SiC

SiC是碳化硅（Silicon Carbide）的缩写，是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。

UnitedSiC 推出第二版FET-Jet Calculator
全球领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布 ，已推出FET-Jet CalculatorTM 的升级版，这个新版本 (第二版) 显著简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程以及所有功率相关结果的分析。
Integra Technologies面向任务关键型国防应用领域发布业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术
Integra是致力于让世界更安全、联系更紧密的创新型射频和微波功率解决方案领先供应商。公司推出业界首创的100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。
确保SiC验证测试准确度，有效测量碳化硅功率电子系统中的信号
SiC 正在被应用到功率更高、电压更高的设计中，比如电动汽车(EV) 的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、车载和非车载充电器、风能和太阳能逆变器和工控电源。
科锐携手高斯宝，为服务器电源市场带来SiC解决方案
全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，与深圳市高斯宝电气技术有限公司（品牌：Gospower）成功合作。
SiC扎根汽车领域
由于具备的多种属性，碳化硅（SiC）成为了电动车（EV）领域中重要的半导体技术，碳化硅器件的性能胜过传统硅（Si）器件。它的优势包括提高了电压额定值、功率转换效率出众和能处理更高温度。
CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块，以满足其对自然冷却的需求
CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
采用SiC混合模块和全SiC MOSFET模块提高太阳能逆变器的能效和功率密度
本视频由安森美半导体技术专家Yusi Liu为大家讲解采用SiC混合模块和全SiC MOSFET模块如何助力提高太阳能逆变器的能效和功率密度。
安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式
中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）与全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）在中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室”，并于2020年10月举行了启动仪式。
SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃，未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势，这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。