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嵌入式开发软件和服务的全球领导者 IAR Systems和 CAES 的容错处理器设计中心 Gaisler 欣然宣布达成新的合作协议。IAR Systems即将发布的 IAR Embedded Workbench for RISC-V 新版本将支持 NOEL-V，即 Gaisler 的 RISC-V 太空级处理器。

NOEL-V 是一个实现 RISC-V 架构的处理器的可综合 VHDL 模型。该模型可高度配置，提供了从高性能支持 Linux 架构到面积优化的微控制器解决方案等配置。不仅如此，NOEL-V 设计还包含容错功能，自动纠正由于太空环境中天然存在的辐射而产生的故障，使其能够正常地运行软件，

IAR Embedded Workbench for RISC-V 是一个完整的开发工具链，在一个易用的集成开发环境中为开发人员提供他们所需要的一切。该工具链提供丰富的调试功能，包括多核调试和分析：如复杂的代码和数据断点、运行时堆栈分析、调用堆栈可视化和代码覆盖率分析。

IAR I-jet 硬件仿真器提供了适用于 NOEL-V 系统的高效调试接口，利用了标准的 RISC-V JTAG 调试接口（接口将在 2023 年 12 月免费下载的 NOEL-V FPGA 示例位流的下一个版本中提供）。

此外，从事基于 NOEL-V 处理器的关键任务应用的开发人员也将受益于 IAR 的领先编译器优化技术，以达到更高的性能，同时充分利用 IAR 强大的调试器。

总的来说，新的合作协议使 NOEL-V 用户能够使用另一个完整开发工具链以提高灵活性，扩展 Gaisler 现已提供的广泛工具集。

“IAR 出色地将 NOEL-V 支持整合到 IAR Embedded Workbench 中，用他们认证的工具链提供 RISC-V 太空应用。”Gaisler 软件部主管 Daniel Hellström 说道，“在我们的处理器中使用 RISC-V 标准使我们能够利用 RISC-V 软件生态系统和第三方工具链和调试能力。”

对于 IAR Systems 来说，新的合作协议是进入太空市场的重要一步，而 NOEL-V 架构在这个市场上占据了领先地位。

“我们很高兴与 CAES 合作，并在我们的 RISC-V 工具链中增加对 NOEL-V RISC-V 处理器的支持。”IAR Systems 首席技术官 Anders Holmberg 表示，“毫无疑问，IAR Embedded Workbench 已成为全球从事安全关键性应用公司的首选。我们在过去 40 年中获得的嵌入式专业知识与 CAES 提供太空级处理器的悠久传统相结合，将帮助硬件和软件专业人员加速太空行业的开发。”

“我相信这次合作将极大改善我们的产品组合，提高 IAR 和 CAES 在整个太空市场的知名度。”CAES 太空部副总裁兼总经理 Mike Elias 评论道，“我们期待着看到我们的 NOEL-V 出现在更多的尖端飞行任务中。IAR 对 NOEL-V 的支持将鼓励更多的潜在用户采用我们的处理器。”

如需了解关于 IAR Embedded Workbench for RISC-V 的更多信息，请访问www.iar.com/ewriscv。

关于 CAES

CAES 是为技术上最具挑战性的军事和航空航天信任系统提供先进电子器件的先驱者。作为美国航空航天和国防工业最大的混合信号和抗辐射技术供应商，CAES 提供高可靠性的射频、微波和毫米波、微电子和数字解决方案，帮助客户保护地球的安全。在陆地、海上、空中、太空和网络空间，CAES 广泛的电子技术和增强的制造能力使其处于关键任务的军事和航空航天创新的最前沿。www.caes.com

关于 IAR Systems

IAR Systems 提供世界领先的软件和服务，帮助提高开发人员在嵌入式开发和嵌入式安全方面的生产力，使企业能够创造和保护当前的产品和未来的创新。目前，IAR Systems 为来自 200 多个半导体合作伙伴的 15000 款芯片提供支持，为大约 10 万名供职于福布斯 2000 强公司、中小企业和初创企业的开发人员提供服务。IAR Systems 成立于 1983 年，总部设在瑞典乌普萨拉，有 220 多名员工，在亚太地区、欧洲、中东和非洲以及北美设有 14 个办事处。IAR Systems 为 I.A.R.Systems Group AB 所有，在纳斯达克 OMX 斯德哥尔摩交易所上市，属于中型股指数（股票代码：IAR B）。如需了解详情，请访问 www.iar.com。

12月22日，冬至节气到来之际，荣耀携手深圳市信息无障碍研究会在荣耀LIFE店（深圳海岸城）举行信息无障碍体验活动。荣耀可持续发展总监刘小军出席、深圳市信息无障碍研究会工程师郑锐远程参与活动，分别向到场媒体及用户分享了荣耀环境、社会和治理（ESG）理念、成果和荣耀MagicOS 7.0中无障碍功能体验及背后的设计心得。

刘小军表示：秉承创造属于每个人的智慧新世界愿景，荣耀持续投入信息无障碍服务，现已可为障碍人士提供线上线下全渠道无障碍服务。

目前荣耀2250家门店的员工已参加听障和视障相关赋能培训，其中超1000家门店员工具备无障碍服务能力，可为消费者提供无障碍服务，让爱无障碍。此外，荣耀已开放5条无障碍服务座席专线，7x24小时接听解决相关人群的问题。

自品牌独立起，荣耀便将ESG理念植入公司愿景与产品研发之中，不断思考和完善科技无障碍理念。除了成立无障碍专项工作组，从组织和资源上保障无障碍工作，荣耀还发挥科技强企优势，通过平台级AI等业界前沿的底层创新技术，从社会责任践行、产品创新优化、核心场景覆盖等多个角度推广无障碍理念，旨在创造一个能为每个人提供智慧便捷体验的普惠数字世界。

目前我国视障人群约有1730 万，听障人群约有2780万，在这个用信息连接一切的社会中，他们仿佛成为了一座座孤岛，无法跟上信息环境的快速发展。荣耀秉承创造属于每个人的智慧新世界的愿景，定制了一系列针对视障、听障等特殊人群的贴心无障碍功能，护航每一个人的数字世界融入之旅，助其跨越数字鸿沟，旨在把数字世界的便利带给更多人。

在近期发布的AI使能的个人化全场景操作系统MagicOS 7.0中，荣耀也带来了多项全新无障碍功能。比如，"随选朗读"可基于Magic文本的识图语义理解能力，帮助视障人群随心听取屏幕上文字或者是图片的内容，让看不清的人听得见；"远程守护"帮助子女保护父母人身和财产安全，防止老人发生意外或遭遇诈骗。

还有此前已上线的，可将屏幕内视频语音或对话实时转为文字的"AI字幕"、支持绿/红/蓝/灰四种校正模式的"色彩校正"、放大手势、简易模式及诸多儿童辅助功能。

荣耀的产品创新也时刻洞悉当下用户的无障碍使用需求，荣耀Earbuds 3 Pro耳机配备体温播报功能，当用户戴上耳机五分钟后，只需连续轻点三下，就能自动播报身体温度。

得益于上述优异的辅助功能，荣耀产品无障碍特性获得障碍人士一致好评。作为视障者，郑锐在活动中分享了自己对荣耀MagicOS 7.0中无障碍功能的使用体验，他表示："荣耀从无障碍基础功能建设，到不断优化产品功能创新，始终都在积极将无障碍功能扩展到产品的方方面面，以AI使能，让我们每个人都能平等享有科技带来的价值。"

独行疾，众行远。荣耀坚持开放合作，通过联合业内专业组织及机构，加速无障碍服务与功能的普及和推广。除了此次牵手信息无障碍研究会落地门店信息无障碍体验活动，荣耀此前还参与制定《移动智能终端信息无障碍通用规范》行业标准，促进信息无障碍生态良性发展，持续普惠大众。

寒冬已至，春归有期。刘小军表示："让每个人都能平等享有科技进步带来的福祉，是荣耀走向可持续发展的必由之路。"伴随MagicOS 7.0的发布，未来荣耀将在互联化、智慧化、生态化三大方向上不断演进能力，提升跨系统、跨设备、跨应用的无障碍服务体验。荣耀作为创新科技企业的代表，将通过有温度的创新让每个人都能平等享有科技带来的价值。随着科技温度的持续升温，荣耀将为障碍人群带来更多的暖心的功能，共同向着美好的春天迈进。

稿源：美通社

奥趋光电于近期成功实现了氮化铝（AlN）晶体从2英寸到3英寸的迭代扩径生长（见图一），制备出了直径达76 mm的铝极性AlN单晶锭及3英寸衬底样片（见图二）。此3英寸AlN单晶锭及衬底样片的成功制备被认为是4英寸AlN商业化之路上的一大重要里程碑。

AlN单晶材料生长至今已有近50年的历史，但由于AlN晶体的生长工艺技术难度高、研发成本高，造成其发展进程非常缓慢。当前，全球范围内可实现商业化的AlN单晶衬底直径仅为2英寸，不仅供货周期长、供应量也非常有限，且十多年来欧美就任意尺寸的AlN单晶衬底对中国一直实施禁运，严重制约了我国AlN单晶材料技术的开发及其在高功率/高压/高频/高温电力电子器件、射频通信器件、深紫外光电子器件等诸多领域的商业化发展和在国防军工领域的关键应用。

图一 奥趋光电制备的2英寸AlN单晶锭（左）和3英寸AlN单晶锭（右）

图二 奥趋光电制备的3英寸AlN单晶衬底样片

氮化铝（AlN）是极具战略意义的新一代超宽禁带半导体材料，具有超宽禁带（6.2 eV）、高热导率（340 W/(m∙K)）、高击穿场强（15.4 MV/cm）、高热稳定性及良好的紫外透过率等优异性能（见图三），是高功率、高频及高压器件（见图四）的理想衬底材料，同时也是紫外光电器件的最佳衬底材料。据康奈尔大学报导，AlN基功率器件的综合性能有着其它宽禁带半导体材料所无可比拟的优势与效率，被认为是下一代功率器件材料平台；由于AlN耐压能力约为SiC的5倍、GaN的3倍及金刚石的1.5倍，日本NTT公司于2022年首次使用高质量AlN单晶衬底制备出了全球首款耐压1700V、耐温高达500℃的新一代晶体管，并表示有望将功率器件电力损耗降至Si的5％以下、SiC的35％以下和GaN的50％以下；近期，诺贝尔获奖者天野浩教授团队基于AlN单晶衬底首次实现了室温下连续波深紫外激光输出。这些突破性成果代表基于AlN单晶衬底的技术向未来产业化广泛应用奠定了坚实基础。

图三：各种半导体材料特性比较图

图四：各种半导体材料功率器件应用领域比较图

奥趋光电拥有具备完整自主知识产权的全自动化长晶设备，以及热场设计、有限元仿真模拟软件开发等技术能力。3英寸AlN单晶及其衬底样片的成功制备完全依托于奥趋光电第三代全自动氮化铝单晶生长炉（设备型号：UTI-PVT-D075H，见图五），在50-90 kPa的高纯度氮气气氛（99.999%）下通过同质外延物理气相传输法（PVT）迭代生长技术实现。其中，PVT长晶设备、长晶热场、长晶工艺等设计与优化均采用了奥趋光电自主开发的一系列先进的有限元模拟仿真工具，如多项流传质仿真模块、杂质传输仿真模块、生长速率预测仿真模块、过饱和度仿真模块、三维各向应力仿真模块等。从2英寸至3英寸的扩径过程中，通过生长室的优化设计及不同工艺段的温度分布、生长前沿的径向温度梯度、生长室内的物质传输及过饱和度等精确控制，最终实现了无寄生形核、无裂纹且直径为76 mm的AlN单晶锭，平均生长速度为100-300 μm/h，晶体的初期扩张角较大达到45-65°，并随后逐渐下降到10-20°。在扩径迭代生长进程中，晶锭外形逐渐从2英寸六边形晶锭逐渐转变为轴对称圆锥形晶锭，其自然习性面棱系列面{10-10}和R系列面{10-1n}在晶锭直径超过约70 mm后逐步消失。

图五 奥趋光电自主开发的UTI-PVT-D075H型全自动AlN单晶气相沉积炉

奥趋光电对化学机械抛光（CMP）后的2-3英寸AlN衬底进行了高分辨X衍射（HRXRD）摇摆曲线（见图六）和深紫外吸收系数（见图七）的表征。3英寸衬底的（0002）和（10-12）HRXRD摇摆曲线半高宽分别为176 arcsec和109 arcsec，表明具有较高的结晶质量。然而，随衬底直径的扩大，半高宽有所增大，表明质量略受影响。初步判断是因为晶体扩径过程中生长界面逐渐增强的径向温梯导致了各类缺陷（小角度晶界、穿型位错、基底面位错、堆垛层错等）的产生与增殖。图七显示了用紫外-可见光分光光度计检测的3英寸样片在200-1000nm范围内的吸收系数。衬底中心和边缘位置的结果十分接近，表明具有较好的透光均匀性。在深紫外波段（240-280 nm），衬底片的吸收系数低至18-26 cm^-1，表明具有优异的深紫外透过率。

图六 3英寸AlN衬底的HRXRD摇摆曲线：（A）（0002）对称反射和（B）（10-12）非对称反射

图七 3英寸AlN衬底的吸收系数图谱

该项工作得到了国家重点研发计划（批准号：2022YFB3605302）、国家自然基金（批准号：61874071, 61725403, 61827813, 62121005）及浙江省重点研发计划（批准号：2020C01145）的支持。奥趋光电于2021年发布了新一代超宽禁带半导体高端材料——高质量氮化铝单晶衬底系列产品，并已实现2英寸（Φ50.8mm）及以下各尺寸氮化铝单晶衬底的小批量量产和公开销售，预期2023年3-4英寸产品可对外试样。

关于奥趋光电：

奥趋光电是由海归博士团队、半导体领域顶尖技术专家领衔，于2016年5月创立的高新技术、创新型企业，总部位于浙江省杭州市。奥趋光电核心专注于第三代/第四代超宽禁带半导体氮化铝晶圆衬底材料、蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝/氮化铝钪薄膜模板、全自动氮化铝PVT气相沉积炉及其相关产品的研发、制造与销售，核心产品被列入《中国制造2025》关键战略新材料与装备目录，是制备深紫外LED芯片、5G射频前端滤波器、MEMS压电传感器等各类紫外发光器件、高温/高频射频器件、高频/高功率电子及激光器件的理想衬底/压电材料。

奥趋光电经过多年的高强度研发投入，成功开发出全球最大，直径60mm的氮化铝单晶及晶圆，也是全球首家蓝宝石基氮化铝薄膜模板大批量制造商。目前可向客户提供2英寸及以下尺寸高质量氮化铝单晶衬底、2/4/6英寸蓝宝石基/硅基/碳化硅基氮化铝、氮化铝钪薄膜模板、氮化铝单晶气相沉积炉及热处理设备等产品，同时向客户及合作伙伴提供从设备设计、热场设计、热场模拟仿真技术开发、咨询及生长工艺优化到晶圆制程等全环节的完整工艺解决方案与专业技术服务。截止2022年11月，共申请/授权国际、国内专利50余项，是全球范围内本领域专利数量最多的团队之一，被公认为本领域全球技术的领导者。

稿源：美通社