作者：Winnie
存储市场格局正在迎来新变化。面对长江存储份额持续攀升以及 AI 存储需求快速增长，三星、SK 海力士选择在国内存量工厂推进工艺升级，不过整个计划受制于海外设备出口管制，最终走向充满不确定性。
两家厂商正分别对西安、大连 NAND 工厂实施工艺升级，开发更高堆叠层数闪存产品，相关升级事宜持续与美方沟通，暂未对外披露完整生产方案。
三星西安厂目前生产 200 层 NAND，占其全球 NAND 产能约 40%。代号 「Monami」 改造项目将在现有厂房内升级至 286 层 V9 NAND，不新建厂房、不扩产；目标 2026 年 12 月月投片 5000 片，2027 年 12 月爬坡至 4 万片 / 月。
SK 海力士大连厂现量产 192 层产品，已获批生产 240 层 NAND；后续计划向美方申请在大连开展 300 层以上产品研发，为未来赴美量产同类产品铺路，同时正与美国政府洽谈在美国新建 NAND 工厂，市场解读其意在以赴美投资换取国内产线更高技术迭代空间。
2026 年二季度长江存储在中国本土 NAND 市场份额 38.5%，超越三星。长存主力为 160 层、232 层 NAND，294 层产品处于小批量阶段，并布局 300 层以上产品研发；三星 286 层、SK 海力士 321 层旗舰高堆叠 NAND 优先在海外基地量产，国内工厂定位服务本土市场。
受美国设备管制影响，两家企业向在华工厂引入美制设备，需要逐年单独申请出口许可证。美方此前表态允许现有工厂维持基础运营，但原则上不支持扩产与技术升级，本次升级所需设备许可能否获批仍存不确定性。
产业层面，若许可顺利落地，国内高堆叠 NAND bit 供给增加，AI SSD 紧缺局面有望得到缓解；若许可收紧、设备导入受阻，长存将获得更长的产品验证与份额提升窗口期。分析师指出，韩企此举属于典型的地缘风险对冲；长存竞争重心已转向企业级市场、良率与成本优化，国产存储设备、材料替代主线不变。
总结
韩企本次在华存量产线升级，不是单纯的产能竞赛，而是在管制框架下一次谨慎的攻防布局。一边守住中国市场现金流，一边用赴美建厂换取技术迭代筹码。NAND 赛道的竞争，已经不只是层数、良率的比拼，更是供应链确定性的较量。长江存储依托本土供应链与国产化需求，仍具备独特优势，高端企业级市场将成为下一阶段双方争夺的主战场。
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