用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台 winniewei / 周三, 11 十二月 2024 - 14:15 在现代ULSI电路中沟道热载流子(CHC)诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。 阅读更多 关于 用4200A和矩阵开关搭建自动智能的可靠性评估平台登录或注册以发表评论