浩瀚芯光推出GaN功率放大器芯片MH1329

我公司新推出一款工作频率覆盖8GHz-12GHz的基于0.25μm GaN HEMT工艺制作的功率放大器芯片MH1329。该芯片功率增益大于17dB，典型饱和输出功率39dBm，典型功率附加效率43%，可在脉冲模式下工作。芯片通过背面通孔接地，典型工作电压Vd=+28V，Vg=-2.6V。

性能特点

典型测试曲线（ Vd=+28V，Vg=-2.6V）

外形尺寸

压点排列图

建议装配图

注意事项

来源：浩瀚芯光