圣邦微电子推出 40V 耐压、低导通电阻、高性能的 N 沟道 MOSFET SGMNQ12340 winniewei / 周一, 13 十月 2025 - 10:39 圣邦微电子推出 SGMNQ12340,一款 40V 耐压、低导通电阻、输入电容低、切换速度快、高性能的 N 沟道 MOSFET。该器件可应用于 VBUS 过压保护开关、AMOLED 显示控制器、电池充放电开关及 DC/DC 转换器。 阅读更多 关于 圣邦微电子推出 40V 耐压、低导通电阻、高性能的 N 沟道 MOSFET SGMNQ12340登录或注册以发表评论