随着5G网络的深入部署，对终端无线通信能力起着关键作用的5G射频前端方案也在持续优化创新。
目前，5G射频前端方案主要有Phase7系列方案和Phase5N方案。Phase7系列方案基于4G时代的Phase6方案框架，虽有功能改进，但存在成本高、功能冗余、架构不够简洁等问题。Phase5N方案凭借价格优势，在对成本敏感的终端方案中广泛应用，然而，作为分立方案，它在支持海外CA、更多4G/5G双连接及双卡双通等新功能时，需要大量分立物料，导致射频前端架构复杂。这不仅增加了BOM管控难度和成本，还使方案调试难度加大，后续性能管控风险升高。
2023年，真正适配5G的优化射频前端方案——Phase8系列方案应运而生。国内器件及终端厂商尤为关注Phase8L方案，采用该方案能大幅减少芯片数量，有效降低终端体积与功耗，为终端设备的小型化和长续航提供有力支持。
新品发布
为满足5G网络发展对高性能射频前端芯片的迫切需求，推动终端无线通信能力的进一步提升，星曜半导体于2025年6月30日正式发布全自主研发的基于Phase8L方案的All-in-one L-PAMiD全集成射频模组芯片STR51230-11。
产品简介
本次发布的STR51230-11芯片作为Phase7LE的下一代演进产品，通过革命性的架构创新实现了重大突破。该产品成功攻克了高性能滤波器设计、高效率多PA架构设计、LNA与开关高性能设计、高集成度下的可靠性与隔离等关键技术难题，将P7LE LB+MHB L-PAMiD两颗芯片方案整合为单颗模组芯片，仅需一颗芯片就能实现分立方案20多颗射频器件的功能。 在尺寸方面，将原先LB(7.6×6.0mm)和MHB(6.5×8.6mm)两颗L-PAMiD芯片整合为6.8mm*8.6mm的单芯片方案，大幅缩减了客户PCBA的占用面积；在成本方面，成本仅为P7LE方案的70%左右。该突破性集成方案不仅显著提升了集成度和性能表现，亦在降低系统复杂度和成本的同时，带来了更优异的射频性能和更简便的调试过程。 Fig.1 星曜Phase8L L-PAMiD产品架构图、产品开盖图 产品性能 STR51230-11芯片实测性能表现卓越(参见Fig.2)。PC3频段最大线性发射功率达26.5dBm，PC2频段(n41)最大线性发射功率达29dBm，显著提升信号覆盖距离与抗干扰能力，保障复杂环境下的通信质量；PC3频段总电流＜700mA，PC2频段总电流＜1250mA，相比传统方案功耗降低30%以上，大幅提升终端设备的续航能力；Sub3G LB接收噪声系数小于3.3dB，Sub3G MHB接收噪声系数小于4dB，可精准过滤噪声干扰，确保弱信号场景下的接收纯净度与可靠性。 Fig.2 产品核心关键指标实测 在低、中、高各个频段的发射/接收性能上，STR51230-11芯片亦表现优异(参见Fig.3、Fig.4、Fig.5)。在发射性能方面，该芯片在各频段均具有较高的增益(Gain)、稳定的输出功率(Pratd)和低功耗特性(总电流(Itotal)控制优异)，能够显著提升信号覆盖范围、增强抗干扰能力，并有效降低功耗，延长终端设备的续航时间。在接收性能方面，该芯片在各频段均表现出优异的噪声抑制能力和信号灵敏度，可精准过滤环境干扰，显著提升弱信号场景下的通信质量和可靠性，确保5G终端在各种复杂环境下的稳定连接。 Fig.3 产品低/中/高各频段发射性能实测 Fig.4 产品低/中/高各频段接收性能实测 Fig.5 产品各频段增益性能实测 产品亮点 全频段覆盖：单颗芯片即可覆盖Sub-3GHz全频段，满足 5G 多频段需求； 高度集成：采用All-in-One设计，实现真正的全集成L-PAMiD，集成PA、LNA、开关和滤波器，减少外围器件数量； 面积优化：相比上一代Phase 7LE方案，面积约减少至57%，进一步降低了PCBA占用空间； 支持多频CA：支持多种频段组合的载波聚合（CA B3+B40 B3+B41 B1+B3等），提升频谱效率； 成本效益：通过集成化设计，减少了外围器件数量，降低了应用复杂度，降低成本30%以上； 高性能与低功耗：支持3.4V低压下的PC2大功率轮发，无需额外的升压电源，降低能耗和成本。
来源：星曜半导体