至信微电子正式发布1200V 5mΩ超低导通电阻碳化硅JFET系列产品，该产品已在核心客户端完成验证，即日起进入批量供货阶段。这是继年初成功量产1200V 260mΩ、650V 140mΩ JFET之后，至信微在SiC JFET产品线上的又一力作，以5mΩ级业界领先指标，将国产碳化硅JFET推升至超低阻、高电流密度的新高度，为工业驱动、光伏储能、航天科工等领域打造更可靠的功率方案。
高性能，高可靠
该系列产品通过解决了大尺寸芯片良率不高和导通电阻偏大问题，集高耐压、超低导通损耗、极速开关响应与优异高温稳定性于一身，性能参数全面比肩国际主流器件。其采用全结型栅极结构，彻底规避了传统MOSFET中栅氧界面陷阱引起的阈值漂移风险，在150℃以上高温、强辐射等严苛工况下仍能保持稳定工作，尤其适用于工业电机驱动、光伏逆变器、充电桩、航空航天等高可靠性电力电子场景。
双线布局，夯实技术底座
此次突破，建立在至信微深厚的技术积淀之上。公司此前已率先推出1200V 7mΩ及750V 5mΩ碳化硅MOSFET，产品良率稳定超过90%，在新能源汽车、光伏储能、工业电源等领域获得头部客户规模化应用。至此，至信微成为国内同时具备SiC MOSFET与SiC JFET双产品线的功率半导体企业，构筑起从SiC MOS到SiC JFET的完整高性能器件矩阵。
SiC JFET市场概况
当前，全球SiC JFET市场正迎来爆发式增长——2025年全球销售额达30.83亿元，预计2032年将突破56.96亿元。国际巨头如英飞凌亦于今年6月宣布扩展其CoolSiC JFET系列，瞄准AI数据中心与工业应用。至信微此番率先实现1200V 5mΩ量产出货，不仅填补了国内超低阻JFET的产业化空白，更在关键器件自主供给与供应链安全层面提供了坚实支撑。
至信微的技术底气与愿景
至信微电子核心团队汇聚了来自华润微、意法半导体等国际顶尖半导体企业的资深技术与管理人才，始终专注于第三代半导体功率器件的研发与创新。目前公司产品良率超过90%，技术性能已达行业领先水平，已成功推出650V、750V、1200V、1700V全系列MOSFET产品，性能达世界先进水平。未来，至信微将持续深耕JFET与MOSFET协同创新，以自主技术赋能国内高端功率产业链，助力中国第三代半导体从并跑走向领跑。
来源：至信微电子
