器件具有单开关和低边斩波器两种配置,采用先进的650 V超结MOSFET技术,优化RDS(on)-Qg之间的均衡
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出四款内置650 V超结MOSFET芯片、采用行业标准SOT-227封装的新型功率模块--- VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65。Vishay Semiconductors VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65优异均衡导通损耗与开关损耗,支持工业应用高效功率转换。

日前发布的功率模块包括三款单开关配置器件,标称额定电流分别为 50A、100A和150A;另外一款50A器件采用低边斩波器配置、集成650 V SiC二极管。四款器件均采用先进高效的 650V 超结 MOSFET 技术,具有显著的导通电阻与栅极电荷均衡优势,设计人员可在保持快速开关特性的同时降低功耗。
VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65可用作DC/DC转换器和DC/AC逆变器,适用于太阳能逆变器、制氢与燃料电池系统、HVDC基础设施辅助电子设备与输电系统、充电站、开关电源、焊接切割设备、不间断电源(UPS)、照明系统、轨道交通电源、X光和磁共振(MRI)系统等医学影像设备。
上述应用严苛环境下,功率模块工作温度范围达 -55 °C至+150 °C。器件采用SOT-227封装,为直接替代现有设计中的竞品提供即插即用解决方案,无需改变 PCB布局,从而节约成本。
器件规格表:
产品编号 | VS-FC50LA65 | VS-FC50SA65 | VS-FC100SA65 | VS-FC150SA65 |
| VDSS (V) | 650 | 650 | 650 | 650 |
| RDS(on) 典型值(mW) | 45 | 44 | 22 | 14.8 |
| Qg (nC) | 167 | 167 | 338 | 508 |
| 标称额定电流 (A) | 50 | 50 | 100 | 150 |
| 配置 | 低边斩波器 | 单开关 | 单开关 | 单开关 |
VS-FC50SA65、VS-FC100SA65、VS-FC150SA65和VS-FC50LA65现可提供样品并已实现量产,供货周期为12周。
VISHAY简介
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