派恩杰半导体

派恩杰推出650V/300mhom SiC MOSFET，可配合现有PWM控制器进行方案设计，并可直接在不更改任何驱动方案情况下取代原有硅功率器件的应用, 派恩杰这款SiC MOSFET可直接以PWM 控制器进行直驱，不需要额外使用门极驱动器。

自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

2021年10月12日，《21世纪经济报道》主办的“2021中国智造业年会”会上，揭晓了“2021中国智造「金长城」奖”的评选结果。派恩杰半导体（杭州）有限公司（以下简称派恩杰半导体）凭借全球领先的SiC功率器件技术喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业”殊荣。

日前，ELEXCON深圳国际电子展暨嵌入式系统展将“低碳能效奖“颁给了国内首款1700V, 3Ω SiC MOSFET P3M173K0K3，该产品最大导通电流(Ids_max)为2A。