安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度

2021年218 —推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件用于功率密度、能效和可靠性攸关高要求应用。设计人员用新SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)太阳能逆变器服务器电源(PSU)电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显更好的性能

安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

安森美半导体新AECQ101和工业级合格的650(V) SiC MOSFET基于一种材料,提供比硅更胜一筹的开关性能和更好热性能因而提高系统级功率密度,电磁干扰(EMI)、系统尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用的有源单元设计,结合先进的薄晶圆技术,可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp (Rdson * area)。NVBG015N065SC1NTBG015N065SC1NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封装具有市场最低的Rdson (12 mOhm) 技术还优化能量损失品质因数,从而优化了汽车和工业应用中的性能。 内置门极电阻 (Rg)为设计人员提供更大的灵活性,而无需使用外部极电阻人为地降低器件。 更高的浪涌雪崩能力和短路鲁棒性有助于增强耐用性,从而提供更高的可靠性和更长的器件使用寿命。

安森美半导体先进电源高级副总裁Asif Jakwani在发布新品时:“在现代电源应用中,如电动汽车(EV)车载充电器(OBC)和可再生能源企业计算电信其他应用 高能可靠性和功率密度是设计人员一直面临的挑战。这些新的SiC MOSFET比同等的硅开关技术显提高性能,使工程师能够满足这些具有挑战性的设计目标。 增强的性能降低损耗,从而提高效,减少热管理需求,并降低电磁干扰(EMI)。使用这些新SiC MOSFET最终结果是更小更轻更高效和更可靠的电源方案。”

新器件均为表面贴装,并提供行业标准封装类型,包括TO247和D2PAK。

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关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON)致力于推动高能效电子的创新,使客户能够减少全球的能源使用。安森美半导体领先于供应基于半导体的方案,提供全面的高能效电源管理、模拟、传感器、逻辑、时序、互通互联、分立、系统单芯片(SoC)及定制器件阵容。公司的产品帮助工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、医疗、航空及国防应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目,一套强有力的守法和道德规范计划,及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn

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