随着5G通信、点对点微波传输、仪器测试等射频系统向宽频带、高功率、高效率方向发展，功率放大器作为发射链路的核心器件，其性能直接影响系统的覆盖能力与能耗表现。合肥芯谷微电子依托0.25um功率GaN HEMT工艺，推出两款高性能内匹配功率放大器——IMPA020060P50（2~6GHz）与IMPA090100P51（9~10GHz）。其中IMPA020060P50内置偏置电路与隔直电容。这两款都是输入输出匹配至50Ω，易于级联使用，采用金属陶瓷管壳密封封装，具备高可靠性、高效率、易集成等特点，可广泛应用于通信基站、测试设备、微波传输等民用领域。
重点产品详解
IMPA020060P50 — 2~6GHz超宽带GaN功率放大器
可覆盖工作频带范围：1.8~6.025GHz
良好的50Ω阻抗匹配，易级联使用
金属陶瓷管壳密封封装
采用螺钉固定式带法兰封装或焊接式丸状封装
0.25um功率GaN HEMT技术
GaN内匹配式超宽带功率放大器，内置偏置电路与隔直电容，集成度高，使用友好。+28V时，在2~6GHz频段内连续波平均功率50dBm，拥有优异的效率、增益和输入反射系数指标。尤其输入S11特别优异，最高-12dB，最低-25dB，解决了超宽带功率器件输入反射系数难匹配，指标很差的问题。在没有隔离器的情况下，更利于级间匹配，降低振荡的风险或者解决失配指标恶化的问题。也可32V使用。具体S11示意图和技术指标如下：
S11示意图
技术指标示意图
IMPA090100P51 — 9~10GHz高效率GaN功率放大器
可覆盖工作频带范围：9.0~10.0GHz
良好的50Ω阻抗匹配，易级联使用
金属陶瓷管壳密封封装
采用螺钉固定式带法兰封装或焊接式丸状封装
0.25um功率 GaN HEMT 技术
GaN内匹配式功率放大器，设计频率9GHz~10GHz ，带内功率51.7~52.5dBm,平均效率45%，带内增益最低7.8dB，二次谐波抑制-50dBc，指标优异，配合外围电路，可拓宽到8.5GHz~10GHz使用。具体技术指标如下图：
技术指标示意图
技术优势
GaN HEMT工艺，高功率密度
采用0.25um功率GaN HEMT技术，兼具高击穿电压、高工作温度与高功率密度优势，在小型封装内实现百瓦级输出。
内匹配式设计，即插即用（IMPA020060P50）
输入输出内部匹配至50Ω，内置偏置电路与隔直电容，无需外部匹配网络，简化PCB设计，缩短开发周期。
优异的输入匹配特性（IMPA020060P50）
全频段S11最高-12dB，在没有隔离器的情况下，降低震荡的风先险或者解决失配指标恶化的问题，大幅提升系统稳定性。
高效率与高线性并重（IMPA090100P51）
45%的漏极效率结合-50dBc二次谐波抑制，降低功耗与散热压力，同时减少后级滤波需求，适合高密度集成。
宽温稳定，可靠性高
金属陶瓷密封封装，工作温度范围-45℃~+75℃（IMPA020060P50）或-40℃~+75℃（IMPA090100P51），适应户外基站、工业环境。
安装友好
提供法兰安装与丸状封装选项，支持螺钉固定与焊接，装配简单可靠。
典型应用场景
5G通信基站：作为Sub-6GHz频段功放，提升覆盖效率。
点对点微波传输：在6GHz以下及9~10GHz回传链路中作为末级功放。
测试测量仪器：信号发生器、功率放大器测试系统中的高功率模块。
卫星通信终端：Ku波段上变频链路中的驱动或末级放大。
工业射频设备：如射频加热、等离子激励等需要大功率连续波输出的场合。
合肥芯谷微电子凭借自主GaN工艺与内匹配设计能力，推出覆盖2~6GHz和9~10GHz的系列功率放大器产品，在宽频带、高效率、易集成等方面表现突出。其中IMPA020060P50以优异的输入匹配特性解决了超宽带功率管级联难的问题，IMPA090100P51则以高功率、高谐波抑制满足高频段严苛要求。
如需进一步了解产品详情或申请样品，欢迎联系销售经理垂询。