CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块，以满足其对自然冷却的需求
CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
SiC是碳化硅（Silicon Carbide）的缩写，是一种广泛用于半导体和电子设备制造的材料。
SiC
采用SiC混合模块和全SiC MOSFET模块提高太阳能逆变器的能效和功率密度
本视频由安森美半导体技术专家Yusi Liu为大家讲解采用SiC混合模块和全SiC MOSFET模块如何助力提高太阳能逆变器的能效和功率密度。
安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。
UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式
中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）与全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）在中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室”，并于2020年10月举行了启动仪式。
SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。随着第三代宽禁带半导体器件（如SiC）出现以及日趋成熟和全面商业化普及，其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃，未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势，这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。
安森美半导体碳化硅(SiC)方案应用于太阳能逆变器电源及电动汽车充电桩等
本次研讨会将介绍安森美半导体的SiC 生态系统及颠覆性的SPICE建模，以及SiC用于太阳能及可再生能源、电动/混动汽车充电桩、服务器和工业应用的方案。
智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。
Transphorm发布高压GaN的最新可靠性数据
高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)今天发布了有关其GaN技术的质量和可靠性(Q+R)的最新信息。
Microchip 推出最新一代汽车用700 和 1200V 碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）
汽车电气化浪潮正席卷全球，电动汽车搭载的电机、车载充电器和DC/DC转换器等高压汽车系统都需要碳化硅（SiC）等创新电源技术。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出最新通过认证的700和1200V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）功率器件，为电动汽车（EV）系统设计人员提供了符合严苛汽车质量标准的解决方案，同时支持丰富的电压、电流和封装选项。
联合碳化硅（UnitedSiC）扩大肖特基二极管产品组合
2020年10月26日，美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅（SiC）功率半导体的领先制造商美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，将推出四种新型结势垒肖特基（JBS）二极管，以补充FET和JFET晶体管产品。