【原创】一纸禁令，GaN产业要变天？

作者：电子创新网张国斌

2026 年 6 月 12 日，最高人民法院正式发出临时禁令复议裁定书，维持苏州中院针对英飞凌的销售禁令，意味着从此刻起英飞凌相关氮化镓产品被禁止在中国境内销售。英诺赛科是一家总部位于珠海的氮化镓类器件制造商，产品包括高低压氮化镓电源 IC、功率半导体等。2024年底在香港联交所主板上市（股票代码：HK2577），是国内氮化镓半导体第一股。2025年报显示，其氮化镓模块销售收益达4.462亿元，同比增长142.6%。

这起英飞凌 vs 英诺赛科的专利战，本质上不是单一侵权纠纷，而是围绕第三代半导体 GaN（氮化镓）产业主导权的一场“体系级对抗”。而最高院这纸禁令恐要引发GaN产业变天！

专利战回溯

英诺赛科于2025年初向苏州中院起诉英飞凌中国子公司及其代理商，指控其侵犯两项自主研发的氮化镓核心发明专利：

这两项专利涉及氮化镓（GaN）功率器件的核心技术。2026年4月24日，北京知识产权法院全面维持了这两项专利的有效性，驳回英飞凌的无效诉讼请求。

英飞凌于2023年以8.3亿美元收购加拿大GaN Systems公司，获得了大量GaN专利，随后在全球范围内对英诺赛科发起诉讼攻势。涉及约450项GaN专利族中的多项专利：

技术争议的焦点

氮化镓（GaN）是一种第三代半导体材料，相比传统硅基半导体具有更高功率密度、更快开关速度、更低能量损耗等优势。可以说GaN是下一代功率半导体制高点。双方争议的核心是GaN功率器件技术：

应用：电动车快充、AI数据中心、电源、工业控制

优势：高效率、高频率、小体积

战略意义：直接决定“电力电子效率革命”， 换句话说：这不是普通芯片，而是“能源效率基础设施”。

双方争议的核心技术包括：

硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆制造技术：在8英寸硅片上生产氮化镓功率芯片

共源共栅（Cascode）器件结构：一种改善GaN器件可靠性的电路拓扑

高电压功率器件设计：覆盖15V至1200V的全链路氮化镓供电解决方案

全球诉讼结果对比

值得注意的是，英诺赛科在美国ITC案中成功实施了设计规避（design-around）策略——在诉讼期间重新设计了产品，使其避开英飞凌专利保护范围。委员会确认其重新设计后的产品不侵权，并同时无效了'481专利中的4项权利要求。

双方未来诉讼发展预测

1. 短期影响（2026-2027）

中国市场格局重塑：英飞凌相关产品被禁售后，英诺赛科在国内GaN功率器件市场的份额有望显著提升。英诺赛科2025年氮化镓模块销售收益已达4.462亿元，同比增长142.6%。

英飞凌的应对：英飞凌可能通过产品重新设计规避英诺赛科专利，或寻求专利许可/交叉许可和解。

德国诉讼进展：慕尼黑法院另有1项专利和1项实用新型的侵权审判定于2026年6月进行，结果将影响欧洲市场格局。

2. 中期趋势（2027-2030）

AI数据中心驱动需求爆发：英诺赛科已与英伟达合作，为其800VDC架构提供全链路氮化镓供电解决方案。随着AI算力需求从千瓦级跃升至兆瓦级，GaN功率器件市场将持续高速增长。

全球供应链分化：中美欧三地不同的判决结果可能导致GaN供应链出现区域化分割。企业需针对不同市场设计不同版本产品。

专利战常态化：英飞凌拥有约450项GaN专利族，双方在全球的诉讼可能持续数年。英诺赛科也在积极构建自己的专利壁垒。

3. 长期展望

技术路线竞争：英飞凌正推进300毫米（12英寸）GaN晶圆制造，英诺赛科则依托8英寸产能优势和中国市场规模效应。技术路线和成本效率将是决定胜负的关键。

国产替代加速：英诺赛科作为中国氮化镓第一股（HK2577），此次胜诉将强化国内产业链对自主GaN技术的信心，推动快充、新能源汽车、光伏逆变器等领域的国产替代。

可能的和解路径：考虑到双方在全球互有胜负、且诉讼成本高昂，未来不排除通过交叉许可协议达成和解，共同瓜分快速增长的市场蛋糕。

这场横跨中、德、美三国的GaN专利大战，本质上是第三代半导体技术主导权的争夺。英飞凌凭借收购GaN Systems获得的庞大专利组合发起全球攻势，而英诺赛科则凭借自主研发的核心专利在中国实现"反杀"。未来，随着AI数据中心、新能源汽车和可再生能源对高效功率器件需求的爆发，GaN市场的竞争将更加激烈，技术创新与知识产权布局将成为企业生存的核心竞争力。

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