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SiC
SiC是碳化硅(Silicon Carbide)的缩写,是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。
瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用,赢得市场认可
近期,中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品,凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单,已量产交付近200万颗,为应用系统提供高效、可靠的解决方案。
中恒微推出Light EU封装的SiC功率模块
中恒微推出Light EU封装的SiC功率模块,性能对标国际一线品牌。产品使用新一代平面栅SiC MOSFET 芯片、先进的插针工艺,内部集成具有负温度系数的热敏电阻NTC,并结合低热阻的AI2O3衬底,具有出色的可靠性、散热能力以及低导通电阻等特性,可替换市场同类型模块。
基于SiC的熔丝保护高压电气系统
在减少排放和实现净零目标的前进道路上,碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件(例如电机驱动器)或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。
SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例,我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势,两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间,但分立MOSFET却能带来独特优势:设计自由度更高和更丰富的产品组合。
SiC 市场的下一个爆点:共源共栅(cascode)结构详解
安森美 (onsemi) cascode FET (碳化硅共源共栅场效应晶体管)在硬开关和软开关应用中有诸多优势,本文将重点介绍Cascode结构。
【原创】重磅!全球SiC巨头 Wolfspeed 申请破产!
据多家媒体报道,全球最大的SiC衬底制造商之一碳化硅(SiC)功率器件巨头Wolfspeed公司正计划在未来数周内申请破产保护,主要原因是Wolfspeed目前面临巨大的债务压力,其总债务高达65亿美元,其中包括阿波罗全球管理公司持有的15亿美元优先担保贷款。
中恒微推出Drive ED3封装SiC功率模块
中恒微推出Drive ED3 (EconoDUAL™ 3)封装的SiC功率模块,使用平面栅(planer gate)SiC MOSFET芯片技术,在高温下具有优异的RDS(ON)表现,标准封装具有良好的适配性。
英飞凌SiC超结技术树立新标准,加速电动汽车普及与工业效率提升
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)作为碳化硅(SiC)功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者,始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术,实现更加智能、快速的固态配电
为推动下一代固态配电系统的发展,英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。
ROHM推出高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化!
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。
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