纳芯微高压半桥驱动NSD2622N:为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案 winniewei / 周二, 3 六月 2025 - 16:19 纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N,该芯片集成正负压稳压电路,支持自举供电,具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力,可以显著简化GaN驱动电路设计,提升系统可靠性并降低系统成本。 阅读更多 关于 纳芯微高压半桥驱动NSD2622N:为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案登录或注册以发表评论