一环。这一计划包括 Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A 和 Intel 18A 五个制程节点，每个节点都代表着显著的性能、功耗和密度提升。
Intel路线图（来源：Intel官网）
18A工艺是英特尔“IDM 2.0”战略的重要组成部分，旨在重新夺回其在先进制程领域的领导地位。与之前的工艺节点相比，18A工艺在性能、功耗和晶体管密度方面实现了显著提升。具体而言，18A工艺采用了全新的RibbonFET晶体管架构和PowerVia背面供电技术，能够在更小的面积内集成更多的晶体管，同时大幅降低功耗。
RibbonFET晶体管架构
RibbonFET是英特尔对环绕栅极晶体管（GAAFET）的实现，标志着该公司从FinFET晶体管转向新一代晶体管架构。与FinFET相比，RibbonFET提供了更好的静电控制，从而在更低的电压下实现更高的性能。这种架构不仅提高了晶体管的开关速度，还显著降低了漏电流，使得芯片在高效能和低功耗之间取得了更好的平衡。
PowerVia背面供电技术
PowerVia是英特尔在18A工艺中引入的另一项关键技术。传统的芯片设计中，电源线和信号线都位于晶圆的同一侧，这导致了布线复杂性和信号干扰的增加。PowerVia技术通过将电源线移至晶圆的背面，实现了电源和信号的分离，从而简化了布线设计，提高了信号完整性，并进一步降低了功耗。
18A工艺的成功研发和量产准备，不仅是英特尔技术实力的体现，更是全球半导体行业的一次重要突破。它的推出将直接推动芯片性能的提升和功耗的降低，为数据中心、自动驾驶、物联网等新兴技术提供更强大的算力支持。同时，18A工艺的量产也将加剧与台积电、三星等竞争对手的制程竞赛，推动整个行业向更先进的工艺节点迈进。此外，英特尔的代工服务业务（IFS）将因18A工艺的推出而获得更多客户的青睐，进一步巩固其在全球半导体供应链中的地位。
未来，随着更多客户项目的落地，英特尔有望在代工市场中占据更大的份额，进一步推动其业务多元化发展。同时，18A工艺的成功也将为全球半导体供应链的多元化提供更多选择，减少对单一供应商的依赖，增强供应链的韧性。相信在不久的将来，我们将见证更多由先进制程工艺带来的技术革新，共同迎接智能时代的到来。
注：本文为原创文章，转载需注明作者、出处及原文链接。
